Silikoni Carbide SiC Ingot 6inch N type Dummy/prime grade thickness le ba ti a ṣe adani

Àwòrán tí a fi silicon Carbide SiC ṣe, tí ó ní ìwọ̀n 6inch N, tí ó ní ìwọ̀n ìpele Dummy/prime, lè jẹ́ èyí tí a ṣe àdáni.

Àpèjúwe Kúkúrú:

Silicon Carbide (SiC) jẹ́ ohun èlò semiconductor oní-bandgap tí ó ń gba ìfàmọ́ra púpọ̀ ní oríṣiríṣi ilé iṣẹ́ nítorí àwọn ohun ìní rẹ̀ tó ga jùlọ nípa iná mànàmáná, ooru, àti ẹ̀rọ. SiC Ingot nínú N-type Dummy/Prime grade 6-inch ni a ṣe àgbékalẹ̀ rẹ̀ ní pàtó fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ semiconductor tó ti ní ìlọsíwájú, títí kan àwọn ohun èlò agbára gíga àti ìgbóná gíga. Pẹ̀lú àwọn àṣàyàn ìfúnpọ̀ tí a lè ṣe àtúnṣe àti àwọn pàtó pàtó, ingot SiC yìí pèsè ojútùú tó dára fún ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ tí a lò nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn ètò agbára ilé iṣẹ́, ìbánisọ̀rọ̀, àti àwọn ẹ̀ka iṣẹ́ gíga mìíràn. Agbára SiC nínú àwọn ipò foliteji gíga, igbóná gíga, àti igbóná gíga ń mú kí iṣẹ́ rẹ̀ pẹ́, ó sì dára, ó sì ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínú onírúurú ohun èlò.
Ingot SiC wa ni iwọn inṣi mẹfa, pẹlu iwọn ila opin ti 150.25mm ± 0.25mm ati sisanra ti o ju 10mm lọ, eyiti o jẹ ki o dara julọ fun gige wafer. Ọja yii nfunni ni itọsọna oju ti a ṣalaye daradara ti 4° si <11-20> ± 0.2°, ti o rii daju pe o peye gaan ni iṣelọpọ ẹrọ. Ni afikun, ingot ni itọsọna alapin akọkọ ti <1-100> ± 5°, ti o ṣe alabapin si tito kirisita ti o dara julọ ati iṣẹ ṣiṣe ilana.
Pẹ̀lú agbára gíga tó wà láàárín 0.015–0.0285 Ω·cm, ìwọ̀n pípù kékeré tó jẹ́ <0.5, àti dídára ẹ̀gbẹ́ tó dára, SiC Ingot yìí dára fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ agbára tó nílò àbùkù díẹ̀ àti iṣẹ́ tó ga lábẹ́ àwọn ipò tó le koko.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àwọn dúkìá

Ipele: Ipele Iṣelọpọ (Dummy/Prime)
Iwọn: Iwọn ila opin 6-inch
Ìwọ̀n Ìwọ̀n Ìwọ̀n: 150.25mm ± 0.25mm
Sisanra: >10mm (Sisanra ti a le ṣe adani wa lori ibeere)
Ìtọ́sọ́nà ojú ilẹ̀: 4° sí <11-20> ± 0.2°, èyí tí ó ń rí i dájú pé ó ní ìdárayá kírísítà gíga àti ìtòlẹ́sẹẹsẹ pípé fún ṣíṣe ẹ̀rọ.
Ìtọ́sọ́nà Pẹ̀lẹ́pẹ̀lẹ́ Àkọ́kọ́: <1-100> ± 5°, ohun pàtàkì kan fún gígé ingot sínú àwọn wafers tó dára àti fún ìdàgbàsókè kristali tó dára jùlọ.
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́: 47.5mm ± 1.5mm, tí a ṣe fún mímú rọrùn àti gígé pípéye.
Agbara resistance: 0.015–0.0285 Ω·cm, o dara julọ fun lilo ninu awọn ẹrọ agbara ti o lagbara.
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù: <0.5, èyí tí ó ń mú kí àwọn àbùkù díẹ̀ wà tí ó lè ní ipa lórí iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ tí a ṣe.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, iye kekere ti o tọka si mimọ kristali giga ati iwuwo abawọn kekere.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, èyí tí ó ń mú kí ohun èlò náà dára fún àwọn ẹ̀rọ tó ní iṣẹ́ gíga.
Àwọn Agbègbè Onírúurú: Kò sí - ingot kò ní àbùkù onírúurú, ó sì ní dídára ohun èlò tó ga jùlọ fún àwọn ohun èlò tó ga jùlọ.
Àwọn Àmì Ẹ̀gbẹ́: <3, pẹ̀lú fífẹ̀ àti jíjìn 1mm, èyí tí ó ń mú kí ojú ilẹ̀ náà bàjẹ́ díẹ̀, tí ó sì ń mú kí ó dúró ṣinṣin fún gígé wáfà tí ó dára.
Àwọn ìfọ́ etí: 3, <1mm kọ̀ọ̀kan, pẹ̀lú ìbàjẹ́ etí díẹ̀, tí ó ń rí i dájú pé a kò fi ọwọ́ pa á mọ́ àti pé a tún ń ṣe é síwájú sí i.
Àkójọpọ̀: Àpótí Wafer – A fi SiC ingot sínú àpótí wafer láti rí i dájú pé a gbé e lọ sí ibi tí ó dára àti pé a kò fi nǹkan pamọ́.

