Ìṣètò ìṣàpẹẹrẹ SiCOI 4inch 6inch HPSI SiC SiO2 Si

Àwòrán ìṣẹ́po SiCOI 4inch 6inch HPSI SiC SiO2 Si subatrate Àwòrán tí a fi hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ìwé yìí gbé àkópọ̀ àlàyé lórí àwọn wafers Silicon Carbide-on-Insulator (SiCOI), tí ó dojúkọ àwọn wafers 4-inch àti 6-inch tí ó ní àwọn fẹlẹfẹlẹ semi-insulating (HPSI) silicon carbide (SiC) tí a so mọ́ àwọn fẹlẹfẹlẹ insulating silicon dioxide (SiO₂) tí ó wà lórí àwọn substrates silicon (Si) tí a so mọ́ àwọn ohun èlò ìdábòbò silicon dioxide (SiO₂). Ìṣètò SiCOI so àwọn ohun-ini itanna, ooru, àti ẹ̀rọ tí ó yàtọ̀ ti SiC pọ̀ mọ́ àwọn àǹfààní ìyàsọ́tọ̀ itanna ti Layer oxide àti ìtìlẹ́yìn ẹ̀rọ ti substrates silicon. Lílo HPSI SiC mú iṣẹ́ ẹ̀rọ pọ̀ sí i nípa dídín ìdarí substrate kù àti dín àwọn àdánù parasitic kù, tí ó mú kí àwọn wafers wọ̀nyí dára fún àwọn ohun èlò semiconductor agbára gíga, ìgbagbogbo gíga, àti ìgbóná gíga. A jíròrò ìlànà ìṣelọ́pọ́, àwọn ànímọ́ ohun èlò, àti àwọn àǹfààní ìṣètò multilayer yìí, tí ó tẹnu mọ́ ìbáramu rẹ̀ sí àwọn ẹ̀rọ itanna agbára ìran tí ń bọ̀ àti àwọn ètò microelectromechanical (MEMS). Ìwádìí náà tún fi àwọn ohun-ini àti àwọn ohun-ìlò tí ó ṣeéṣe ti àwọn wafers SiCOI 4-inch àti 6-inch wéra, tí ó ṣe àfihàn àwọn àfojúsùn ìfàsẹ́yìn àti ìṣọ̀kan fún àwọn ẹ̀rọ semiconductor tí ó ti ní ìlọsíwájú.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ìṣètò wafer SiCOI

HPB (Ìdènà Ìṣiṣẹ́ Gíga) BIC (Ìsopọ̀ Tí A Ti Ṣẹ̀dá Nínú Ẹ̀rọ) àti SOD (Ìmọ̀-ẹ̀rọ Silicon-on-Diamond tàbí Silicon-on-Insulator-like). Ó ní nínú rẹ̀:

Àwọn Ìwọ̀n Iṣẹ́:

Ó ṣe àkójọ àwọn pàrámítà bíi ìpéye, irú àṣìṣe (fún àpẹẹrẹ, "Kò sí àṣìṣe," "Ìjìnnà Iye"), àti àwọn ìwọ̀n sísanra (fún àpẹẹrẹ, "Sísanra Fíìlì-Taara/kg").

Tábìlì kan pẹ̀lú àwọn iye nọ́mbà (ó ṣeé ṣe kí ó jẹ́ àwọn pàrámítà ìwádìí tàbí ìlànà) lábẹ́ àwọn àkọlé bíi "ADDR/SYGBDT," "10/0," àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.

Dáta Ìwúwo Fẹ́ẹ̀lì:

Àwọn ìtẹ̀jáde tó gbòòrò tí a fi àmì sí "L1 Sisanra (A)" sí "L270 Sisanra (A)" (ó ṣeé ṣe kí ó wà nínú Ångströms, 1 Å = 0.1 nm).

Ó dámọ̀ràn ìṣètò onípele púpọ̀ pẹ̀lú ìṣàkóso sísanra pàtó fún ìpele kọ̀ọ̀kan, tí ó wọ́pọ̀ nínú àwọn wafer semiconductor tó ti ní ìlọsíwájú.

Ìṣètò Wafer SiCOI

SiCOI (Silicon Carbide on Insulator) jẹ́ ètò wafer pàtàkì kan tí ó so silicon carbide (SiC) pọ̀ mọ́ ìpele ìdábòbò, tí ó jọ SOI (Silicon-on-Insulator) ṣùgbọ́n tí a ṣe àtúnṣe rẹ̀ fún àwọn ohun èlò agbára gíga/òtútù gíga. Àwọn ohun pàtàkì:

Àkójọpọ̀ Fẹ́ẹ̀lì:

Ipele oke: Silikoni Carbide kan ṣoṣo (SiC) fun gbigbe elekitironi giga ati iduroṣinṣin ooru.

