Àwọn ọjà
-
Ọpá àti Pinni Oníṣẹ́-ọnà Oníṣẹ́-ọnà Oníṣẹ́-ọnà, Líle Gíga Al2O3 Pinni Oníṣẹ́-ọnà Oníṣẹ́-ọnà fún Ìmúlò Wafer, Ètò Rádà àti Ìṣiṣẹ́ Semiconductor – Ìwọ̀n Ìwọ̀n 1.6mm sí 2mm
-
Pínì Gbígbé Sapphire tí a ṣe àdáni, Líle Gíga Al2O3 Àwọn Ẹ̀yà Ojú Ìwòrán Onípele Kan fún Gbígbé Wafer – Ìwọ̀n Ìwọ̀n 1.6mm, 1.8mm, A lè ṣe àtúnṣe fún Àwọn Ohun Èlò Ilé Iṣẹ́
-
Lẹ́ǹsì bọ́ọ̀lù sapphire tó ní ìpele optical Al2O3 Ìwọ̀n ìfiranṣẹ́ 0.15-5.5um Dia 1mm 1.5mm
-
Bọ́ọ̀lù sapphire Dia 1.0 1.1 1.5 fún lẹ́nsì bọ́ọ̀lù optical líle gíga kírísítà kan ṣoṣo
-
Àwọ̀ ìyebíye sapphire dia fún aago, àtúnṣe dia 40 38mm nínípọn 350um 550um, gíga tí ó ṣe kedere
-
Ìtọ́sọ́nà irú Ntype P 111 100 tí kò ní ìyípadà Infurarẹẹdi, InSb wafer 2inch, 3inch, àti 111 100 fún àwọn Olùṣàwárí Infurarẹẹdi
-
Àwọn wafer Indium Antimonide (InSb) irú N irú P Epi tí a ti ṣetán tí a kò tíì ṣe Te doped tàbí Ge doped 2inch 3inch 4inch nípọn Indium Antimonide (InSb)
-
Ohun èlò àpótí wafer kásẹ́ẹ̀tì onípele méjì PP tàbíPC tí a lò nínú àwọn ojútùú owó wafer 1inch 3inch 4inch 5inch 6inch 12inch wà
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-ologbele 6H-ologbele 4H-P 6H-P 3C iru 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
Ọna Sapphire KY ati EFG Awọn ọpa sapphire tube ti titẹ giga
-
ìfọ́mọ́ onírun 3inch 4inch 6inch Monocrystal CZ KY Ọ̀nà tí a lè ṣe àtúnṣe
-
GaAs gallium arsenide wafer power-power epitaxial wafer substrate gallium arsenide wafer power laser wavelength 905nm fún ìtọ́jú lésà