12 inch SiC sobusitireti Diamita 300mm Sisanra 750μm 4H-N Iru le jẹ adani

Apejuwe kukuru:

Ni akoko to ṣe pataki ni iyipada ile-iṣẹ semikondokito si ọna ti o munadoko diẹ sii ati awọn ojutu iwapọ, ifarahan ti 12-inch SiC sobusitireti (sobusitireti ohun alumọni inch 12) ti yi ilẹ-ilẹ pada ni ipilẹ. Akawe si ibile 6-inch ati 8-inch ni pato, awọn ti o tobi-iwọn anfani ti awọn 12-inch sobusitireti mu awọn nọmba ti awọn eerun ti a ṣe fun wafer nipasẹ diẹ ẹ sii ju mẹrin mẹrin. Ni afikun, idiyele ẹyọkan ti sobusitireti SiC inch 12 dinku nipasẹ 35-40% ni akawe si awọn sobusitireti 8-inch aṣa, eyiti o ṣe pataki fun isọdọmọ ni ibigbogbo ti awọn ọja ipari.
Nipa lilo imọ-ẹrọ idagbasoke ọkọ oju-oru ti ohun-ini wa, a ti ṣaṣeyọri iṣakoso iṣakoso ile-iṣẹ lori iwuwo dislocation ni awọn kirisita 12-inch, pese ipilẹ ohun elo alailẹgbẹ fun iṣelọpọ ẹrọ atẹle. Ilọsiwaju yii ṣe pataki ni pataki larin aito chirún agbaye lọwọlọwọ.

Awọn ẹrọ agbara bọtini ni awọn ohun elo lojoojumọ-gẹgẹbi awọn ibudo gbigba agbara iyara EV ati awọn ibudo ipilẹ 5G-n pọ si ni gbigba sobusitireti titobi nla yii. Paapa ni iwọn otutu giga, foliteji giga, ati awọn agbegbe iṣẹ lile miiran, sobusitireti SiC 12-inch ṣe afihan iduroṣinṣin ti o ga julọ ti akawe si awọn ohun elo ti o da lori ohun alumọni.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

Imọ paramita

12 inch Silicon Carbide (SiC) sobusitireti pato
Ipele		ZeroMPD iṣelọpọ Ite(Ipele Z)	Standard Production Ite(P Ite)		Idiwon ite (Ite D)
Iwọn opin		3 00 mm ~ 1305mm
Sisanra	4H-N	750μm± 15 μm	750μm± 25 μm
	4H-SI	750μm± 15 μm	750μm± 25 μm
Wafer Iṣalaye		Pa axis: 4.0° si <1120>±0.5° fun 4H-N, Lori ipo: <0001>±0.5° fun 4H-SI
Iwuwo Micropipe	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
Resistivity	4H-N	0.015 ~ 0.024 Ω · cm			0.015 ~ 0.028 Ω · cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Primary Flat Iṣalaye		{10-10} ±5.0°
Primary Flat Gigun	4H-N	N/A
	4H-SI	Ogbontarigi
Iyasoto eti		3 mm
LTV/TTV/ Teriba / Warp		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Irora		Polish Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Eti dojuijako Nipa Ga kikankikan Light Hex farahan Nipa High kikankikan Light Awọn agbegbe Polytype Nipa Imọlẹ Kikan Giga Visual Erogba Ifisi Silicon Surface Scratches Nipa Giga kikankikan Light		Ko si Agbegbe akojọpọ ≤0.05% Ko si Agbegbe akojọpọ ≤0.05% Ko si			Akopọ ipari ≤ 20 mm, ipari kan≤2 mm Agbegbe akojọpọ ≤0.1% Agbegbe akojọpọ≤3% Agbegbe akojọpọ ≤3% Àkópọ̀ gígùn≤1×ìwọ̀n òpin wafer
Awọn eerun eti Nipa Imọlẹ Imọlẹ giga		Ko si idasilẹ ≥0.2mm fifẹ ati ijinle			7 laaye, ≤1 mm kọọkan
(TSD) Threading dabaru dislocation		≤500 cm-2		N/A
(BPD) Ipilẹ ofurufu dislocation		≤1000 cm-2		N/A
Ohun alumọni dada kontaminesonu Nipa High kikankikan Light		Ko si
Iṣakojọpọ		Kasẹti-wafer pupọ Tabi Apoti Wafer Nikan
Awọn akọsilẹ:
1 Awọn opin awọn abawọn lo si gbogbo oju wafer ayafi fun agbegbe iyasoto eti. 2Awọn idọti yẹ ki o ṣayẹwo lori oju Si nikan. 3 Awọn data dislocation jẹ nikan lati KOH etched wafers.