Ààbò tí a sin: Lọ́pọ̀ ìgbà, SiO₂ (oxide) tàbí dáyámọ́ǹdì (nínú SOD) láti dín agbára ìfàsẹ́yìn kù àti láti mú kí ìyàsọ́tọ̀ pọ̀ sí i.

Ipìlẹ̀ Sẹ́ẹ̀tì: Silikoni tàbí polycrystalline SiC fún ìtìlẹ́yìn ẹ̀rọ

Awọn ohun-ini wafer SiCOI

Àwọn Ohun Èlò Ìmọ́lẹ̀ Mọ́mọ́ra Ìwọ̀n ìpele gbigbooro (3.2 eV fún 4H-SiC): Ó ń mú kí fóltéèjì ìfọ́ọ́lẹ̀ gíga (>10× ga ju silicon lọ). Ó ń dín ìṣàn omi ìṣàn kù, ó sì ń mú kí iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ agbára sunwọ̀n sí i.

Ilọsiwaju Itanna Giga:~900 cm²/V·s (4H-SiC) vs. ~1,400 cm²/V·s (Si), ṣugbọn iṣẹ ṣiṣe giga ti o dara julọ.

Agbara lori-kekere:Àwọn transistors tí ó dá lórí SiCOI (fún àpẹẹrẹ, MOSFETs) máa ń fi àwọn àdánù ìdarí tí ó kéré síi hàn.

Idabobo to dara julọ:Oxide tí a bò mọ́lẹ̀ (SiO₂) tàbí ìpele dáyámọ́ǹdì máa ń dín agbára ìdènà àti ìtakùn parasitic kù.

Àwọn Ohun-ìní GbígbónáÌgbékalẹ̀ ooru gíga:SiC (~490 W/m·K fún 4H-SiC) vs. Si (~150 W/m·K). Dáyámọ́ǹdì (tí a bá lò ó gẹ́gẹ́ bí insulator) lè ju 2,000 W/m·K lọ, èyí sì ń mú kí ooru máa tú jáde dáadáa.

Iduroṣinṣin Ooru:Ó ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní >300°C (ní ìyàtọ̀ sí ~150°C fún ohun èlò ìtútù). Ó ń dín àwọn ohun tí a nílò fún ìtútù nínú ohun èlò ìṣiṣẹ́ agbára kù.

3. Àwọn Ohun Èlò Mẹ́kítà àti Kẹ́míkàLíle Gíga Jùlọ (~ 9.5 Mohs): Ó ń tako ìbàjẹ́, èyí sì ń mú kí SiCOI pẹ́ títí fún àwọn àyíká líle.

Àìlera Kẹ́míkà:Ó tako ìfọ́sídì àti ìbàjẹ́, kódà ní àwọn ipò ekikan/ipídá.

Ìfàsẹ́yìn Gbóná Kekere:Baamu daradara pẹlu awọn ohun elo miiran ti o ni iwọn otutu giga (fun apẹẹrẹ, GaN).

4. Àwọn Àǹfààní Ìṣètò (tí a bá fi wéra pẹ̀lú Bulk SiC tàbí SOI)

Awọn adanu substrate ti o dinku:Fọ́tìnnì ìdènà ìdènà ń dènà jíjí omi lọ́wọ́lọ́wọ́ sínú àpò ìsàlẹ̀ náà.

Iṣẹ́ RF Tí Ó Dára Síi:Agbára parasitic tó kéré síi mú kí ó yára yí padà (ó wúlò fún àwọn ẹ̀rọ 5G/mmWave).

Apẹrẹ Rọrun:Ipele oke SiC tinrin gba laaye fun iwọn ẹrọ ti o dara julọ (fun apẹẹrẹ, awọn ikanni tinrin pupọ ninu awọn transistor).