Àwọn ohun èlò ìlò

Awọn ẹrọ itanna agbara:A lo ingot SiC inchi 6-inch pupọ ninu iṣelọpọ awọn ẹrọ itanna agbara gẹgẹbi MOSFETs, IGBTs, ati awọn diodes, eyiti o jẹ awọn paati pataki ninu awọn eto iyipada agbara. Awọn ẹrọ wọnyi ni a lo jakejado ninu awọn inverters ọkọ ayọkẹlẹ ina (EV), awọn awakọ mọto ile-iṣẹ, awọn ipese agbara, ati awọn eto ipamọ agbara. Agbara SiC lati ṣiṣẹ ni awọn foliteji giga, awọn igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn iwọn otutu to gaju jẹ ki o dara julọ fun awọn ohun elo nibiti awọn ẹrọ silicon (Si) ibile yoo nira lati ṣiṣẹ daradara.

Àwọn Ọkọ̀ Ayọ́kẹ́lẹ́ Mọ̀nàmọ́ná (EVs):Nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn èròjà tí ó dá lórí SiC ṣe pàtàkì fún ìdàgbàsókè àwọn modulu agbára nínú àwọn inverters, àwọn converters DC-DC, àti àwọn chargers lórí ọkọ̀. Ìgbékalẹ̀ ooru tí ó ga jùlọ ti SiC gba láàyè fún ìṣẹ̀dá ooru tí ó dínkù àti ìṣiṣẹ́ tí ó dára jùlọ nínú ìyípadà agbára, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún mímú iṣẹ́ àti ìwakọ̀ àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná pọ̀ sí i. Ní àfikún, àwọn ẹ̀rọ SiC ń mú kí àwọn èròjà kékeré, fẹ́ẹ́rẹ́fẹ́, àti èyí tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé túbọ̀ ṣiṣẹ́, èyí tí ó ń ṣe àfikún sí iṣẹ́ gbogbogbò ti àwọn ètò EV.

Àwọn Ètò Agbára Tí Ó Ṣeé Ṣe:Àwọn ingots SiC jẹ́ ohun pàtàkì nínú ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ ìyípadà agbára tí a lò nínú àwọn ètò agbára tí a lè sọ di tuntun, títí bí àwọn inverters oorun, àwọn turbines afẹ́fẹ́, àti àwọn ojútùú ìpamọ́ agbára. Àwọn agbára ìdarí agbára gíga ti SiC àti ìṣàkóso ooru tí ó munadoko mú kí agbára ìyípadà agbára pọ̀ sí i àti ìgbẹ́kẹ̀lé tí ó dára sí i nínú àwọn ètò wọ̀nyí. Lílò rẹ̀ nínú agbára tí a lè sọ di tuntun ń ran lọ́wọ́ láti darí àwọn ìsapá kárí ayé sí ìdúróṣinṣin agbára.