Key Awọn ẹya ara ẹrọ

1.Production Agbara ati Awọn anfani Iye owo: Iṣelọpọ pupọ ti 12-inch SiC substrate (12-inch silicon carbide substrate) jẹ ami akoko tuntun ni iṣelọpọ semikondokito. Nọmba awọn eerun ti o gba lati wafer ẹyọkan de awọn akoko 2.25 ti awọn sobusitireti 8-inch, wiwakọ fifo taara ni ṣiṣe iṣelọpọ. Awọn esi alabara tọkasi pe gbigba awọn sobusitireti 12-inch ti dinku awọn idiyele iṣelọpọ module agbara wọn nipasẹ 28%, ṣiṣẹda anfani ifigagbaga ipinnu ni ọja ti njijadu lile.
2.Outstanding Physical Properties: Awọn 12-inch SiC sobusitireti jogun gbogbo awọn anfani ti silikoni carbide ohun elo - awọn oniwe-gbona elekitiriki ni 3 igba ti ohun alumọni, nigba ti awọn oniwe- didenukole aaye agbara Gigun 10 igba ti ohun alumọni. Awọn abuda wọnyi jẹ ki awọn ẹrọ ti o da lori awọn sobusitireti 12-inch ṣiṣẹ ni iduroṣinṣin ni awọn agbegbe iwọn otutu ti o ga ju 200 ° C, ṣiṣe wọn ni pataki ni pataki fun awọn ohun elo ibeere gẹgẹbi awọn ọkọ ina.
3.Surface Treatment Technology: A ti ṣe agbekalẹ ilana polishing kemikali aramada kan (CMP) pataki fun 12-inch SiC sobsitireti, iyọrisi ipele ipele atomiki (Ra <0.15nm). Aṣeyọri yii yanju ipenija agbaye ti itọju dada ohun alumọni carbide wafer iwọn ila opin nla, imukuro awọn idiwọ fun idagbasoke epitaxial didara ga.
4.Thermal Management Performance: Ni awọn ohun elo ti o wulo, 12-inch SiC substrates ṣe afihan awọn agbara ifasilẹ ooru ti o ṣe pataki. Awọn data idanwo fihan pe labẹ iwuwo agbara kanna, awọn ẹrọ ti o nlo awọn sobusitireti 12-inch ṣiṣẹ ni awọn iwọn otutu 40-50 ° C ni isalẹ ju awọn ohun elo ti o da lori ohun alumọni, ti o fa igbesi aye iṣẹ ohun elo ni pataki.

Awọn ohun elo akọkọ

1.New Energy Vehicle Ecosystem: Awọn 12-inch SiC sobusitireti (12-inch silikoni carbide sobsitireti) ti wa ni revolutionizing ina ti nše ọkọ powertrain faaji. Lati awọn ṣaja inu (OBC) si awọn oluyipada awakọ akọkọ ati awọn eto iṣakoso batiri, awọn ilọsiwaju ṣiṣe ti o mu nipasẹ awọn sobusitireti 12-inch pọ si ibiti ọkọ ayọkẹlẹ nipasẹ 5-8%. Awọn ijabọ lati ọdọ oluṣe adaṣe oludari kan tọka pe gbigba awọn sobusitireti inch 12 wa dinku pipadanu agbara ninu eto gbigba agbara iyara wọn nipasẹ iwunilori 62%.
2.Renewable Energy Sector: Ni awọn ibudo agbara fọtovoltaic, awọn inverters ti o da lori 12-inch SiC substrates kii ṣe awọn ẹya fọọmu ti o kere ju ṣugbọn tun ṣe aṣeyọri ṣiṣe iyipada ti o kọja 99%. Paapa ni awọn oju iṣẹlẹ iran pinpin, ṣiṣe giga yii tumọ si awọn ifowopamọ ọdọọdun ti awọn ọgọọgọrun egbegberun yuan ni awọn adanu ina fun awọn oniṣẹ.
3.Industrial Automation: Awọn oluyipada igbohunsafẹfẹ ti nlo awọn ohun elo 12-inch ṣe afihan iṣẹ ti o dara julọ ni awọn roboti ile-iṣẹ, awọn irinṣẹ ẹrọ CNC, ati awọn ohun elo miiran. Awọn abuda iyipada-igbohunsafẹfẹ giga wọn mu iyara idahun mọto pọ si nipasẹ 30% lakoko ti o dinku kikọlu itanna si idamẹta ti awọn solusan aṣa.
4.Consumer Electronics Innovation: Next-iran foonuiyara sare-gbigba agbara imo ero ti bere si gba 12-inch SiC sobsitireti. O jẹ iṣẹ akanṣe pe awọn ọja gbigba agbara ni iyara loke 65W yoo yipada ni kikun si awọn ipinnu ohun alumọni ohun alumọni, pẹlu awọn sobusitireti 12-inch ti n yọ jade bi yiyan iṣẹ ṣiṣe idiyele to dara julọ.

Awọn iṣẹ adani XKH fun 12-inch SiC Substrate

Lati pade awọn ibeere kan pato fun awọn sobusitireti SiC-inch 12 (awọn sobusitireti ohun alumọni silikoni 12-inch), XKH nfunni ni atilẹyin iṣẹ okeerẹ:
1.Sisanra isọdi:
A pese awọn sobusitireti 12-inch ni ọpọlọpọ awọn pato sisanra pẹlu 725μm lati pade awọn iwulo ohun elo oriṣiriṣi.
2.Doping fojusi:
Iṣẹ iṣelọpọ wa ṣe atilẹyin awọn iru iṣe adaṣe lọpọlọpọ pẹlu iru n-iru ati awọn sobusitireti iru p, pẹlu iṣakoso resistivity kongẹ ni iwọn 0.01-0.02Ω · cm.
3.Awọn iṣẹ idanwo:
Pẹlu ohun elo idanwo ipele wafer pipe, a pese awọn ijabọ ayewo ni kikun.
XKH loye pe alabara kọọkan ni awọn ibeere alailẹgbẹ fun awọn sobusitireti SiC 12-inch. Nitorinaa a nfunni awọn awoṣe ifowosowopo iṣowo rọ lati pese awọn solusan ifigagbaga julọ, boya fun:
· R&D awọn ayẹwo
· Awọn rira iṣelọpọ iwọn didun
Awọn iṣẹ adani wa rii daju pe a le pade imọ-ẹrọ kan pato ati awọn iwulo iṣelọpọ fun awọn sobusitireti SiC-inch 12.