Apá ìfọwọ́sowọ́pọ̀ ìparí seramiki SiC fún gbígbé wafer

Apá ìfọwọ́sowọ́pọ̀ SiC seramiki fún gbígbé wafer Àwòrán Àfihàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn Wafer LiNbO₃ dúró fún ìwọ̀n wúrà nínú àwọn photonics àti acoustics tí a ti ṣepọ, tí wọ́n ń ṣe iṣẹ́ tí kò láfiwé nínú àwọn ètò optoelectronic òde òní. Gẹ́gẹ́ bí olùpèsè olókìkí, a ti ṣe àṣeyọrí nínú ṣíṣe àwọn substrates tí a ti ṣe àgbékalẹ̀ wọ̀nyí nípasẹ̀ àwọn ọ̀nà ìdọ́gba ìyípadà ìgbóná vapor, a sì ti ṣe àṣeyọrí pípé kristali tí ó ga jùlọ ní ilé-iṣẹ́ pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n àbùkù tí ó wà ní ìsàlẹ̀ 50/cm².

Àwọn agbára ìṣẹ̀dá XKH ní ìwọ̀n ìbúdó láti 75mm sí 150mm, pẹ̀lú ìṣàkóso ìtọ́sọ́nà pípéye (X/Y/Z-cut ±0.3°) àti àwọn àṣàyàn ìtọ́jú ìlera pàtàkì pẹ̀lú àwọn èròjà ilẹ̀ tó ṣọ̀wọ́n. Àpapọ̀ àwọn ohun ìní tó wà nínú LiNbO₃ Wafers – pẹ̀lú ìwọ̀n r₃₃ tó yanilẹ́nu (32±2 pm/V) àti ìfarahàn tó gbòòrò láti UV sí àárín IR – mú kí wọ́n jẹ́ ohun tí kò ṣe pàtàkì fún àwọn àyíká photonic ìran tó ń bọ̀ àti àwọn ẹ̀rọ acoustic onígbà púpọ̀.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àkótán ipa ìparí seramiki SiC

Apá ìpele seramiki SiC (Silicon Carbide) jẹ́ apá pàtàkì nínú àwọn ètò ìtọ́jú wafer tí ó péye tí a lò nínú iṣẹ́ ṣíṣe semiconductor àti àwọn àyíká microfabrication tí ó ti lọ síwájú. A ṣe é láti bá àwọn ìbéèrè tí ó pọndandan mu ti àwọn àyíká tí ó mọ́ tónítóní, tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, àti tí ó dúró ṣinṣin gidigidi, apàṣẹ pàtàkì yìí ń rí i dájú pé a gbé àwọn wafer tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé láìsí ìbàjẹ́ nígbà àwọn ìgbésẹ̀ ìṣelọ́pọ́ pàtàkì bíi lithography, etching, àti deposition.

Nípa lílo àwọn ohun-ìní ohun-ìní tó ga jùlọ ti silikoni carbide—bí igbóná gíga, líle líle, àìlera kẹ́míkà tó dára, àti ìfẹ̀sí ooru tó kéré—apẹẹrẹ ìparí seramiki SiC náà ń fúnni ní agbára ìṣiṣẹ́ àti ìdúróṣinṣin oníwọ̀n tó pọ̀ tó bẹ́ẹ̀, kódà lábẹ́ ìyípo ooru kíákíá tàbí nínú àwọn yàrá ìṣiṣẹ́ ìbàjẹ́. Ìṣẹ̀dá pàǹtíkì rẹ̀ tó kéré àti àwọn ànímọ́ ìdènà plasma mú kí ó yẹ fún àwọn ohun èlò ìtọ́jú yàrá mímọ́ àti afẹ́fẹ́, níbi tí mímú ìdúróṣinṣin ojú wafer àti dídín ìbàjẹ́ pàǹtíkì kù ṣe pàtàkì jùlọ.

Ohun elo Ipari Ipari SiC

1. Ìmúlò Wafer Semiconductor

Àwọn ohun èlò ìparí seramiki SiC ni a ń lò ní ilé iṣẹ́ semiconductor fún mímú àwọn ohun èlò silicon nígbà tí a bá ń ṣe iṣẹ́ aládàáṣe. Àwọn ohun èlò ìparí wọ̀nyí ni a sábà máa ń gbé sórí àwọn apá robot tàbí àwọn ètò ìyípadà vacuum, a sì ṣe wọ́n láti gba àwọn ohun èlò wafer tí ó ní onírúurú ìwọ̀n bíi 200mm àti 300mm. Wọ́n ṣe pàtàkì nínú àwọn iṣẹ́ bíi Chemical Vapor Deposition (CVD), Physical Vapor Deposition (PVD), etching, àti diffusion—níbi tí àwọn òtútù gíga, àwọn ipò vacuum, àti àwọn gáàsì corrosion ti wọ́pọ̀. Àìfaradà ooru tí ó tayọ ti SiC àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà mú kí ó jẹ́ ohun èlò tí ó dára láti kojú irú àwọn àyíká líle bẹ́ẹ̀ láìsí ìbàjẹ́.

