Atẹ SiC seramiki chuck seramiki awọn agolo afamora ti a ṣe adani

Atẹ SiC seramiki chuck awọn agolo afamora seramiki ẹrọ ṣiṣe deede ti a ṣe adani Aworan ti a fihan

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ohun èlò ìfọṣọ atẹ silikoni carbide jẹ́ àṣàyàn tó dára jùlọ fún ṣíṣe semiconductor nítorí líle rẹ̀ tó ga, agbára ìṣiṣẹ́ ooru tó ga àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tó dára. Pípẹ́ àti ìparí ojú rẹ̀ ń mú kí ó fara kan gbogbo ohun tó wà láàárín wafer àti sucker, èyí sì ń dín ìbàjẹ́ àti ìbàjẹ́ kù; Ìgbóná àti ìdènà ìpalára gíga mú kí ó yẹ fún àwọn àyíká iṣẹ́ líle; Ní àkókò kan náà, àwòrán tó fẹ́ẹ́rẹ́fẹ́ àti àwọn ànímọ́ tó gùn ń dín iye owó iṣẹ́ kù, wọ́n sì jẹ́ àwọn ohun pàtàkì nínú gígé wafer, dídán, lithography àti àwọn iṣẹ́ mìíràn.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àwọn ànímọ́ ohun èlò:

1. Líle gíga: Líle Mohs ti silikoni carbide jẹ 9.2-9.5, ni aaya lẹhin diamond, pẹlu resistance lile ti o lagbara.
2. Ìwọ̀n ìgbóná gíga: ìwọ̀n ìgbóná ooru ti silikoni carbide ga tó 120-200 W/m·K, èyí tí ó lè tú ooru ká kíákíá, ó sì yẹ fún àyíká ìgbóná gíga.
3. Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru kékeré: Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru silikoni carbide kéré (4.0-4.5×10⁻⁶/K), ó sì lè pa ìdúróṣinṣin oníwọ̀n mọ́ ní iwọ̀n otutu gíga.
4. Iduroṣinṣin kemikali: silikoni carbide acid ati resistance ipata alkali, o dara fun lilo ni ayika ibajẹ kemikali.
5. Agbara ẹrọ giga: silikoni carbide ni agbara titẹ giga ati agbara titẹ, o si le koju wahala ẹrọ nla.

Àwọn ẹ̀yà ara ẹ̀ya ara:

1. Nínú ilé iṣẹ́ semiconductor, a gbọ́dọ̀ gbé àwọn wafer tín-tín gan-an sí orí ago ìfàmọ́ra, a sì ń lo ìfàmọ́ra láti tún àwọn wafer náà ṣe, a sì ń lo ìfàmọ́ra, ìfàmọ́ra, ìfọ́mọ́ra àti gígé lórí àwọn wafer náà.
2. Ohun tí a fi ń mú kí afẹ́fẹ́ carbide ní agbára ìgbóná tó dára, ó lè dín àkókò ìgbóná àti ìgbóná kù dáadáa, ó sì lè mú kí iṣẹ́ ṣíṣe sunwọ̀n sí i.
3. Ohun tí a fi ń mu omi ìgbálẹ̀ silicon carbide tún ní agbára ìdènà sí ìdíbàjẹ́ acid àti alkali tó dára.
4. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwo ìgbálẹ̀ corundum àtijọ́, ó máa ń dín àkókò gbígbóná àti ìtútù tí a fi ń kó ẹrù àti ṣíṣí sílẹ̀ kù, ó sì máa ń mú kí iṣẹ́ náà sunwọ̀n sí i; Ní àkókò kan náà, ó lè dín wíwú láàárín àwọn àwo òkè àti ìsàlẹ̀ kù, ó lè pa ìṣedéédéé ọkọ̀ ojú irin tó dára mọ́, ó sì lè mú kí iṣẹ́ náà pẹ́ sí i nípa bí 40%.
5. Iye ohun èlò náà kéré, ó sì fẹ́ẹ́rẹ́. Ó rọrùn fún àwọn olùṣiṣẹ́ láti gbé àwọn páálí, èyí sì dín ewu ìjamba tí ìṣòro ìrìnnà fà kù ní nǹkan bí 20%.
6. Ìwọ̀n: Ìwọ̀n tó pọ̀jù 640mm; Pípẹ́: 3um tàbí kí ó dín sí i

Aaye ohun elo:

