Iru-p 4H/6H-P 3C-N Iru SIC substrate 4inch 〈111〉± 0.5°Odo MPD
Àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ SiC Iru 4H/6H-P Tábìlì paramita gbogbogbò
4 iwọn ila opin inch SilikoniÀpòpọ̀ Carbide (SiC) Ìlànà ìpele
| Ipele | Ìṣẹ̀dá MPD Òdo Ipele (Z) Ipele) | Iṣelọpọ Boṣewa Ipele (P) Ipele) | Ipele Dídán (D Ipele) | ||
| Iwọn opin | 99.5 mm ~ 100.0 mm | ||||
| Sisanra | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Ní ìsàlẹ̀: 2.0°-4.0° sí [11]20] ± 0.5° fún 4H/6H-P, OÀàlà n:〈111〉± 0.5° fún 3C-N | ||||
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | 0 cm-2 | ||||
| Àìfaradà | Iru-p 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| n-type 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 4H/6H-P | - {1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||||
| Gígùn Pẹpẹ Keji | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle | Silikoni kọjú sí òkè: 90° CW. láti Prime flat±5.0° | ||||
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Tọfà/Wọpa | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Ríru | Pólándì Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí | Gígùn àpapọ̀ ≤ 10 mm, gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm | |||
| Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤0.05% | Agbegbe apapọ ≤0.1% | |||
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí | Agbegbe apapọ≤3% | |||
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | Agbegbe apapọ ≤0.05% | Agbegbe apapọ ≤3% | |||
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí | Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 × ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |||
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Gíga Nípa Ìmọ́lẹ̀ Líle | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥0.2mm fífẹ̀ àti jíjìn | 5 ni a gba laaye, ≤1 mm ọkọọkan | |||
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ agbára gíga | Kò sí | ||||
| Àkójọ | Àwo Ṣáìsìtà Oní-wafer Onírúurú tàbí Àpótí Wafer Oníkan ṣoṣo | ||||
Àwọn Àkíyèsí:
※Ààlà àbùkù kan gbogbo ojú wafer àyàfi agbègbè ìyọkúrò etí. # O yẹ kí a ṣàyẹ̀wò àwọn ìfọ́ náà lórí ojú Si nìkan.
A lo iru P-type 4H/6H-P 3C-N iru 4-inch SiC substrate pẹlu 〈111〉± 0.5° itọsọna ati ipele Zero MPD ni lilo pupọ ninu awọn ohun elo itanna ti o ni iṣẹ giga. Agbara ooru ti o dara julọ ati folti fifọ giga rẹ jẹ ki o dara julọ fun awọn ẹrọ itanna agbara, gẹgẹbi awọn yipada folti giga, awọn inverters, ati awọn oluyipada agbara, ti n ṣiṣẹ ni awọn ipo ti o nira. Ni afikun, resistance substrate si awọn iwọn otutu giga ati ipata rii daju pe iṣẹ ṣiṣe iduroṣinṣin ni awọn agbegbe ti o nira. Itọnisọna 〈111〉± 0.5° deede mu deede iṣelọpọ pọ si, ti o jẹ ki o dara fun awọn ẹrọ RF ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga, gẹgẹbi awọn eto radar ati awọn ẹrọ ibaraẹnisọrọ alailowaya.
Àwọn àǹfààní ti àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ SiC ti N-type ni:
1. Ìgbékalẹ̀ ooru gíga: Ìtújáde ooru tó munadoko, èyí tó mú kí ó dára fún àwọn àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga àti àwọn ohun èlò agbára gíga.
2. Fólítììjìnnà Pípẹ́: Ó ń rí i dájú pé iṣẹ́ rẹ̀ ṣeé gbẹ́kẹ̀lé nínú àwọn ohun èlò fólítììjì gíga bíi àwọn ẹ̀rọ ìyípadà agbára àti àwọn ẹ̀rọ ìyípadà.
3. Ipele Odo MPD (Alaini Pipe Micro): O ṣe idaniloju awọn abawọn ti o kere ju, o pese iduroṣinṣin ati igbẹkẹle giga ninu awọn ẹrọ itanna pataki.
4. Àìlera ìbàjẹ́: Ó lè pẹ́ ní àyíká líle koko, ó sì ń rí i dájú pé iṣẹ́ rẹ̀ máa pẹ́ ní àwọn ipò tó le koko.
5. Pípé 〈111〉± 0.5° Ìtọ́sọ́nà: Ó gba ààyè fún ìtòlẹ́sẹẹsẹ pípéye nígbà iṣẹ́ ṣíṣe, ó sì ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ sunwọ̀n síi nínú àwọn ohun èlò ìgbàlódé gíga àti RF.
Ni gbogbogbo, iru P-type 4H/6H-P 3C-N iru 4-inch SiC substrate pẹlu 〈111〉± 0.5° itọsọna ati ipele Zero MPD jẹ ohun elo iṣẹ ṣiṣe giga ti o dara julọ fun awọn ohun elo itanna to ti ni ilọsiwaju. Agbara ooru ti o dara julọ ati folti fifọ giga jẹ ki o pe fun awọn ẹrọ itanna agbara bii awọn yipada folti giga, awọn inverters, ati awọn oluyipada. Ipele Zero MPD ṣe idaniloju awọn abawọn ti o kere ju, o pese igbẹkẹle ati iduroṣinṣin ninu awọn ẹrọ pataki. Ni afikun, resistance substrate si ipata ati awọn iwọn otutu giga ṣe idaniloju agbara ni awọn agbegbe ti o nira. Itọnisọna 〈111〉± 0.5° deedee gba laaye fun isọdọkan deede lakoko iṣelọpọ, eyiti o jẹ ki o dara pupọ fun awọn ẹrọ RF ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga.
Àwòrán Àlàyé
