2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Double didan Conductive Prime Ite Mos Ite

2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Double didan Conductive NOMBA Ite Mos Ite Ifihan Aworan

Apejuwe kukuru:

6H n-type Silicon Carbide (SiC) sobusitireti ẹyọkan jẹ ohun elo semikondokito pataki ti a lo ni lilo pupọ ni agbara giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ohun elo itanna iwọn otutu giga. Olokiki fun ẹya-ara okuta hexagonal hexagonal, 6H-N SiC nfunni ni bandgap jakejado ati adaṣe igbona giga, ti o jẹ ki o jẹ apẹrẹ fun awọn agbegbe ibeere.
Ohun elo yi ti ga didenukole aaye ina ati arinbo elekitironi jeki awọn idagbasoke ti daradara agbara itanna awọn ẹrọ, gẹgẹ bi awọn MOSFETs ati IGBTs, ti o le ṣiṣẹ ni ti o ga foliteji ati awọn iwọn otutu ju eyi ti ṣe lati ibile ohun alumọni. Imudara gbigbona ti o dara julọ ṣe idaniloju ifasilẹ ooru ti o munadoko, pataki fun mimu iṣẹ ṣiṣe ati igbẹkẹle ninu awọn ohun elo agbara-giga.
Ninu awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ redio (RF), awọn ohun-ini 6H-N SiC ṣe atilẹyin ẹda awọn ẹrọ ti o lagbara lati ṣiṣẹ ni awọn igbohunsafẹfẹ giga pẹlu imudara ilọsiwaju. Iduroṣinṣin kemikali rẹ ati atako si itankalẹ tun jẹ ki o dara fun lilo ni awọn agbegbe lile, pẹlu aaye afẹfẹ ati awọn apa aabo.
Pẹlupẹlu, awọn sobusitireti 6H-N SiC jẹ pataki si awọn ẹrọ optoelectronic, gẹgẹbi awọn olutọpa fọto ultraviolet, nibiti bandgap jakejado wọn ngbanilaaye fun wiwa ina UV to munadoko. Apapọ awọn ohun-ini wọnyi jẹ ki 6H n-type SiC jẹ ohun elo ti o wapọ ati ohun elo ti ko ṣe pataki ni ilọsiwaju itanna igbalode ati awọn imọ-ẹrọ optoelectronic.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

Awọn atẹle jẹ awọn abuda ti wafer silikoni carbide:

· Orukọ ọja: SiC Substrate
· Hexagonal Be: Alailẹgbẹ itanna-ini.
· Giga Electron Mobility: ~ 600 cm²/V·s.
· Iduroṣinṣin Kemikali: Sooro si ipata.
· Resistance Radiation: Dara fun awọn agbegbe lile.
· Ifojusi Olukọni Ilẹ-inu Kekere: Ṣiṣe ni awọn iwọn otutu giga.
· Agbara: Awọn ohun-ini ẹrọ ti o lagbara.
· Agbara Optoelectronic: Iwari ina UV ti o munadoko.

Silikoni carbide wafer ni awọn ohun elo pupọ

Awọn ohun elo wafer SiC:
Awọn sobusitireti SiC (Silicon Carbide) ni a lo ni ọpọlọpọ awọn ohun elo iṣẹ ṣiṣe giga nitori awọn ohun-ini alailẹgbẹ wọn gẹgẹbi iṣiṣẹ igbona giga, agbara aaye ina giga, ati bandgap jakejado. Eyi ni diẹ ninu awọn ohun elo:

1.Power Electronics:
Awọn MOSFET giga-giga
IGBTs (Ẹnubodè Bipolar Transistors ti o ya sọtọ)
· Schottky diodes
· Awọn oluyipada agbara

2.High-Igbohunsafẹfẹ Awọn ẹrọ:
· RF (Redio Igbohunsafẹfẹ) amplifiers
Awọn transistors Microwave
· Milimita-igbi awọn ẹrọ

3.High-Temperature Electronics:
· Awọn sensọ ati awọn iyika fun awọn agbegbe lile
· Ofurufu itanna
· Awọn ẹrọ itanna mọto (fun apẹẹrẹ, awọn ẹya iṣakoso ẹrọ)

4.Optoelectronics:
· Ultraviolet (UV) fotodetectors
Awọn diodes ti njade ina (Awọn LED)
· lesa diodes

5.Awọn ọna agbara isọdọtun:
· Oorun inverters
· Awọn oluyipada tobaini afẹfẹ
· Itanna ti nše ọkọ powertrains

6.Industrial ati olugbeja:
· Reda awọn ọna šiše
· Awọn ibaraẹnisọrọ satẹlaiti
· Ohun elo riakito iparun

SiC wafer isọdi

A le ṣe iwọn ti sobusitireti SiC lati pade awọn ibeere rẹ pato. A tun nfun wafer 4H-Semi HPSI SiC pẹlu iwọn 10x10mm tabi 5x5 mm.
Iye owo naa jẹ ipinnu nipasẹ ọran naa, ati pe awọn alaye apoti le jẹ adani si ayanfẹ rẹ.
Akoko ifijiṣẹ wa laarin awọn ọsẹ 2-4. A gba owo sisan nipasẹ T/T.
Ile-iṣẹ wa ti ni ilọsiwaju ohun elo iṣelọpọ ati ẹgbẹ imọ-ẹrọ, eyiti o le ṣe akanṣe ọpọlọpọ awọn pato, awọn sisanra ati awọn apẹrẹ ti wafer SiC ni ibamu si awọn ibeere kan pato ti awọn alabara.