Wafer SiC silikoni carbide 8 inch 4H-N iru 0.5mm ipele iṣẹjade ipele iwadii ti a ṣe apẹrẹ didan ti aṣa

Wafer SiC silikoni carbide 8 inch 4H-N iru 0.5mm ipele iṣẹjade ipele iwadii ti a ṣe apẹrẹ didan aworan ti a fihan

Àpèjúwe Kúkúrú:

Silikoni carbide (SiC), tí a tún mọ̀ sí silikoni carbide, jẹ́ semiconductor tí ó ní silikoni àti erogba pẹ̀lú agbekalẹ kẹ́míkà SiC. A ń lo SiC nínú àwọn ẹ̀rọ itanna semiconductor tí ó ń ṣiṣẹ́ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga tàbí àwọn ìfúnpá gíga, tàbí méjèèjì. SiC tún jẹ́ ọ̀kan lára àwọn èròjà LED pàtàkì, ó jẹ́ ohun tí ó wọ́pọ̀ fún gbígbìn àwọn ẹ̀rọ GaN, a sì tún lè lò ó gẹ́gẹ́ bí ibi ìgbóná fún àwọn LED alágbára gíga.
Sẹ́ẹ̀tì silicon carbide oníwọ̀n 8-inch jẹ́ apá pàtàkì nínú ìran kẹta ti àwọn ohun èlò semiconductor, èyí tí ó ní àwọn ànímọ́ agbára pápá ìfọ́ ga, agbára ìdarí ooru gíga, ìwọ̀n ìṣàn omi oníwọ̀n elekitironi gíga, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó sì yẹ fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna oníwọ̀n otutu gíga, voltage gíga, àti agbára gíga. Àwọn pápá ìlò pàtàkì rẹ̀ ní àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, ìrìn ọkọ̀ ojú irin, agbára ìyípadà àti agbára voltage gíga, photovoltaics, ìbánisọ̀rọ̀ 5G, ibi ìpamọ́ agbára, afẹ́fẹ́, àti àwọn ibi ìpamọ́ agbára AI core.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Àwọn ohun pàtàkì tí ó wà nínú irú 4H-N tí a fi silicon carbide 8-inch ṣe ni:

1. Ìwọ̀n Microtubule: ≤ 0.1/cm² tàbí kí ó lọ sílẹ̀, bí àpẹẹrẹ, ìwọ̀n microtubule dínkù sí èyí tí ó kéré sí 0.05/cm² nínú àwọn ọjà kan.
2. Ipin fọọmu kirisita: Ipin fọọmu kirisita 4H-SiC de 100%.
3. Ìdènà: 0.014~0.028 Ω·cm, tàbí kí ó dúró ṣinṣin jù láàrín 0.015-0.025 Ω·cm.
4. Rírọrùn ojú: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Sisanra: Nigbagbogbo 500.0±25μm tabi 350.0±25μm.
6. Igun Chamfering: 25±5° tabi 30±5° fun A1/A2 da lori sisanra naa.
7. Àròpọ̀ ìwọ̀n ìyípo: ≤3000/cm².
8. Ìbàjẹ́ irin ojú ilẹ̀: ≤1E+11 átọ̀mù/cm².
9. Títẹ̀ àti yíyípo: ≤ 20μm àti ≤2μm, lẹ́sẹẹsẹ.
Àwọn ànímọ́ wọ̀nyí mú kí àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ carbide silicon 8-inch ní ìníyelórí pàtàkì nínú ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna oníwọ̀n otútù gíga, ìgbóná gíga, àti agbára gíga.

Wafer silikoni carbide 8inch ni ọpọlọpọ awọn ohun elo.

1. Àwọn ẹ̀rọ agbára: Àwọn wafer SiC ni a lò fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna agbára bíi power MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), Schottky diodes, àti power integration modules. Nítorí thermal conductivity gíga, high breaking folti, àti high electron mobility ti SiC, àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí lè ṣe àṣeyọrí efficiency creative, high performance convertible ní àwọn agbègbè high-temperature, high-folti, àti high-frequency.

