Wafer Silikoni Carbide 2inch 6H-N Iru Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm Sisanra

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ọ̀pọ̀lọpọ̀ onírúurú polymorph ló wà nínú silicon carbide àti 6H silicon carbide jẹ́ ọ̀kan lára ​​àwọn polymorph tó fẹ́rẹ̀ẹ́ tó 200. 6H silicon carbide ni àwọn àtúnṣe tó wọ́pọ̀ jùlọ fún silicon carbide fún àwọn ohun tí wọ́n ń ṣe. Àwọn wafer silicon carbide 6H ṣe pàtàkì jùlọ. A lè lò wọ́n gẹ́gẹ́ bí semiconductors. A ń lò ó ní gbogbogbòò nínú àwọn irinṣẹ́ abrasive àti gígé bíi gígé disiki nítorí pé ó lágbára tó àti pé owó rẹ̀ kéré. A ń lò ó nínú àwọn ohun ìjà ara onípele òde òní àti àwọn aṣọ ìbora tí kò ní ìbọn. A tún ń lò ó nínú ilé iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ níbi tí a ti ń ṣe àwọn disiki brake. Nínú àwọn ohun èlò ìfọ́mọ́ ńlá, a ń lò ó láti mú àwọn irin yíyọ́ nínú àwọn crucibles. Lílò rẹ̀ nínú àwọn ohun èlò iná mànàmáná àti ẹ̀rọ itanna jẹ́ ohun tí a mọ̀ dáadáa débi pé kò nílò àríyànjiyàn kankan. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, a ń lò ó nínú àwọn ẹ̀rọ itanna power, LED, astronomy, thin filament pyrometry, jewelry, graphene àti irin ṣíṣe, àti gẹ́gẹ́ bí catalyst. A ń fúnni ní àwọn wafer silicon carbide 6H pẹ̀lú dídára tó yàtọ̀ àti 99.99%.


Àwọn ẹ̀yà ara

Àwọn ànímọ́ wafer silikoni carbide wọ̀nyí ni:

1. Wafer Silicon carbide (SiC) ní àwọn agbára iná mànàmáná tó dára àti àwọn agbára ooru tó dára. Wafer Silicon carbide (SiC) ní ìfẹ̀ ooru tó kéré.

2. Wafer Silicon carbide (SiC) ní àwọn ànímọ́ líle tó ga jùlọ. Wafer Silicon carbide (SiC) ń ṣiṣẹ́ dáadáa ní àwọn iwọ̀n otútù gíga.

3. Wafer Silicon carbide (SiC) ní agbára gíga láti kojú ìbàjẹ́, ìfọ́ àti ìfọ́sídájú. Ní àfikún sí, wafer silicon carbide (SiC) tún ń tàn ju àwọn dáyámọ́ńdì tàbí cubic zirconia lọ.

4. Ìdènà ìtànṣán tó dára jù: Àwọn wafer SIC ní ìdènà ìtànṣán tó lágbára jù, èyí tó mú kí wọ́n dára fún lílò ní àyíká ìtànṣán. Àpẹẹrẹ ni ọkọ̀ òfurufú àti àwọn ohun èlò amúlétutù.
5. Líle gíga: Àwọn wafer SIC le ju silicon lọ, èyí tí ó mú kí àwọn wafer le pẹ́ nígbà tí a bá ń ṣe é.

6. Ìyípadà dielectric tó kéré síi: Ìyípadà dielectric ti àwọn wafers SIC kéré sí ti silicon, èyí tó ń dín agbára parasitic nínú ẹ̀rọ náà kù àti láti mú kí iṣẹ́ ìgbóná gíga sunwọ̀n síi.

