2Inch 6H-N Silicon Carbide Substrate Sic Wafer Double Conductive Prime Grade Mos Grade

Ohun èlò onígun mẹ́rìnlá Silicon Carbide (SiC) tí ó jẹ́ 6H n-type jẹ́ ohun èlò onígun mẹ́rin tí a ń lò fún àwọn ohun èlò oníná tí ó ní agbára gíga, ìgbóná gíga, àti ìgbóná gíga. Nítorí pé ó jẹ́ olókìkí fún ìṣètò kirisita onígun mẹ́rin rẹ̀, 6H-N SiC ní ìwọ̀n ìpele gígùn àti agbára ìgbóná gíga, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn àyíká tí ó nílò ìrànlọ́wọ́.
Agbára iná mànàmáná tó ń bàjẹ́ gan-an àti ìṣíkiri elekitironi tí ohun èlò yìí ní mú kí ó ṣeé ṣe láti ṣe àwọn ẹ̀rọ itanna tó lágbára, bíi MOSFETs àti IGBTs, tí ó lè ṣiṣẹ́ ní voltage àti otutu tó ga ju àwọn tí a fi silicon ìbílẹ̀ ṣe lọ. Ìṣiṣẹ́ ooru tó dára rẹ̀ ń mú kí ooru tú jáde lọ́nà tó múná dóko, èyí tó ṣe pàtàkì fún mímú iṣẹ́ àti ìgbẹ́kẹ̀lé dúró nínú àwọn ohun èlò agbára gíga.
Nínú àwọn ohun èlò ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ rédíò (RF), àwọn ànímọ́ 6H-N SiC ń ṣètìlẹ́yìn fún ṣíṣẹ̀dá àwọn ẹ̀rọ tí ó lè ṣiṣẹ́ ní àwọn ìgbóhùnsáfẹ́fẹ́ gíga pẹ̀lú ìmúṣẹ tí ó dára síi. Ìdúróṣinṣin kẹ́míkà rẹ̀ àti ìdènà sí ìtànṣán rẹ̀ tún mú kí ó dára fún lílò ní àwọn àyíká líle koko, títí kan àwọn ẹ̀ka afẹ́fẹ́ àti ààbò.
Síwájú sí i, àwọn ohun èlò 6H-N SiC jẹ́ pàtàkì nínú àwọn ẹ̀rọ optoelectronic, bí àwọn photodetectors ultraviolet, níbi tí bandgap wọn tí ó gbòòrò ti gba ààyè láti rí ìmọ́lẹ̀ UV tí ó munadoko. Àpapọ̀ àwọn ohun-ìní wọ̀nyí mú kí 6H n-type SiC jẹ́ ohun èlò tí ó wọ́pọ̀ tí ó sì ṣe pàtàkì nínú ìlọsíwájú àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ itanna àti optoelectronic òde òní.