200mm 8inch GaN lórí ìsàmì epo onípele Epi-layer
Ifihan ọja
Ohun èlò GaN-on-Sapphire tó ní ìwọ̀n 8-inch jẹ́ ohun èlò semiconductor tó ní agbára gíga tí a fi ìpele Gallium Nitride (GaN) tí a gbìn sórí ìpele Sapphire ṣe. Ohun èlò yìí ní àwọn ohun èlò ìrìnnà ẹ̀rọ itanna tó dára gan-an, ó sì dára fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ semiconductor tó ní agbára gíga àti agbára gíga.
Ọ̀nà Ṣíṣe Ẹ̀rọ
Ilana iṣelọpọ naa ni idagbasoke epitaxial ti fẹlẹfẹlẹ GaN lori ipilẹ Sapphire nipa lilo awọn imuposi ilọsiwaju gẹgẹbi awọn deposition irin-organic kemikali vapor (MOCVD) tabi molecular beam epitaxy (MBE). A ṣe deposition naa labẹ awọn ipo iṣakoso lati rii daju pe didara kristali giga ati iṣọkan fiimu naa.
Àwọn ohun èlò ìlò
Apá GaN-on-Sapphire tó jẹ́ inṣi 8 náà rí àwọn ohun èlò tó gbòòrò ní onírúurú ẹ̀ka bíi ìbánisọ̀rọ̀ nínú microwave, àwọn ẹ̀rọ radar, ìmọ̀ ẹ̀rọ alailowaya, àti optoelectronics. Díẹ̀ lára àwọn ohun èlò tó wọ́pọ̀ ni:
1. Àwọn amúgbá agbára RF
2. Ile-iṣẹ ina LED
3. Awọn ẹrọ ibaraẹnisọrọ nẹtiwọọki alailowaya
4. Awọn ẹrọ itanna fun awọn agbegbe iwọn otutu giga
5. Oawọn ẹrọ itanna pto
Àwọn Ìlànà Ọjà
-Ìwọ̀n: Ìwọ̀n ìsàlẹ̀ náà jẹ́ 8 inches (200 mm) ní ìwọ̀n ìlà.
- Dídára Ilẹ̀: A mú kí ojú ilẹ̀ náà mọ́lẹ̀ dáadáa, ó sì ní dídára bíi dígí tó dára.
- Sisanra: A le ṣe akanṣe sisanra fẹlẹfẹlẹ GaN ni ibamu si awọn ibeere kan pato.
- Àpò: A fi àwọn ohun èlò tí kò ní ìyípadà dí ohun èlò náà dáadáa láti dènà ìbàjẹ́ nígbà tí a bá ń gbé e lọ.
- Itọnisọna Alapin: Substrate naa ni alapin itọsọna kan pato lati ṣe iranlọwọ ni tito wafer ati mimu lakoko awọn ilana iṣelọpọ ẹrọ.
- Awọn paramita miiran: Awọn pato ti sisanra, resistance, ati ifọkansi dopant le ṣe deede gẹgẹbi awọn ibeere alabara.
Pẹ̀lú àwọn ohun ìní ohun èlò tó ga jùlọ àti àwọn ohun èlò tó lè ṣiṣẹ́ dáadáa, GaN-on-Sapphire oníwọ̀n 8-inch jẹ́ àṣàyàn tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ semiconductor tó ní agbára gíga ní onírúurú ilé iṣẹ́.
Yàtọ̀ sí GaN-On-Sapphire, a tún lè ṣe ìfilọ́lẹ̀ àwọn ohun èlò agbára, ìdílé ọjà náà ní àwọn wafers epitaxial AlGaN/GaN-on-Si 8-inch àti àwọn wafers epitaxial AlGaN/GaN-on-Si 8-inch P-cap AlGaN/GaN-on-Si 8-inch. Ní àkókò kan náà, a ṣe àtúnṣe sí lílo ìmọ̀-ẹ̀rọ epitaxial GaN 8-inch ti ara rẹ̀ nínú pápá máíkrówéfù, a sì ṣe àgbékalẹ̀ wafer epitaxy AlGaN/GAN-on-HR Si 8-inch tí ó so iṣẹ́ gíga pọ̀ mọ́ ìwọ̀n ńlá, owó díẹ̀ àti ìbáramu pẹ̀lú ìṣiṣẹ́ ẹ̀rọ 8-inch boṣewa. Ní àfikún sí gallium nitride tí a fi silicon ṣe, a tún ní ìlà ọjà ti àwọn wafers epitaxial AlGaN/GaN-on-SiC láti bá àìní àwọn oníbàárà mu fún àwọn ohun èlò epitaxial gallium nitride tí a fi silicon ṣe.
Àwòrán Àlàyé