Wafer silikoni carbide ni ọpọlọpọ awọn ohun elo

A nlo SiC fun ṣiṣe awọn ẹrọ agbara giga ati agbara giga gẹgẹbi awọn diode, awọn transistors agbara, ati awọn ẹrọ makirowefu agbara giga. Ti a ba fiwe si awọn ẹrọ Si-iṣaju, awọn ẹrọ agbara ti o da lori SiC ni iyara iyipada yiyara awọn foliteji giga, awọn resistance parasitic kekere, iwọn kekere, ati itutu kekere ti ko nilo nitori agbara iwọn otutu giga.
Nígbà tí Silikoni carbide (SiC-6H) - 6H wafer ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ itanna tó ga jùlọ, silikoni carbide (SiC-6H) - 6H wafer ni a ṣe ní ọ̀nà tó rọrùn jùlọ tí a sì lè kẹ́kọ̀ọ́ rẹ̀ dáadáa.
1.Agbara Electronics: A nlo awọn Wafers Silicon Carbide ninu iṣelọpọ Power Electronics, eyiti a nlo ni ọpọlọpọ awọn ohun elo, pẹlu awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, awọn eto agbara isọdọtun, ati awọn ẹrọ ile-iṣẹ. Agbara giga ti o gbona ati pipadanu agbara kekere ti Silicon Carbide jẹ ki o jẹ ohun elo ti o dara julọ fun awọn ohun elo wọnyi.
2.Ìmọ́lẹ̀ LED: A ń lo àwọn wafers Silicon Carbide nínú iṣẹ́dá ìmọ́lẹ̀ LED. Agbára gíga ti Silicon Carbide mú kí ó ṣeé ṣe láti ṣe àwọn LED tí ó pẹ́ ju àwọn orísun ìmọ́lẹ̀ ìbílẹ̀ lọ.
3. Àwọn Ẹ̀rọ Semiconductor: A ń lo àwọn Wafers Silicon Carbide nínú iṣẹ́dá Àwọn Ẹ̀rọ Semiconductor, èyí tí a ń lò fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìlò, títí bí ìbánisọ̀rọ̀, kọ̀mpútà, àti ẹ̀rọ itanna oníbàárà. Ìwọ̀n ooru gíga àti pípadánù agbára kékeré ti Silicon Carbide mú kí ó jẹ́ ohun èlò tó dára jùlọ fún àwọn ìlò wọ̀nyí.
4. Àwọn Sẹ́ẹ̀lì Oòrùn: A ń lo àwọn Wafers Silicon Carbide nínú ìṣẹ̀dá Àwọn Sẹ́ẹ̀lì Oòrùn. Agbára gíga ti Silicon Carbide mú kí ó ṣeé ṣe láti ṣe Àwọn Sẹ́ẹ̀lì Oòrùn tí ó pẹ́ jù àti tí ó pẹ́ ju Àwọn Sẹ́ẹ̀lì Oòrùn ìbílẹ̀ lọ.
Ni gbogbogbo, ZMSH Silicon Carbide Wafer jẹ́ ọjà tó ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ nǹkan tó sì ní ìpele tó ga tí a lè lò fún onírúurú ohun èlò. Ìfaradà ooru tó ga, pípadánù agbára tó kéré, àti agbára gíga rẹ̀ mú kí ó jẹ́ ohun èlò tó dára fún àwọn ẹ̀rọ itanna tó ní ìgbóná àti agbára gíga. Pẹ̀lú Bow/Warp ti ≤50um, Surface Roughness ti ≤1.2nm, àti Resistivity ti High/Low Resistivity, Silicon Carbide Wafer jẹ́ àṣàyàn tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé àti tó gbéṣẹ́ fún èyíkéyìí ohun èlò tó bá nílò ojú ilẹ̀ tó tẹ́jú àti dídán.
Ọjà SiC Substrate wa wa pẹlu atilẹyin imọ-ẹrọ pipe ati awọn iṣẹ lati rii daju pe iṣẹ ṣiṣe to dara julọ ati itẹlọrun alabara.
Àwọn ògbóǹtarìgì wa wà láti ran àwọn ènìyàn lọ́wọ́ láti yan ọjà, láti fi sori ẹ̀rọ, àti láti yanjú ìṣòro.
A n pese ikẹkọ ati ẹkọ lori lilo ati itọju awọn ọja wa lati ṣe iranlọwọ fun awọn alabara wa lati mu idoko-owo wọn pọ si.
Ni afikun, a n pese awọn imudojuiwọn ati awọn ilọsiwaju ọja ti nlọ lọwọ lati rii daju pe awọn alabara wa nigbagbogbo ni iwọle si imọ-ẹrọ tuntun.

Àwòrán Àlàyé

4
5
6

  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Kọ ifiranṣẹ rẹ si ibi ki o fi ranṣẹ si wa