1. Ṣíṣe àgbékalẹ̀ semiconductor
●Ṣíṣe ìṣiṣẹ́ wafer:
Fún ìfàmọ́ra wafer nínú fọ́tòlithography, ìfọ́, ìfipamọ́ fíìmù tín-tín àti àwọn ìlànà míràn, ó ń rí i dájú pé ó péye gan-an àti pé ó dúró ṣinṣin nínú iṣẹ́ náà. Ó ní ìwọ̀n otútù gíga àti ìdènà ìpalára tó lágbára fún àwọn àyíká iṣẹ́ semiconductor líle.
●Ìdàgbàsókè ìdàgbàsókè:
Nínú ìdàgbàsókè epitaxial SiC tàbí GaN, gẹ́gẹ́ bí ohun èlò láti mú kí àwọn wafers gbóná àti láti tún wọn ṣe, láti rí i dájú pé wọ́n dọ́gba ní ìwọ̀n otútù àti dídára kristali ní àwọn iwọn otutu gíga, láti mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà sunwọ̀n síi.
2. Ohun èlò fọ́tò-ina
●Iṣẹ́-ẹ̀rọ LED:
A lo lati tunṣe sapphire tabi SiC substrate ṣe, ati bi ohun elo igbona ninu ilana MOCVD, lati rii daju pe idagbasoke epitaxial jẹ iṣọkan, mu ilọsiwaju ati didara imọlẹ LED dara si.
●Dóódì lísà:
Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò tó ga jùlọ, tó ń mú kí ó dúró dáadáa, tó sì ń gbóná láti rí i dájú pé ìwọ̀n otútù náà dúró dáadáa, ó ń mú kí agbára àti ìgbẹ́kẹ̀lé ẹ̀rọ laser náà pọ̀ sí i.
3. Iṣiṣẹ deedee
●Ṣíṣe àgbékalẹ̀ àwọn ohun èlò ojú:
A nlo o fun fifi awọn eroja deedee bii awọn lẹnsi opitika ati awọn asẹ lati rii daju pe o peye pupọ ati idoti kekere lakoko sisẹ, o si dara fun ẹrọ ṣiṣe ti o lagbara pupọ.
●Ṣíṣe iṣẹ́ seramiki:
Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìdúróṣinṣin gíga, ó yẹ fún ṣíṣe àwọn ohun èlò seramiki déédéé láti rí i dájú pé iṣẹ́ náà péye àti pé ó dúró ṣinṣin lábẹ́ àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti ìbàjẹ́.
4. Àwọn àdánwò sáyẹ́ǹsì
●Ìdánwò iwọn otutu gíga:
Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìṣàtúnṣe àpẹẹrẹ ní àwọn àyíká igbóná gíga, ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn àyẹ̀wò igbóná líle tí ó ga ju 1600°C lọ láti rí i dájú pé igbóná náà dọ́gba àti ìdúróṣinṣin àpẹẹrẹ.
●Ìdánwò ìfọ́mọ́:
Gẹ́gẹ́ bí ohun èlò ìtúnṣe àti ìgbóná ara nínú àyíká afẹ́fẹ́, láti rí i dájú pé ìdánwò náà péye àti pé ó ṣeé tún ṣe, ó dára fún ìbòrí afẹ́fẹ́ àti ìtọ́jú ooru.

Awọn alaye imọ-ẹrọ:

(Ohun ìní ohun èlò)		(Ẹyọ kan)	(ssic)
(Àkóónú SiC)		(Wt)%	>99
(Iwọn ọkà apapọ)		mákírónù	4-10
(Ìwọ̀n)		kg/dm3	>3.14
(Ó hàn gbangba pé ó ní ihò)		Ìwọ̀n 1%	<0.5
(Ile lile Vickers)	HV 0.5	GPA	28
(Agbara rọra) (Àwọn ojú ìwé mẹ́ta)	20ºC	MPA	450
(Agbara titẹ)	20ºC	MPA	3900
(Modulusi onírọ̀rùn)	20ºC	GPA	420
(Ipa fifọ)		MPa/m'%	3.5
(Ìlànà ooru)	20°ºC	*W/(mK)**	160
(Ìdènà)	20°ºC	Ohm.cm	106-108
(Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru)	a(RT...80ºC)**	*K-110-6**	4.3
(Iwọn otutu iṣiṣẹ to pọ julọ)		oºC	1700

Pẹ̀lú ọ̀pọ̀ ọdún tí a ti ń kójọpọ̀ ìmọ̀ ẹ̀rọ àti ìrírí ilé iṣẹ́, XKH lè ṣe àtúnṣe àwọn pàrámítà pàtàkì bí ìwọ̀n, ọ̀nà ìgbóná àti ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ìgbàlódé ti chuck gẹ́gẹ́ bí àwọn àìní pàtó ti oníbàárà, ní rírí i dájú pé ọjà náà bá ìlànà oníbàárà mu dáadáa. Àwọn chuck seramiki SiC silicon carbide ti di àwọn ohun èlò pàtàkì nínú ṣíṣe wafer, ìdàgbàsókè epitaxial àti àwọn ìlànà pàtàkì mìíràn nítorí agbára ìgbóná wọn tó dára, ìdúróṣinṣin otutu gíga àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà. Pàápàá jùlọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò semiconductor ìran kẹta bíi SiC àti GaN, ìbéèrè fún chuck seramiki silicon carbide ń tẹ̀síwájú láti pọ̀ sí i. Ní ọjọ́ iwájú, pẹ̀lú ìdàgbàsókè kíákíá ti 5G, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, ọgbọ́n àtọwọ́dá àti àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ mìíràn, àwọn ìfojúsùn lílo chuck seramiki silicon carbide nínú ilé iṣẹ́ semiconductor yóò gbòòrò sí i.