2. Àwọn ẹ̀rọ optoelectronic: Àwọn wafer SiC ń kó ipa pàtàkì nínú àwọn ẹ̀rọ optoelectronic, tí a ń lò láti ṣe àwọn photodetectors, laser diode, orísun ultraviolet, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Àwọn ànímọ́ opitika àti ẹ̀rọ itanna tó ga jùlọ ti silicon carbide mú kí ó jẹ́ ohun èlò tí a yàn, pàápàá jùlọ nínú àwọn ohun èlò tí ó nílò ooru gíga, àwọn ìgbòkègbodò gíga, àti àwọn ipele agbára gíga.

3. Àwọn Ẹ̀rọ Ìgbohùngbà Redio (RF): A tún ń lo àwọn ẹ̀rọ SiC láti ṣe àwọn ẹ̀rọ RF bíi àwọn amplifiers agbára RF, àwọn switches ìgbohùngbà gíga, àwọn sensọ RF, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. Ìdúróṣinṣin ooru gíga ti SiC, àwọn ànímọ́ ìgbohùngbà gíga, àti àwọn àdánù kékeré mú kí ó dára fún àwọn ohun èlò RF bíi ìbánisọ̀rọ̀ aláìlókùn àti àwọn ètò radar.

4. Ẹ̀rọ itanna onigbona giga: Nitori iduroṣinṣin ooru giga wọn ati rirọ iwọn otutu wọn, awọn wafer SiC ni a lo lati ṣe awọn ọja itanna ti a ṣe apẹrẹ lati ṣiṣẹ ni awọn agbegbe iwọn otutu giga, pẹlu awọn ẹrọ itanna agbara iwọn otutu giga, awọn sensọ, ati awọn oludari.

Àwọn ipa ọ̀nà ìlò pàtàkì ti ohun èlò onírin 8-inch silicon carbide 4H-N ni ṣíṣe àwọn ohun èlò onírin 4H-N tó ní agbára gíga, ìgbóná gíga, àti agbára gíga, pàápàá jùlọ ní àwọn ẹ̀ka ẹ̀rọ itanna ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, agbára oòrùn, agbára afẹ́fẹ́, àwọn ọkọ̀ locomotive, àwọn olupin, àwọn ohun èlò ilé, àti àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná. Ní àfikún, àwọn ẹ̀rọ bíi SiC MOSFETs àti Schottky diodes ti fi iṣẹ́ tó dára hàn nínú yíyípadà àwọn ìgbóná, àwọn àdánwò onígun mẹ́rẹ̀ẹ̀rin, àti àwọn ohun èlò inverter, wọ́n sì ń mú kí lílò wọn nínú ẹ̀rọ itanna agbára pọ̀ sí i.

A le ṣe àtúnṣe XKH pẹ̀lú àwọn ìwúwo tó yàtọ̀ síra gẹ́gẹ́ bí àwọn oníbàárà ṣe fẹ́. Oríṣiríṣi ìwúwo ojú ilẹ̀ àti ìtọ́jú dídán ló wà. Oríṣiríṣi ìwúwo oògùn (bíi nitrogen doping) ni a ń ṣe àtìlẹ́yìn fún. XKH le pese ìrànlọ́wọ́ ìmọ̀-ẹ̀rọ àti iṣẹ́ ìgbìmọ̀ láti rí i dájú pé àwọn oníbàárà le yanjú àwọn ìṣòro nígbà tí wọ́n bá ń lò ó. Sẹ́ẹ̀tì silicon carbide oníwọ̀n 8 ní àwọn àǹfààní pàtàkì ní ti ìdínkù owó àti agbára tí ó pọ̀ sí i, èyí tí ó le dín iye owó ërún ẹyọ kan kù nípa nǹkan bí 50% ní ìfiwéra pẹ̀lú 6-inch substrate. Ní àfikún, ìwúwo tí ó pọ̀ sí i ti 8-inch substrate ń ran lọ́wọ́ láti dín àwọn ìyàtọ̀ oníwọ̀n àti yíyípo etí kù nígbà tí a bá ń ṣe iṣẹ́ náà, èyí sì ń mú kí èso pọ̀ sí i.