6inch HPSI SiC sobusitireti wafer Silicon Carbide ologbele-ẹgan SiC wafers

Awọn ọna idagbasoke lọwọlọwọ fun SiC kristali ẹyọkan ni akọkọ pẹlu awọn mẹta wọnyi: ọna ipele omi, ọna fifisilẹ ikemii otutu otutu giga, ati ọna gbigbe akoko eeru ti ara (PVT).Lara wọn, ọna PVT jẹ iwadii julọ ati imọ-ẹrọ ogbo fun idagbasoke SiC ẹyọkan, ati awọn iṣoro imọ-ẹrọ rẹ jẹ:

(1) SiC nikan gara ni iwọn otutu giga ti 2300 ° C loke iyẹwu lẹẹdi pipade lati pari ilana isọdọtun iyipada “ra to - gaasi - ri to”, ọmọ idagbasoke naa gun, o nira lati ṣakoso, ati ni itara si awọn microtubules, awọn ifisi ati miiran abawọn.

(2) Ohun alumọni carbide ọkan gara, pẹlu diẹ ẹ sii ju 200 o yatọ si awọn oriṣi gara, ṣugbọn awọn isejade ti gbogboogbo nikan kan iru gara, rọrun lati gbe awọn kirisita iru transformation ninu awọn idagbasoke ilana Abajade ni olona-Iru inclusions abawọn, awọn igbaradi ilana ti a nikan pato gara iru jẹ soro lati šakoso awọn iduroṣinṣin ti awọn ilana, fun apẹẹrẹ, awọn ti isiyi atijo ti awọn 4H-Iru.

(3) Ohun alumọni carbide nikan gara idagba gbona aaye nibẹ ni a otutu itesiwaju, Abajade ninu awọn gara idagbasoke ilana nibẹ ni a abinibi ti abẹnu wahala ati awọn Abajade dislocations, awọn ašiše ati awọn miiran abawọn induced.

(4) Ohun alumọni carbide nikan gara idagbasoke ilana nilo lati muna šakoso awọn ifihan ti ita impurities, ki lati gba kan gan ga ti nw ologbele-idabobo gara tabi itọnisọna doped conductive gara.Fun awọn sobusitireti ohun alumọni carbide ologbele-idabobo ti a lo ninu awọn ẹrọ RF, awọn ohun-ini itanna nilo lati ṣaṣeyọri nipasẹ ṣiṣakoso ifọkansi aimọ kekere pupọ ati awọn iru awọn abawọn aaye kan pato ninu gara.