6inch HPSI SiC sobusitireti wafer Silicon Carbide Ologbele-ẹgan SiC wafers

Awọn ọna idagbasoke lọwọlọwọ fun SiC kristali ẹyọkan ni akọkọ pẹlu awọn mẹta wọnyi: ọna ipele omi, ọna fifisilẹ ikemii otutu otutu giga, ati ọna gbigbe akoko eeru ti ara (PVT). Lara wọn, ọna PVT jẹ iwadii julọ ati imọ-ẹrọ ogbo fun idagbasoke SiC ẹyọkan, ati awọn iṣoro imọ-ẹrọ rẹ jẹ:

(1) SiC nikan gara ni iwọn otutu giga ti 2300 ° C loke iyẹwu lẹẹdi pipade lati pari ilana isọdọtun iyipada “ra to - gaasi - ri to”, ọmọ idagbasoke naa gun, o nira lati ṣakoso, ati ni itara si awọn microtubules, awọn ifisi ati miiran abawọn.

(2) Ohun alumọni carbide ọkan gara, pẹlu diẹ ẹ sii ju 200 o yatọ si awọn oriṣi gara, ṣugbọn awọn isejade ti gbogboogbo nikan kan iru gara, rọrun lati gbe awọn kirisita iru transformation ninu awọn idagbasoke ilana Abajade ni olona-Iru inclusions abawọn, awọn igbaradi ilana ti a nikan kan pato gara iru jẹ soro lati šakoso awọn iduroṣinṣin ti awọn ilana, fun apẹẹrẹ, awọn ti isiyi atijo ti awọn 4H-Iru.

(3) Ohun alumọni carbide nikan crystal idagbasoke aaye gbona wa ni iwọn otutu iwọn otutu, Abajade ninu ilana idagbasoke garawa nibẹ ni aapọn inu inu abinibi ati awọn iyọkuro ti o yọrisi, awọn aṣiṣe ati awọn abawọn miiran ti o fa.

(4) Ohun alumọni carbide nikan gara idagbasoke ilana nilo lati muna šakoso awọn ifihan ti ita impurities, ki lati gba kan gan ga ti nw ologbele-idabobo gara tabi itọnisọna doped conductive gara. Fun awọn sobusitireti ohun alumọni carbide ologbele-idabobo ti a lo ninu awọn ẹrọ RF, awọn ohun-ini itanna nilo lati ṣaṣeyọri nipasẹ ṣiṣakoso ifọkansi aimọ kekere pupọ ati awọn iru awọn abawọn aaye kan pato ninu gara.