Ifiwewe pẹlu SOI & Bulk SiC

Ohun ìní	SiCOI	SOI (Si/SiO₂/Si)	SiC Pupọ
Bandgap	3.2 eV (SiC)	1.1 eV (Si)	3.2 eV (SiC)
Ìgbékalẹ̀ Ooru	Gíga (SiC + dáyámọ́ńdì)	Kéré (SiO₂ dín ìṣàn ooru kù)	Gíga (SiC nìkan)
Fọ́ọ́lítì ìfọ́	Gíga Púpọ̀	Díẹ̀díẹ̀	Gíga Púpọ̀
Iye owo	Gíga Jù	Isalẹ	Gíga jùlọ (SiC mímọ́)

Awọn ohun elo wafer SiCOI

Awọn Itanna Agbara
A nlo awọn wafer SiCOI pupọ ninu awọn ẹrọ semiconductor agbara giga ati agbara giga gẹgẹbi MOSFETs, awọn diodes Schottky, ati awọn yipada agbara. Iwọn bandgap gbooro ati folti fifọ giga ti SiC mu ki iyipada agbara to munadoko ṣiṣẹ pẹlu awọn adanu ti o dinku ati iṣẹ ooru ti o pọ si.

Àwọn Ẹ̀rọ Ìgbohùngbà Rédíò (RF)
Ìpele ìdábòbò nínú àwọn ìwafọ́ SiCOI dín agbára ìdènà parasitic kù, èyí sì mú kí wọ́n dára fún àwọn transistor àti amplifiers onígbà gíga tí a lò nínú ìbánisọ̀rọ̀, radar, àti ìmọ̀-ẹ̀rọ 5G.

Àwọn Ètò Microelectromechanical (MEMS)
Àwọn wafers SiCOI pèsè ìpìlẹ̀ tó lágbára fún ṣíṣe àwọn sensọ̀ MEMS àti àwọn actuator tí wọ́n ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní àwọn àyíká líle nítorí àìlera kẹ́míkà SiC àti agbára ẹ̀rọ.

Awọn ẹrọ itanna iwọn otutu giga
SiCOI n mu ki awọn ẹrọ itanna ṣiṣẹ ti o ṣetọju iṣẹ ṣiṣe ati igbẹkẹle ni awọn iwọn otutu giga, ti o ṣe anfani fun awọn ohun elo ọkọ ayọkẹlẹ, afẹfẹ, ati awọn ohun elo ile-iṣẹ nibiti awọn ẹrọ silikoni ibile ba kuna.

Àwọn Ẹ̀rọ Photonic àti Optoelectronic
Àpapọ̀ àwọn ohun ìní opitika SiC àti ìpele ìdábòbò ń mú kí ìṣọ̀kan àwọn iyika photonic pẹ̀lú ìṣàkóso ooru tí ó dára síi rọrùn.

Àwọn Ẹ̀rọ Ìmọ́lẹ̀ Tí Ó Líle Rírọ
Nítorí ìfaradà ìtànṣán tí SiC ní, àwọn wafers SiCOI dára fún ààyè àti àwọn ohun èlò amúlétutù tí ó nílò àwọn ẹ̀rọ tí ó lè kojú àyíká ìtànṣán gíga.

Ìbéèrè àti Ìdáhùn sí àwọn ohun èlò ìfọṣọ SiCOI

Ìbéèrè 1: Kí ni ìwẹ̀ SiCOI?

A: SiCOI dúró fún Silicon Carbide-on-Insulator. Ó jẹ́ ìṣètò wafer semiconductor níbi tí a ti so fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ silicon carbide (SiC) mọ́ ìpele ìdáàbòbò kan (nígbà gbogbo silicon dioxide, SiO₂), èyí tí a fi ohun èlò silicon ṣe àtìlẹ́yìn fún. Ìṣètò yìí so àwọn ànímọ́ SiC tó dára jù pọ̀ mọ́ ìyàsọ́tọ̀ iná mànàmáná láti inú ohun èlò ìdáàbòbò náà.

Q2: Kini awọn anfani akọkọ ti awọn wafers SiCOI?

A: Àwọn àǹfààní pàtàkì ni fóltéèjì ìfọ́lẹ̀ gíga, ìbúgbàù fífẹ̀, agbára ìgbóná tó dára, agbára mechanical tó ga jùlọ, àti agbára ìdènà parasitic tí ó dínkù nítorí ìbòrí. Èyí yóò mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà sunwọ̀n síi, ó máa ṣiṣẹ́ dáadáa, ó sì ṣeé gbẹ́kẹ̀lé.

Q3: Kí ni àwọn ohun tí a sábà máa ń lò fún àwọn wafer SiCOI?

A: A nlo wọn ninu ẹrọ itanna agbara, awọn ẹrọ RF igbohunsafẹfẹ giga, awọn sensọ MEMS, ẹrọ itanna iwọn otutu giga, awọn ẹrọ photonic, ati awọn ẹrọ itanna ti o ni agbara itankalẹ.