2. Ibamu Yara Mimọ ati Afẹ́fẹ́

Nínú yàrá mímọ́ àti ibi ìfọṣọ, níbi tí a gbọ́dọ̀ dín ìbàjẹ́ pàǹtírì kù, àwọn ohun èlò amọ̀ SiC ní àwọn àǹfààní pàtàkì. Ojú ilẹ̀ tó wúwo tí ó sì mọ́lẹ̀ tí ohun èlò náà ní kò jẹ́ kí àwọn pàǹtírì náà ṣẹ̀dá pàǹtírì, èyí sì ń ran àwọn ènìyàn lọ́wọ́ láti máa lo wafer nígbà tí wọ́n bá ń gbé e lọ. Èyí mú kí àwọn SiC end effectors dára gan-an fún àwọn iṣẹ́ pàtàkì bíi Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) àti Atomic Layer Deposition (ALD), níbi tí ìmọ́tótó ṣe pàtàkì. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, ìgbóná omi díẹ̀ tí SiC ń lò àti ìdènà plasma gíga ń mú kí iṣẹ́ rẹ̀ ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínú àwọn yàrá ìfọṣọ, ó ń mú kí àwọn irinṣẹ́ pẹ́ sí i, ó sì ń dín ìgbòkègbodò ìtọ́jú kù.

3. Àwọn Ètò Ìgbékalẹ̀ Gíga-Gíga

Pípéye àti ìdúróṣinṣin ṣe pàtàkì nínú àwọn ètò ìtọ́jú wafer tó ti ní ìlọsíwájú, pàápàá jùlọ nínú ìmọ̀ ìṣètò, àyẹ̀wò, àti ẹ̀rọ ìtòlẹ́sẹẹsẹ. Àwọn seramiki SiC ní ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru tó kéré gan-an àti líle gíga, èyí tó ń jẹ́ kí olùṣe ìparí náà máa ṣe ìtọ́jú ìṣètò rẹ̀ kódà lábẹ́ ìyípo ooru tàbí ẹrù ẹ̀rọ. Èyí ń rí i dájú pé àwọn wafers dúró ní ìbámu ní pàtó nígbà tí a bá ń gbé wọn, èyí tó ń dín ewu àwọn micro-scratches, àìtọ́, tàbí àṣìṣe ìwọ̀n kù—àwọn kókó tó ń ṣe pàtàkì síi ní àwọn nodes iṣẹ́-ọnà sub-5nm.

Awọn Ohun-ini Ipari Igbẹhin SiC

1. Agbara ati Lile-lile ti o ga julọ ti ẹrọ

Àwọn ohun èlò amọ̀ SiC ní agbára ẹ̀rọ tó tayọ, pẹ̀lú agbára ìfọ́mọ́ra tó pọ̀ ju 400 MPa lọ àti agbára líle Vickers tó ju 2000 HV lọ. Èyí mú kí wọ́n má lè fara da wahala ẹ̀rọ, ipa, àti ìbàjẹ́, kódà lẹ́yìn lílo iṣẹ́ fún ìgbà pípẹ́. Ìdúróṣinṣin gíga ti SiC tún máa ń dín ìyípadà kù nígbà tí a bá ń gbé àwọn ohun èlò amọ̀ wafer oníyàrá gíga, èyí sì máa ń mú kí ipò wọn péye tí a sì lè tún ṣe.

2. Iduroṣinṣin Ooru to dara julọ

Ọ̀kan lára àwọn ohun ìní pàtàkì jùlọ ti àwọn ohun èlò seramiki SiC ni agbára wọn láti fara da àwọn iwọ̀n otútù gíga gan-an—nígbà púpọ̀ títí dé 1600°C nínú afẹ́fẹ́ aláìlágbára—láìpàdánù ìdúróṣinṣin ẹ̀rọ. Ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn ooru wọn tí ó kéré (~4.0 x 10⁻⁶ /K) ń mú kí ìdúróṣinṣin oníwọ̀n wà lábẹ́ ìyípo ooru, èyí tí ó mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò bíi CVD, PVD, àti ìtúpalẹ̀ otutu gíga.

Ibeere ati Idahun SiC seramiki opin ipa

Q: Ohun elo wo ni a lo ninu effector opin wafer?

A:Àwọn ohun èlò tí ó ní agbára gíga, ìdúróṣinṣin ooru, àti ìṣẹ̀dá pàǹtíkì díẹ̀ ni a sábà máa ń fi ṣe àwọn ohun èlò tí ó ní agbára gíga, ìdúróṣinṣin ooru, àti ìṣẹ̀dá pàǹtíkì tí kò pọ̀. Lára ìwọ̀nyí, seramiki Silicon Carbide (SiC) jẹ́ ọ̀kan lára àwọn ohun èlò tí ó ti pẹ́ jùlọ tí a sì fẹ́ràn jùlọ. Àwọn seramiki SiC le gan-an, wọ́n dúró ṣinṣin ní ooru, wọ́n jẹ́ aláìlera, wọ́n sì dúró ṣinṣin láti wọ̀, èyí tí ó mú kí wọ́n dára fún lílo àwọn wafer silicon onírẹ̀lẹ̀ ní yàrá mímọ́ àti àyíká afẹ́fẹ́. Ní ìfiwéra pẹ̀lú quartz tàbí àwọn irin tí a fi bo, SiC ń fúnni ní ìdúróṣinṣin oníwọ̀n tí ó ga jùlọ lábẹ́ àwọn iwọ̀n otútù gíga, kò sì ń yọ́ àwọn pàǹtíkì, èyí tí ó ń ran lọ́wọ́ láti dènà ìbàjẹ́.