Ọkọ̀ ojú omi wafer Silikoni Carbide (SiC)

Àwòrán tí a fi ṣe àfihàn ọkọ̀ ojú omi Silikoni Carbide (SiC)

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ọkọ̀ ojú omi wafer Silicon Carbide (SiC) jẹ́ ohun èlò ìgbésẹ̀ semiconductor tí a fi ohun èlò SiC mímọ́ tó ga ṣe, tí a ṣe láti mú àwọn wafers dúró àti láti gbé wọn nígbà àwọn iṣẹ́ ìgbóná tó ṣe pàtàkì bíi epitaxy, oxidation, diffusion, àti annealing.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àwòrán Àlàyé

Àkópọ̀ gbogbo ti Gilasi Quartz

Pẹ̀lú ìdàgbàsókè kíákíá ti àwọn semiconductors power àti àwọn ẹ̀rọ bandgap tó gbòòrò, àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz ìbílẹ̀ ń dojúkọ àwọn ààlà bíi ìyípadà ní ìwọ̀n otútù gíga, ìbàjẹ́ pàtákì líle, àti ìgbésí ayé iṣẹ́ kúkúrú. Àwọn ọkọ̀ ojú omi SiC wafer, tí ó ní ìdúróṣinṣin ooru tó ga jùlọ, ìbàjẹ́ díẹ̀, àti ìgbésí ayé gígùn, ń rọ́pò àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz sí i, wọ́n sì ń di àṣàyàn tí a fẹ́ràn jùlọ nínú iṣẹ́ ṣíṣe ẹ̀rọ SiC.

Àwọn Ohun Pàtàkì

1. Àwọn Àǹfààní Ohun Èlò

A ṣe é láti inú SiC mímọ́ gíga pẹ̀lúlíle ati agbara giga.
Ibùdó yíyọ́ tí ó ga ju 2700°C lọ, tí ó ga ju quartz lọ, ó ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin fún ìgbà pípẹ́ ní àwọn àyíká tí ó le koko.

2. Àwọn Ohun Ìní Ooru

Agbara igbona giga fun gbigbe ooru yarayara ati deede, dinku wahala wafer.
Àfikún ìfàsẹ́yìn ooru (CTE) bá àwọn ohun èlò SiC mu dáadáa, èyí tí ó ń dín ìtẹ̀sí àti ìfọ́ wafer kù.

3. Iduroṣinṣin Kemika

Iduroṣinṣin labẹ iwọn otutu giga ati awọn oju-aye oriṣiriṣi (H₂, N₂, Ar, NH₃, ati bẹbẹ lọ).
O tayọ resistance oxidation, idilọwọ ibajẹ ati iran patiku.

4. Iṣẹ́ Ìlànà

Oju ilẹ ti o dan ati ti o nipọn dinku idinku ati idoti awọn ohun elo.
Ṣetọju iduroṣinṣin iwọn ati agbara fifuye lẹhin lilo igba pipẹ.

5. Lilo owo daradara

Iṣẹ́ tó gùn ju ti àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz lọ ní ìlọ́po mẹ́ta sí márùn-ún.
Ìwọ̀n ìgbà tí a bá ń tọ́jú rẹ̀ díẹ̀, dín àkókò ìdúró kù àti iye owó ìyípadà kù.

Àwọn ohun èlò ìlò

SiC Epitaxy: Ó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn ohun èlò SiC oníwọ̀n 4-inch, 6-inch, àti 8-inch nígbà tí wọ́n bá ń dàgbà ní ìwọ̀n otútù tó ga.
Ṣíṣe Ẹ̀rọ Agbára: O dara fun SiC MOSFETs, Schottky Barrier Diodes (SBDs), IGBTs, ati awọn ẹrọ miiran.
Ìtọ́jú Ooru: Awọn ilana fifẹ, nitride, ati carbonization.
Ìfàsẹ́yìn àti Ìtànkálẹ̀: Syeed atilẹyin wafer iduroṣinṣin fun ifoyina otutu giga ati itankale.

