8 inch SiC silikoni carbide wafer 4H-N iru 0.5mm igbejade iwadi ite iṣelọpọ aṣa sobusitireti didan
Awọn ẹya akọkọ ti 8-inch silikoni carbide sobusitireti iru 4H-N pẹlu:
1. Microtubule iwuwo: ≤ 0.1/cm² tabi isalẹ, gẹgẹ bi awọn microtubule iwuwo ti wa ni significantly dinku si kere ju 0.05/cm² ni diẹ ninu awọn ọja.
2. Crystal fọọmu ratio: 4H-SiC crystal fọọmu ratio Gigun 100%.
3. Resistivity: 0.014 ~ 0.028 Ω · cm, tabi diẹ sii iduroṣinṣin laarin 0.015-0.025 Ω · cm.
4. Iwaju oju: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Sisanra: Nigbagbogbo 500.0 ± 25μm tabi 350.0 ± 25μm.
6. Chamfering igun: 25 ± 5 ° tabi 30 ± 5 ° fun A1 / A2 da lori sisanra.
7. Lapapọ iwuwo dislocation: ≤3000/cm².
8. Idoti irin oju: ≤1E+11 awọn ọta/cm².
9. Bending ati warpage: ≤ 20μm ati ≤2μm, lẹsẹsẹ.
Awọn abuda wọnyi jẹ ki awọn sobusitireti ohun alumọni silikoni 8-inch ni iye ohun elo pataki ni iṣelọpọ ti iwọn otutu giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ẹrọ itanna agbara giga.
8inch silikoni carbide wafer ni awọn ohun elo pupọ.
1. Awọn ẹrọ agbara: SiC wafers ti wa ni lilo pupọ ni iṣelọpọ awọn ẹrọ itanna agbara gẹgẹbi agbara MOSFETs (irin-oxide-semiconductor field-ipa transistors), Schottky diodes, ati awọn modulu iṣọpọ agbara. Nitori iṣesi igbona giga, foliteji didenukole giga, ati iṣipopada elekitironi giga ti SiC, awọn ẹrọ wọnyi le ṣaṣeyọri daradara, iyipada agbara iṣẹ-giga ni iwọn otutu giga, giga-voltage, ati awọn agbegbe igbohunsafẹfẹ giga.
2. Awọn ẹrọ Optoelectronic: SiC wafers ṣe ipa pataki ninu awọn ẹrọ optoelectronic, ti a lo lati ṣe awọn olutọpa fọto, awọn diodes laser, awọn orisun ultraviolet, bbl Awọn ohun-ini ti o ga julọ ti Silicon carbide ati awọn ohun elo itanna jẹ ohun elo ti yiyan, paapaa ni awọn ohun elo ti o nilo awọn iwọn otutu giga, awọn igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ipele agbara giga.
3. Awọn ẹrọ Igbohunsafẹfẹ Redio (RF): Awọn eerun SiC tun lo lati ṣe awọn ẹrọ RF gẹgẹbi awọn ampilifaya agbara RF, awọn iyipada igbohunsafẹfẹ giga, awọn sensọ RF, ati diẹ sii. Iduroṣinṣin gbigbona giga ti SiC, awọn abuda igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn adanu kekere jẹ ki o jẹ apẹrẹ fun awọn ohun elo RF gẹgẹbi awọn ibaraẹnisọrọ alailowaya ati awọn eto radar.
4.High-temperature Electronics: Nitori imuduro giga giga wọn ati iwọn otutu otutu, SiC wafers ti wa ni lilo lati ṣe awọn ọja itanna ti a ṣe lati ṣiṣẹ ni awọn agbegbe ti o ga julọ, pẹlu awọn ẹrọ itanna ti o ga julọ, awọn sensọ, ati awọn olutona.
Awọn ọna ohun elo akọkọ ti 8-inch siliki carbide sobusitireti 4H-N iru pẹlu iṣelọpọ ti iwọn otutu giga, igbohunsafẹfẹ giga, ati awọn ẹrọ itanna agbara giga, ni pataki ni awọn aaye ti ẹrọ itanna, agbara oorun, iran agbara afẹfẹ, ina mọnamọna. locomotives, olupin, awọn ohun elo ile, ati awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina. Ni afikun, awọn ẹrọ bii SiC MOSFETs ati Schottky diodes ti ṣe afihan iṣẹ ṣiṣe ti o dara julọ ni yiyi awọn igbohunsafẹfẹ, awọn idanwo kukuru kukuru, ati awọn ohun elo inverter, ti n ṣe awakọ lilo wọn ni ẹrọ itanna agbara.
XKH le ṣe adani pẹlu awọn sisanra oriṣiriṣi gẹgẹbi awọn ibeere alabara. Iyatọ dada oriṣiriṣi ati awọn itọju didan wa. Awọn oriṣiriṣi doping (bii nitrogen doping) ni atilẹyin. XKH le pese atilẹyin imọ-ẹrọ ati awọn iṣẹ ijumọsọrọ lati rii daju pe awọn alabara le yanju awọn iṣoro ni ilana lilo. Sobusitireti ohun alumọni carbide 8-inch ni awọn anfani pataki ni awọn ofin idinku idiyele ati agbara pọ si, eyiti o le dinku idiyele chirún ẹyọkan nipasẹ iwọn 50% ni akawe si sobusitireti 6-inch. Ni afikun, sisanra ti o pọ si ti sobusitireti 8-inch ṣe iranlọwọ lati dinku awọn iyapa jiometirika ati ijakadi eti lakoko ẹrọ, nitorinaa imudara ikore.