Ọna CVD fun iṣelọpọ awọn ohun elo aise SiC mimọ giga ni ileru isọdọkan ohun alumọni carbide ni 1600 ℃

Ọna CVD fun iṣelọpọ awọn ohun elo aise SiC mimọ giga ni ileru idawọle ohun alumọni ni 1600 ℃ Aworan Ifihan

Apejuwe kukuru:

A Silicon carbide (SiC) ileru kolaginni (CVD). O nlo imọ-ẹrọ Kemikali Vapor (CVD) si ₄ awọn orisun ohun alumọni gaseous (fun apẹẹrẹ SiH₄, SiCl₄) ni agbegbe otutu ti o ga ninu eyiti wọn ṣe si awọn orisun erogba (fun apẹẹrẹ C₃H₈, CH₄). Ẹrọ bọtini kan fun dagba awọn kirisita ohun alumọni carbide mimọ-giga lori sobusitireti (graphite tabi irugbin SiC). A lo imọ-ẹrọ ni akọkọ fun igbaradi SiC nikan sobusitireti gara (4H/6H-SiC), eyiti o jẹ ohun elo ilana mojuto fun iṣelọpọ agbara semikondokito (gẹgẹbi MOSFET, SBD).

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

Ilana iṣẹ:

1. Precursor ipese. Orisun silikoni (fun apẹẹrẹ SiH₄) ati orisun erogba (fun apẹẹrẹ C₃H₈) awọn gaasi ti wa ni idapo ni iwọn ati ki o jẹun sinu iyẹwu ifaseyin.

2. Didara iwọn otutu to gaju: Ni iwọn otutu giga ti 1500 ~ 2300 ℃, jijẹ gaasi n ṣe awọn ọta Si ati C ti nṣiṣe lọwọ.

3. Dada lenu: Si ati C awọn ọta ti wa ni nile lori awọn sobusitireti dada lati fẹlẹfẹlẹ kan ti SiC gara Layer.

4. Idagba Crystal: Nipasẹ iṣakoso ti iwọn otutu iwọn otutu, ṣiṣan gaasi ati titẹ, lati ṣe aṣeyọri idagbasoke itọnisọna ni ọna c axis tabi axis.

Awọn paramita bọtini:

Iwọn otutu: 1600 ~ 2200 ℃ (> 2000 ℃ fun 4H-SiC)

· Titẹ: 50 ~ 200mbar (titẹ kekere lati dinku iparun gaasi)

Iwọn gaasi: Si / C≈1.0 ~ 1.2 (lati yago fun awọn abawọn imudara Si tabi C)

Awọn ẹya akọkọ:

(1) Crystal didara
iwuwo abawọn kekere: iwuwo microtubule <0.5cm ⁻², iwuwo dislocation <10⁴ cm⁻².

Polycrystalline iru iṣakoso: le dagba 4H-SiC (akọkọ), 6H-SiC, 3C-SiC ati awọn miiran gara orisi.

(2) Išẹ ẹrọ
Iduroṣinṣin iwọn otutu: alapapo fifa irọbi lẹẹdi tabi alapapo resistance, iwọn otutu> 2300 ℃.

Iṣakoso iṣọkan: iyipada iwọn otutu ± 5 ℃, oṣuwọn idagbasoke 10 ~ 50μm / h.

Gaasi eto: Ga konge ibi-flowmeter (MFC), gaasi ti nw ≥99.999%.

(3) Awọn anfani imọ-ẹrọ
Mimo to gaju: Ifojusi aimọ ti abẹlẹ <10¹⁶ cm⁻³ (N, B, ati bẹbẹ lọ).

Iwọn nla: Atilẹyin 6 "/ 8" idagbasoke sobusitireti SiC.

(4) Lilo agbara ati iye owo
Lilo agbara giga (200 ~ 500kW · h fun ileru), ṣiṣe iṣiro fun 30% ~ 50% ti idiyele iṣelọpọ ti sobusitireti SiC.

Awọn ohun elo pataki:

1. Agbara semikondokito sobusitireti: SiC MOSFETs fun iṣelọpọ awọn ọkọ ina mọnamọna ati awọn oluyipada fọtovoltaic.

2. Rf ẹrọ: 5G mimọ ibudo GaN-on-SiC epitaxial sobusitireti.

Awọn ẹrọ ayika 3.Extreme: awọn sensọ otutu ti o ga julọ fun afẹfẹ afẹfẹ ati awọn agbara agbara iparun.

Sipesifikesonu Imọ-ẹrọ:

Sipesifikesonu	Awọn alaye
Awọn iwọn (L × W × H)	4000 x 3400 x 4300 mm tabi ṣe akanṣe
Ileru iyẹwu opin	1100mm
Agbara ikojọpọ	50kg
Opin igbale ìyí	10-2Pa (2h lẹhin fifa molikula bẹrẹ)
Iyẹwu titẹ soke oṣuwọn	≤10Pa/h (lẹhin ti iṣiro)
Isalẹ ileru ideri gbígbé ọpọlọ	1500mm
Alapapo ọna	Alapapo fifa irọbi
Iwọn otutu ti o pọju ninu ileru	2400°C
Ipese agbara alapapo	2X40kW
Iwọn iwọn otutu	Iwọn iwọn otutu infurarẹẹdi awọ meji
Iwọn iwọn otutu	900 ~ 3000 ℃
Iwọn iṣakoso iwọn otutu	±1°C
Iṣakoso titẹ sakani	1 ~ 700mbar
Titẹ Iṣakoso Yiye	1 ~ 5mbar ± 0.1mbar; 5 ~ 100mbar ± 0.2mbar; 100 ~ 700mbar ± 0.5mbar
Ọna ikojọpọ	Ikojọpọ isalẹ;
Iyan iṣeto ni	Ojuami wiwọn iwọn otutu meji, ikojọpọ forklift.

Awọn iṣẹ XKH:

XKH n pese awọn iṣẹ ọmọ ni kikun fun awọn ileru CVD ohun alumọni, pẹlu isọdi ohun elo (apẹrẹ agbegbe iwọn otutu, iṣeto eto gaasi), idagbasoke ilana (iṣakoso kirisita, iṣapeye abawọn), ikẹkọ imọ-ẹrọ (isẹ ati itọju) ati atilẹyin lẹhin-tita (ipese awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn paati bọtini, iwadii aisan latọna jijin) lati ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri iṣelọpọ ibi-giga SiC sobusitireti. Ati pese awọn iṣẹ igbesoke ilana lati ni ilọsiwaju nigbagbogbo ikore gara ati ṣiṣe idagbasoke.