Sílíkónì Carbide (SiC) Sẹ́ẹ̀tì Kírísítàlì Kanṣoṣo – Wáfẹ́rì 10×10mm
Àwòrán Àlàyé ti wafer onípele Silicon Carbide (SiC)
Àkótán ti wafer substrate Silicon Carbide (SiC)
ÀwọnWafer onígun-kristal kan ṣoṣo ti Silicon Carbide (SiC) 10×10mmjẹ́ ohun èlò semiconductor tó ní agbára gíga tí a ṣe fún àwọn ẹ̀rọ itanna agbára ìran tó ń bọ̀ àti àwọn ohun èlò optoelectronic. Pẹ̀lú agbára ìgbóná tó yàtọ̀, bandgap tó gbòòrò, àti ìdúróṣinṣin kẹ́míkà tó dára, wafer substrate Silicon Carbide (SiC) ló ń pèsè ìpìlẹ̀ fún àwọn ẹ̀rọ tó ń ṣiṣẹ́ dáadáa lábẹ́ àwọn ipò ooru gíga, ìgbóná gíga, àti fóltéèjì gíga. Àwọn substrate wọ̀nyí ni a gé sí ọ̀nà tó péye.Awọn eerun onigun mẹrin 10 × 10mm, o dara julọ fun iwadii, apẹẹrẹ, ati iṣelọpọ ẹrọ.
Ìlànà Ìṣẹ̀dá ti wafer ìṣàlẹ̀ Silicon Carbide (SiC)
A ṣe àgbékalẹ̀ wafer onípele Silicon Carbide (SiC) nípasẹ̀ Physical Vapor Transport (PVT) tàbí àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè sublimation. Ìlànà náà bẹ̀rẹ̀ pẹ̀lú lulú SiC tó mọ́ tónítóní tí a kó sínú graphite crucible. Lábẹ́ iwọ̀n otútù tó le koko ju 2,000°C àti àyíká tí a ṣàkóso, lulú náà a máa yọ́ sínú èéfín, a sì tún máa ń kó o sórí kristali èso tí a tọ́jú dáadáa, tí ó ń ṣẹ̀dá ingot kristali kan ṣoṣo tí ó tóbi, tí àbùkù kò dínkù.
Ni kete ti a ba ti dagba SiC boule, o n ṣe awọn nkan wọnyi:
- Gígé Ingot: Àwọn gígé waya dáyámọ́ńdì tí a ṣe déédéé máa ń gé ingot SiC sí àwọn wàrà tàbí ìṣù.
- Lílo àti fífọ́: Àwọn ojú ilẹ̀ náà jẹ́ títẹ́ láti mú àwọn àmì gígún kúrò kí wọ́n sì nípọn déédé.
- Ìmọ́lẹ̀ Kemikali (CMP): Ó ń ṣe àṣeyọrí dígí onípele-pípé pẹ̀lú ìrísí ojú ilẹ̀ tí kò ní ìwúwo púpọ̀.
- Àṣàyàn ìtọ́jú oògùn: A lè ṣe ìtọ́jú oògùn nitrogen, aluminiomu, tàbí boron láti ṣe àtúnṣe àwọn ohun ìní iná mànàmáná (n-type tàbí p-type).
- Àyẹ̀wò Dídára: Ìlànà ìlọsíwájú nínú ìmọ̀ ìṣètò ń rí i dájú pé wíwà wafer jẹ́ pẹ̀lẹ́pẹ̀lẹ́, ìṣọ̀kan sísanra, àti pé àbùkù náà bá àwọn ohun tí a béèrè fún mu.
Ilana ọpọ-igbesẹ yii n yọrisi awọn eerun wafer ti o lagbara ti 10×10mm Silicon Carbide (SiC) ti o ṣetan fun idagbasoke epitaxial tabi iṣelọpọ ẹrọ taara.
Àwọn Ànímọ́ Ohun Èlò ti Wafer Sẹ́ẹ̀lìkì Carbide (SiC)
Àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ Silicon Carbide (SiC) ni a fi ṣe pàtàkì láti inú wọn4H-SiC or 6H-SiCàwọn onírúurú ènìyàn:
-
4H-SiC:Ó ní agbára ìṣíkiri elekitironi gíga, èyí tó mú kí ó dára fún àwọn ẹ̀rọ agbára bíi MOSFETs àti Schottky diodes.
-
6H-SiC:N pese awọn ohun-ini alailẹgbẹ fun awọn paati RF ati optoelectronic.
Àwọn ohun ìní pàtàkì ti ohun èlò ìfọṣọ Silicon Carbide (SiC):
-
Ààlà ìpele gbígbòòrò:~3.26 eV (4H-SiC) – ó ń jẹ́ kí fóltéèjì ìfọ́lẹ̀ gíga àti àwọn ìpàdánù ìyípadà kékeré ṣeé lò.
-
Ìgbékalẹ̀ ooru:3–4.9 W/cm·K – ó ń tú ooru ká dáadáa, ó sì ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin nínú àwọn ètò agbára gíga.