Àwọn Ìlànà Ìmọ̀-ẹ̀rọ

Ohun kan	Ìlànà ìpele
Ohun èlò	Ohun mímọ́ tó ga jùlọ ni Silikoni Carbide (SiC)
Ìwọ̀n Wafer	4-inch / 6-inch / 8-inch (a le ṣe àtúnṣe)
Iwọn otutu iṣiṣẹ to pọ julọ.	≤ 1800°C
CTE Ìfàsẹ́yìn Ooru	4.2 × 10⁻⁶ /K (tó sún mọ́ SiC substrate)
Ìgbékalẹ̀ Ooru	120–200 W/m·K
Ríru ojú	Ra < 0.2 μm
Ijọra ni afiwe	±0.1 mm
Ìgbésí Ayé Iṣẹ́	≥ 3× gùn ju àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz lọ

Àfiwé: Ọkọ̀ ojú omi Quartz àti Ọkọ̀ ojú omi SiC

Iwọn	Ọkọ̀ ojú omi Quartz	Ọkọ̀ ojú omi SiC
Resistance iwọn otutu	≤ 1200°C, ìyípadà ní ìwọ̀n otútù gíga.	≤ 1800°C, ó dúró ṣinṣin ní ooru
Ibamu CTE pẹlu SiC	Àìbáramu ńlá, ewu wahala wafer	Ti sopọ mọ ara wọn, o dinku fifọ wafer
Ìbàjẹ́ Àwọn Pátákì	Gíga, ó ń mú àwọn ohun àìmọ́ jáde	Oju ilẹ kekere, didan ati kikorò
Ìgbésí Ayé Iṣẹ́	Rírọ́pò kúkúrú, nígbàkúgbà	Gígùn, ọjọ́ ayé gígùn 3–5×
Ilana ti o yẹ	Àkójọpọ̀ Si ti Àṣà	Iṣapeye fun awọn ẹrọ agbara ati awọn ẹrọ SiC epitaxy

Awọn ibeere ti a beere nigbagbogbo - Awọn ọkọ oju omi wafer Silicon Carbide (SiC)

1. Kí ni ọkọ̀ ojú omi SiC wafer?

Ọkọ̀ ojú omi SiC jẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ oníṣẹ́ semiconductor tí a fi silicon carbide tí ó mọ́ tónítóní ṣe. A máa ń lò ó láti mú àti láti gbé àwọn wafers nígbà tí wọ́n bá ń lo àwọn iṣẹ́ igbóná gíga bíi epitaxy, oxidation, diffusion, àti annealing. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz ìbílẹ̀, àwọn ọkọ̀ ojú omi SiC ní ìdúróṣinṣin ooru tí ó ga jùlọ, ìbàjẹ́ díẹ̀, àti ìgbésí ayé iṣẹ́ gígùn.

2. Kí ló dé tí a fi ń yan àwọn ọkọ̀ ojú omi SiC wafer dípò àwọn ọkọ̀ ojú omi quartz?

Agbara iwọn otutu ti o ga julọ: Iduroṣinṣin titi de 1800°C vs. quartz (≤1200°C).
Ibamu CTE ti o dara julọ: Sunmọ awọn ohun elo SiC, o dinku wahala wafer ati fifọ.
Ìṣẹ̀dá àwọn ohun èlò ìpalára kékeré: Oju ti o dan, ti o nipọn dinku idoti.
Ìgbésí ayé gígùn: Ó gùn ju ọkọ̀ ojú omi quartz lọ ní ìgbà mẹ́ta sí márùn-ún, èyí sì dín iye owó tí wọ́n fi ń ra ọkọ̀ kù.

3. Àwọn ìwọ̀n ìwúwo wo ni àwọn ọkọ̀ ojú omi SiC lè gbà?

A pese awọn apẹrẹ boṣewa fun4-inch, 6-inch, ati 8-inchàwọn wafers, pẹ̀lú àtúnṣe pípé tí ó wà láti bá àìní àwọn oníbàárà mu.

4. Nínú àwọn ìlànà wo ni a sábà máa ń lo àwọn ọkọ̀ ojú omi SiC wafer?

Ìdàgbàsókè epitaxial SiC
Ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ amúṣẹ́dá agbára semikondokito (SiC MOSFETs, SBDs, IGBTs)
Fífọ́ omi otutu giga, nitride, ati carbonization
Awọn ilana oxidation ati itankale

Nipa re

XKH jẹ́ amọ̀jọ̀gbọ́n nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga, ìṣẹ̀dá, àti títà àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì optíkì pàtàkì àti àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ gíláàsì tuntun. Àwọn ọjà wa ń ṣiṣẹ́ fún ẹ̀rọ itanna optíkì, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, àti àwọn ológun. A ń pèsè àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ Sapphire optíkì, àwọn ìbòrí lẹ́ǹsì fóònù alágbéká, àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ sémíkà, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, àti àwọn wafers crystal semiconductor. Pẹ̀lú ìmọ̀ tó ní ìmọ̀ àti àwọn ohun èlò tó ti pẹ́, a tayọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò tí kì í ṣe déédé, a ń gbìyànjú láti jẹ́ ilé-iṣẹ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ gíga tó ń lo ohun èlò optoelectronic.