Awọn ibaraẹnisọrọ:Ingot SiC inchi 6 náà tún dára fún ṣíṣe àwọn èròjà tí a lò nínú àwọn ohun èlò RF (igbohunsafẹfẹ redio) alágbára gíga. Àwọn wọ̀nyí ní àwọn amplifiers, oscillators, àti àwọn àlẹ̀mọ́ tí a lò nínú àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ àti satẹlaiti. Agbára SiC láti ṣe àwọn ìgbohunsafẹ́ gíga àti agbára gíga mú kí ó jẹ́ ohun èlò tó dára fún àwọn ẹ̀rọ ìbánisọ̀rọ̀ tí ó nílò iṣẹ́ tó lágbára àti pípadánù àmì tó kéré.

Aerospace ati Idaabobo:Fóltéèjì tí ó ń bàjẹ́ gidigidi tí SiC ní àti ìdènà sí iwọ̀n otútù gíga mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́ àti ààbò. Àwọn èròjà tí a ṣe láti inú àwọn ingots SiC ni a lò nínú àwọn ètò radar, ìbánisọ̀rọ̀ satẹlaiti, àti ẹ̀rọ itanna agbára fún ọkọ̀ òfúrufú àti ọkọ̀ òfúrufú. Àwọn ohun èlò tí a fi SiC ṣe mú kí àwọn ètò afẹ́fẹ́ ṣiṣẹ́ lábẹ́ àwọn ipò líle koko tí a bá pàdé ní ààyè àti àwọn àyíká gíga.

Adaṣiṣẹ ile-iṣẹ:Nínú iṣẹ́ àdáṣe ilé-iṣẹ́, a ń lo àwọn èròjà SiC nínú àwọn sensọ̀, àwọn actuator, àti àwọn ètò ìṣàkóso tí ó nílò láti ṣiṣẹ́ ní àwọn àyíká líle koko. Àwọn ẹ̀rọ tí ó dá lórí SiC ni a ń lò nínú ẹ̀rọ tí ó nílò àwọn èròjà tí ó gbéṣẹ́, tí ó sì lè dúró pẹ́ títí tí ó lè fara da àwọn ìgbóná gíga àti àwọn ìdààmú iná mànàmáná.

Tábìlì Ìsọdipúpọ̀ Ọjà

Ohun ìní	Ìlànà ìpele
Ipele	Ìgbéjáde (Dummy/Prime)
Iwọn	6-inch
Iwọn opin	150.25mm ± 0.25mm
Sisanra	>10mm (A le ṣe àtúnṣe)
Ìtọ́sọ́nà ojú ilẹ̀	4° sí <11-20> ± 0.2°
Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́	<1-100> ± 5°
Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́	47.5mm ± 1.5mm
Àìfaradà	0.015–0.0285 Ω·cm
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù	<0.5
Ìwọ̀n Pípín Boron (BPD)	<2000
Ìwọ̀n Ìfàsẹ́yìn Ìfàsẹ́yìn Ìfàsẹ́yìn (TSD)	<500
Àwọn Agbègbè Onírúurú	Kò sí
Àwọn ètí etí	<3, 1mm fífẹ̀ àti jíjìn
Àwọn ìfọ́ etí	3, <1mm/oṣù
iṣakojọpọ	Àpò Wafer

Ìparí

Ipele Dummy/Prime SiC ingot 6-inch jẹ́ ohun èlò tó dára tó bá àwọn ohun tí ilé iṣẹ́ semiconductor nílò mu. Ìfaradà ooru tó ga, ìfaradà tó tayọ, àti ìwọ̀n àbùkù tó kéré mú kí ó jẹ́ àṣàyàn tó dára fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna tó ti ní agbára gíga, àwọn ohun èlò ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀, àti àwọn ètò agbára tó ń ṣe àtúnṣe. Ìwọ̀n tó nípọn àti àwọn ìlànà tó péye máa ń mú kí ingot SiC yìí ṣeé ṣe fún onírúurú ohun èlò, èyí tó máa ń mú kí iṣẹ́ rẹ̀ dára àti pé ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé ní àwọn àyíká tó ń béèrè fún ìgbọ́kànlé. Fún ìwífún síi tàbí láti pàṣẹ, jọ̀wọ́ kàn sí ẹgbẹ́ títà wa.