Sọ́bìtì SiC Dia200mm 4H-N àti HPSI Silikoni carbide

4H-N àti HPSI jẹ́ irú polytype ti silicon carbide (SiC), pẹ̀lú ìṣètò crystal lattice tí ó ní àwọn ẹ̀ka hexagonal tí a ṣe pẹ̀lú àwọn átọ̀mù carbon mẹ́rin àti silicon mẹ́rin. Ìṣètò yìí fún ohun èlò náà ní àwọn ànímọ́ ìṣíkiri electron tó dára àti ìfọ́ folti. Láàrín gbogbo àwọn polytypes SiC, 4H-N àti HPSI ni a lò ní gbogbogbòò nínú ẹ̀rọ itanna power nítorí ìṣíkiri electron àti ihò rẹ̀ tó wà ní ìwọ̀ntúnwọ̀nsì àti ìyípo ooru tó ga jùlọ.

Ìfarahàn àwọn ohun èlò SiC 8inch dúró fún ìlọsíwájú pàtàkì fún ilé iṣẹ́ semiconductor power. Àwọn ohun èlò semiconductor tí a fi silicon ṣe àgbékalẹ̀ máa ń ní ìlọsókè pàtàkì nínú iṣẹ́ lábẹ́ àwọn ipò líle koko bí iwọ̀n otútù gíga àti voltage gíga, nígbà tí àwọn ohun èlò SiC lè máa ṣiṣẹ́ dáadáa. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò kékeré, àwọn ohun èlò SiC 8inch ní agbègbè ìṣiṣẹ́ kan ṣoṣo tó tóbi jù, èyí tí ó túmọ̀ sí iṣẹ́ ṣíṣe tó ga jùlọ àti owó tí ó dínkù, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún ìdàgbàsókè iṣẹ́-ọnà SiC.

Ìmọ̀-ẹ̀rọ ìdàgbàsókè fún àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ silicon carbide (SiC) 8inch nílò ìpele gíga àti mímọ́ tó ga gidigidi. Dídára ohun èlò ìpìlẹ̀ náà ní ipa taara lórí iṣẹ́ àwọn ohun èlò tó tẹ̀lé e, nítorí náà àwọn olùpèsè gbọ́dọ̀ lo àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ tó ti ní ìlọsíwájú láti rí i dájú pé ó pé pérépéré àti pé ó ní ìwọ̀n àbùkù díẹ̀ nínú àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ náà. Èyí sábà máa ń ní àwọn ìlànà ìdènà afẹ́fẹ́ kẹ́míkà (CVD) tó díjú àti àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè àti gígé kristali. Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ 4H-N àti HPSI SiC ni a lò ní pàtàkì ní ẹ̀ka ẹ̀rọ itanna agbára, bíi nínú àwọn ohun èlò ìyípadà agbára tó ga, àwọn ohun èlò ìfàgùn fún àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àti àwọn ètò agbára tó ń yípadà.

A le pese substrate SiC 4H-N 8inch, awọn ipele oriṣiriṣi ti awọn wafers iṣura substrate. A tun le ṣeto isọdi-ara gẹgẹbi awọn aini rẹ. Ẹ kaabo ibeere!