Ẹ̀rọ ìwádìí ìmọ́lẹ̀ APD onípele méjì ínṣì 3ínṣì 4ínṣì InP epitaxial wafer substrate fún ìbánisọ̀rọ̀ optic fiber optic tàbí LiDAR
Awọn ẹya pataki ti iwe epitaxial laser InP pẹlu
1. Àwọn ànímọ́ àlàfo ìpele: InP ní àlàfo ìpele tóóró, èyí tó yẹ fún wíwá ìmọ́lẹ̀ infurarẹẹdi ìgbì gígùn, pàápàá jùlọ ní ìwọ̀n àlàfo ìpele 1.3μm sí 1.5μm.
2. Iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ojú: Fíìmù epitaxial InP ní iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ojú tó dára, bíi agbára ìmọ́lẹ̀ àti iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ojú ìta ní oríṣiríṣi ìgbì omi. Fún àpẹẹrẹ, ní 480 nm, agbára ìmọ́lẹ̀ àti iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ojú ìta jẹ́ 11.2% àti 98.8%, ní ìtẹ̀léra.
3. Ìyípadà àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́: Àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ InP (NPs) máa ń fi ìhùwàsí ìbàjẹ́ onípele méjì hàn nígbà ìdàgbàsókè epitaxial. Àkókò ìbàjẹ́ kíákíá ni a ń sọ nípa abẹ́rẹ́ ohun èlò ìṣiṣẹ́ sínú ìpele InGaAs, nígbà tí àkókò ìbàjẹ́ lọ́ra ní í ṣe pẹ̀lú àtúnṣe ohun èlò ìṣiṣẹ́ nínú àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ InP.
4. Àwọn ànímọ́ ìgbóná gíga: Ohun èlò kanga AlGaInAs/InP ní iṣẹ́ tó dára ní ìgbóná gíga, èyí tó lè dènà ìṣàn omi dáadáa, tó sì lè mú kí ìwọ̀n otútù gíga ti lésà náà sunwọ̀n sí i.
5. Ilana iṣelọpọ: A maa n gbin awọn iwe epitaxial InP lori ipilẹ nipasẹ imọ-ẹrọ molikula beam epitaxy (MBE) tabi imọ-ẹrọ vapor chemical deposition (MOCVD) irin-organic lati ṣaṣeyọri awọn fiimu ti o ni didara giga.
Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí mú kí àwọn wafers epitaxial laser InP ní àwọn ohun èlò pàtàkì nínú ìbánisọ̀rọ̀ okùn opitika, ìpínkiri bọtini kuatomu àti wíwá opitika latọna jijin.
Awọn lilo akọkọ ti awọn tabulẹti epitaxial laser InP ni
1. Àwọn fọ́tòníkì: Àwọn lésà àti àwọn ohun èlò ìwádìí InP ni a lò ní ibi ìbánisọ̀rọ̀ optical, àwọn ibi ìwádìí dátà, àwòrán infrared, bíometrics, 3D sensing àti LiDAR.
2. Ibaraẹnisọrọ: Awọn ohun elo InP ni awọn ohun elo pataki ninu iṣọpọ iwọn nla ti awọn lesa gigun-igbi ti o da lori silikoni, paapaa ninu ibaraẹnisọrọ okun opitika.
3. Àwọn lésà infrared: Lílo àwọn lésà quantum well tí ó dá lórí InP nínú ìlà infrared àárín (bíi 4-38 microns), pẹ̀lú ìmọ́tótó gaasi, ìwádìí ìbúgbàù àti àwòrán infrared.
4. Silicon photonics: Nípasẹ̀ ìmọ̀-ẹ̀rọ ìṣọ̀kan onírúurú, a gbé InP lesa sí orí ohun èlò tí a fi silicon ṣe láti ṣẹ̀dá pẹpẹ ìṣọ̀kan silicon optoelectronic oníṣẹ́-ọnà.
5. Àwọn lésà tó ń ṣiṣẹ́ dáadáa: Àwọn ohun èlò InP ni a ń lò láti ṣe àwọn lésà tó ń ṣiṣẹ́ gíga, bíi lésà transistor InGaAsP-InP pẹ̀lú ìgbì ìwọ̀n 1.5 microns.
XKH n pese awọn wafers epitaxial InP ti a ṣe adani pẹlu awọn eto ati sisanra oriṣiriṣi, ti o bo ọpọlọpọ awọn ohun elo bii ibaraẹnisọrọ opitika, awọn sensọ, awọn ibudo ipilẹ 4G/5G, ati bẹbẹ lọ. Awọn ọja XKH ni a ṣe ni lilo awọn ohun elo MOCVD ti o ni ilọsiwaju lati rii daju pe iṣẹ giga ati igbẹkẹle ga. Ni awọn ofin ti awọn iṣẹ akanṣe, XKH ni ọpọlọpọ awọn ikanni orisun kariaye, o le ṣakoso nọmba awọn aṣẹ ni irọrun, ati pese awọn iṣẹ afikun-iye bi tinrin, pipin, ati bẹbẹ lọ. Awọn ilana ifijiṣẹ ti o munadoko rii daju pe ifijiṣẹ ni akoko ati pade awọn ibeere alabara fun didara ati awọn akoko ifijiṣẹ. Lẹhin dide, awọn alabara le gba atilẹyin imọ-ẹrọ pipe ati iṣẹ lẹhin-tita lati rii daju pe a lo ọja naa laisiyonu.
Àwòrán Àlàyé



