6 inches GaN-On-Sapphire
150mm 6inch GaN lórí Silicon/Sapphire/SiC Wafer Epi-layer Gallium nitride wafer epitaxial
Wafer sapphire substrate 6-inch jẹ́ ohun èlò semiconductor tó dára tó ní àwọn fẹlẹfẹlẹ gallium nitride (GaN) tí a gbìn sórí sapphire substrate. Ohun èlò náà ní àwọn ànímọ́ ìrìnnà ẹ̀rọ itanna tó dára gan-an, ó sì dára fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ semiconductor tó ní agbára gíga àti agbára gíga.
Ọ̀nà ìṣelọ́pọ́: Ìlànà ìṣelọ́pọ́ náà ní í ṣe pẹ̀lú gbígbin àwọn ìpele GaN lórí ìpìlẹ̀ sapphire nípa lílo àwọn ọ̀nà ìlọsíwájú bíi metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) tàbí molecular beam epitaxy (MBE). Ìlànà ìṣelọ́pọ́ náà ni a ń ṣe lábẹ́ àwọn ipò ìṣàkóso láti rí i dájú pé kristali náà dára tó àti pé fíìmù kan náà ni ó wà.
Àwọn ohun èlò GaN-On-Sapphire 6inch: Àwọn ègé ìṣàpẹẹrẹ sapphire 6-inch ni a lò ní gbígbòòrò nínú ìbánisọ̀rọ̀ makirowefu, àwọn ètò radar, ìmọ̀-ẹ̀rọ alailowaya àti optoelectronics.
Diẹ ninu awọn ohun elo ti o wọpọ pẹlu
1. Amúṣiṣẹ́ agbára Rf
2. Ile-iṣẹ ina LED
3. Ohun elo ibaraẹnisọrọ nẹtiwọọki alailowaya
4. Awọn ẹrọ itanna ni ayika iwọn otutu giga
5. Àwọn ẹ̀rọ optoelectronic
Àwọn ìlànà ọjà
- Ìwọ̀n: Ìwọ̀n ìsàlẹ̀ náà jẹ́ 6 inches (tó tó 150 mm).
- Dídára ojú ilẹ̀: A ti ṣe àtúnṣe ojú ilẹ̀ náà dáadáa láti pèsè dídára dígí tó dára.
- Sisanra: A le ṣe àtúnṣe sisanra ti fẹlẹfẹlẹ GaN gẹgẹbi awọn ibeere kan pato.
- Àpò: A fi àwọn ohun èlò tí kò ní ìyípadà kún ilẹ̀ náà dáadáa láti dènà ìbàjẹ́ nígbà tí a bá ń gbé e lọ.
- Awọn eti ipo: Substrate naa ni awọn eti ipo pato ti o mu ki o rọrun lati ṣe deede ati ṣiṣẹ lakoko igbaradi ẹrọ.
- Awọn paramita miiran: A le ṣatunṣe awọn paramita pato bi tinrin, resistance ati ifọkansi doping gẹgẹbi awọn ibeere alabara.
Pẹ̀lú àwọn ohun ìní ohun èlò tí ó ga jùlọ àti onírúurú ìlò wọn, àwọn wafers onípele 6-inch jẹ́ àṣàyàn tí ó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé fún ìdàgbàsókè àwọn ẹ̀rọ semiconductor tí ó ní iṣẹ́ gíga ní onírúurú ilé iṣẹ́.
| Sàbìtì | 6” 1mm <111> irú p Si | 6” 1mm <111> irú p Si |
| Epi NipọnApapọ | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Ọrun tẹríba | +/- 45um | +/- 45um |
| Fífọ́ | <5mm | <5mm |
| BV inaro | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| Nínípọn HEMT | 20-30nm | 20-30nm |
| Fila Insitu SiN | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG conc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Ìṣíkiri | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Àwòrán Àlàyé