-
Líle:~9.2 lórí ìwọ̀n Mohs – ó ń rí i dájú pé ẹ̀rọ náà le koko nígbà tí a bá ń ṣiṣẹ́ àti nígbà tí a bá ń ṣiṣẹ́ ẹ̀rọ náà.
Àwọn ohun èlò tí a fi ń lo ohun èlò ìpara Silicon Carbide (SiC) sobusitireti ṣe
Ìlòpọ̀ wafer onípele Silicon Carbide (SiC) ló mú kí wọ́n níye lórí ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ilé iṣẹ́:
Ẹ̀rọ itanna agbara: Ipilẹ fun awọn diode MOSFET, IGBT, ati Schottky ti a lo ninu awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina (EVs), awọn ipese agbara ile-iṣẹ, ati awọn inverters agbara isọdọtun.
Àwọn Ẹ̀rọ RF àti Máíkrówéfù: Ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn transistor, amplifiers, àti àwọn èròjà radar fún 5G, satẹ́láìtì, àti àwọn ohun èlò ààbò.
Optoelectronics: A n lo o ninu awọn LED UV, awọn photodetectors, ati awọn diode laser nibiti imọlẹ UV giga ati iduroṣinṣin ṣe pataki.
Aerospace & Defense: Ohun elo ti o gbẹkẹle fun awọn ẹrọ itanna ti o ni iwọn otutu giga ati ti o ni agbara nipasẹ itankalẹ.
Àwọn Ilé Ìwádìí àti Yunifásítì: Ó dára fún àwọn ẹ̀kọ́ nípa ìmọ̀ nípa ohun èlò, ìdàgbàsókè ẹ̀rọ àpẹẹrẹ, àti ìdánwò àwọn ìlànà epitaxial tuntun.

Àwọn ìlànà pàtó fún àwọn ìṣùpọ̀ wafer onípele Silicon Carbide (SiC)
| Ohun ìní | Iye |
|---|---|
| Iwọn | 10mm × 10mm onígun mẹ́rin |
| Sisanra | 330–500 μm (a le ṣe àtúnṣe) |
| Irú onípele púpọ̀ | 4H-SiC tàbí 6H-SiC |
| Ìtọ́sọ́nà | C-plane, tí kò sí ní ipò (0°/4°) |
| Ipari oju ilẹ | A ti yọ́ ẹ̀gbẹ́ kan tàbí ẹ̀gbẹ́ méjì; a ti ṣetán láti fi ṣe ẹ̀gbẹ́ kan ṣoṣo; |
| Àwọn Àṣàyàn Doping | Iru-N tabi Iru-P |
| Ipele | Ipele iwadii tabi ipele ẹrọ |
Awọn ibeere ti a beere nipa Silicon Carbide (SiC) substrate wafer
Ìbéèrè 1: Kí ló mú kí ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ Silicon Carbide (SiC) dára ju ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ silicon ìbílẹ̀ lọ?
SiC n pese agbara aaye fifọ ti o ga ju 10× lọ, resistance ooru ti o ga julọ, ati awọn adanu iyipada kekere, ti o jẹ ki o dara julọ fun awọn ẹrọ agbara giga ati agbara giga ti silikoni ko le ṣe atilẹyin.
Q2: Ṣé a lè fi àwọn ìpele epitaxial pèsè wafer onípele 10×10mm Silicon Carbide (SiC)?
Bẹ́ẹ̀ni. A pese awọn ohun elo ipilẹ epi-ready ati pe a le fi awọn wafers ranṣẹ pẹlu awọn fẹlẹfẹlẹ epitaxial aṣa lati pade awọn ohun elo agbara kan pato tabi awọn iwulo iṣelọpọ LED.
Q3: Ṣe awọn iwọn aṣa ati awọn ipele doping wa?
Dájúdájú. Bó tilẹ̀ jẹ́ pé àwọn ègé 10×10mm jẹ́ ìwọ̀n tó yẹ fún ìwádìí àti ìṣàyẹ̀wò ẹ̀rọ, àwọn ìwọ̀n àṣà, ìwúwo, àti àwọn ìrísí doping wà lórí ìbéèrè.
Q4: Bawo ni awọn wafer wọnyi ṣe le pẹ to ni awọn agbegbe ti o nira?
SiC n ṣetọju iduroṣinṣin eto ati iṣẹ ina loke 600°C ati labẹ itankalẹ giga, eyiti o jẹ ki o dara julọ fun awọn ẹrọ itanna afẹfẹ ati awọn ẹrọ ologun.
Nipa re
XKH jẹ́ amọ̀jọ̀gbọ́n nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga, ìṣẹ̀dá, àti títà àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì optíkì pàtàkì àti àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì tuntun. Àwọn ọjà wa ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna optíkì, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, àti àwọn ológun. A ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ Sapphire optíkì, àwọn ìbòrí lẹ́ǹsì fóònù alágbéká, àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ sémíkà, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, àti àwọn wafers crystal semiconductor. Pẹ̀lú ìmọ̀ tó ní ìmọ̀ àti àwọn ohun èlò tó ti pẹ́, a tayọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò tí kì í ṣe déédé, a ń gbìyànjú láti jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga tó ń lo ohun èlò optoelectronic.












