Wafer onírun HPSI SiC 6inch Silicon Carbide Àwọn wafer SiC onírun tí ó ń fi ẹ̀gàn bò

Àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè lọ́wọ́lọ́wọ́ fún SiC single crystal ní àwọn mẹ́ta wọ̀nyí: ọ̀nà ìpele omi, ọ̀nà ìdènà afẹ́fẹ́ kẹ́míkà gíga, àti ọ̀nà ìrìnnà afẹ́fẹ́ ti ara (PVT). Lára wọn, ọ̀nà PVT ni ìmọ̀-ẹ̀rọ tí a ṣe ìwádìí jùlọ àti tí ó dàgbà jùlọ fún ìdàgbàsókè afẹ́fẹ́ kan ṣoṣo ti SiC, àti àwọn ìṣòro ìmọ̀-ẹ̀rọ rẹ̀ ni:

(1) Kírísítà SiC kan ṣoṣo ní iwọ̀n otútù gíga ti 2300 ° C lókè yàrá graphite tí a ti dì láti parí ilana ìyípadà "solid - gaasi - solid", ìyípo ìdàgbàsókè náà gùn, ó ṣòro láti ṣàkóso, ó sì lè ní àwọn microtubules, inclusions àti àwọn àbùkù mìíràn.

(2) Kírísítà onípele kan ṣoṣo ti silikoni carbide, pẹlu awọn oriṣiriṣi krísítà onípele 200, ṣugbọn iṣelọpọ ti gbogbo eniyan kan ṣoṣo ti krísítà onípele kan ṣoṣo, o rọrun lati ṣe iyipada iru krísítà onípele kan ninu ilana idagbasoke ti o yorisi awọn abawọn awọn ifikun oriṣiriṣi, ilana igbaradi ti iru krísítà onípele kan pato nira lati ṣakoso iduroṣinṣin ti ilana naa, fun apẹẹrẹ, akọkọ ti iru 4H lọwọlọwọ.

(3) Igbóná ìdàgbàsókè kristali silikoni carbide kan ṣoṣo wà, èyí tó máa ń yọrí sí ìdàgbàsókè kristali náà, ìdààmú inú àti ìyọkúrò, àbùkù àti àwọn àbùkù mìíràn tó ń wáyé ló máa ń wáyé.

(4) Ilana idagbasoke kirisita silikoni carbide kan nilo lati ṣakoso ifihan awọn idoti ita gbangba ni kikun, ki o le gba kirisita semi-insulating mimọ giga tabi kirisita conductive ti a fi ọwọ ṣe itọsọna. Fun awọn substrate silikoni carbide semi-insulating ti a lo ninu awọn ẹrọ RF, awọn agbara ina nilo lati ṣaṣeyọri nipa ṣiṣakoso ifọkansi ẽri ti o kere pupọ ati awọn iru abawọn aaye kan pato ninu kirisita naa.