SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-ologbele 6H-ologbele 4H-P 6H-P 3C iru 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
Àwọn dúkìá
4H-N àti 6H-N (Àwọn Wafer SiC irú N)
Ohun elo:A maa n lo o nipataki ninu awọn ẹrọ itanna agbara, awọn ẹrọ itanna optoelectronics, ati awọn ohun elo iwọn otutu giga.
Ibiti Iwọn Okun:50.8 mm sí 200 mm.
Sisanra:350 μm ± 25 μm, pẹ̀lú àwọn sisanra àṣàyàn ti 500 μm ± 25 μm.
Agbara resistance:Iru N-4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Ipele Z), ≤ 0.3 Ω·cm (Ipele P); Iru N-3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Ipele Z), ≤ 1 mΩ·cm (Ipele P).
Rírora:Ra ≤ 0.2 nm (CMP tabi MP).
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD):< 1 ẹẹkan/cm².
TV: ≤ 10 μm fún gbogbo àwọn iwọn ila opin.
Ìfọ́: ≤ 30 μm (≤ 45 μm fún àwọn wáfárì oní-8-inch).
Ìyàsọ́tọ̀ Etí:Lati 3 mm si 6 mm da lori iru wafer naa.
Àkójọ:Kasẹti oni-pupọ tabi apoti wafer kan ṣoṣo.
Iwọn Ohter ti o wa 3inch 4inch 6inch 8inch
HPSI (Àwọn Wafers SiC Onímọ́tótó Gíga)
Ohun elo:A lo fun awọn ẹrọ ti o nilo resistance giga ati iṣẹ iduroṣinṣin, gẹgẹbi awọn ẹrọ RF, awọn ohun elo photonic, ati awọn sensọ.
Ibiti Iwọn Okun:50.8 mm sí 200 mm.
Sisanra:Nipọn deede ti 350 μm ± 25 μm pẹlu awọn aṣayan fun awọn wafers ti o nipọn to 500 μm.
Rírora:Ra ≤ 0.2 nm.
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD): ≤ 1 ẹẹta/cm².
Agbara resistance:Agbara giga, ti a maa n lo ninu awọn ohun elo idabobo-idaabobo.
Ìfọ́: ≤ 30 μm (fún àwọn ìwọ̀n kéékèèké), ≤ 45 μm fún àwọn ìwọ̀n ìbú tí ó tóbi jù.
TV: ≤ 10 μm.
Iwọn Ohter ti o wa 3inch 4inch 6inch 8inch
4H-P、6H-P&3C Wafer SiC(Àwọn Wafer SiC irú-P)
Ohun elo:Ni akọkọ fun agbara ati awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ giga.
Ibiti Iwọn Okun:50.8 mm sí 200 mm.
Sisanra:350 μm ± 25 μm tàbí àwọn àṣàyàn tí a ṣe àdáni.
Agbara resistance:Iru-P 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Ipele-Z), ≤ 0.3 Ω·cm (Ipele-P).
Rírora:Ra ≤ 0.2 nm (CMP tabi MP).
Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD):< 1 ẹẹkan/cm².
TV: ≤ 10 μm.
Ìyàsọ́tọ̀ Etí:Lati 3 mm si 6 mm.
Ìfọ́: ≤ 30 μm fún àwọn ìwọ̀n kéékèèké, ≤ 45 μm fún àwọn ìwọ̀n tó tóbi jù.
Iwọn Ohter ti o wa 3inch 4inch 6inch5×5 10×10
Tábìlì Àwọn Ìpínrọ̀ Dátà Apákan
| Ohun ìní | 2 inches | 3 inches | 4 inches | 6 inches | 8inch | |||
| Irú | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI/4H-SEMI | |||
| Iwọn opin | 50.8 ± 0.3 mm | 76.2±0.3mm | 100±0.3mm | 150±0.3mm | 200 ± 0.3 mm | |||
| Sisanra | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | |||
| 350±25um; | 500±25um | 500±25um | 500±25um | 500±25um | ||||
| tàbí àdáni | tàbí àdáni | tàbí àdáni | tàbí àdáni | tàbí àdáni | ||||
| Ríru | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | Ra ≤ 0.2nm | |||
| Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤45um | |||
| TV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | |||
| Fọ́/Wọlẹ̀ | CMP/MP | |||||||
| MPD | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | |||
| Àpẹẹrẹ | Yika, Pẹpẹ 16mm; Gígùn 22mm; Gígùn 30/32.5mm; Gígùn 47.5mm; Gígùn; Gígùn; | |||||||
| Bevel | 45°, Àkójọpọ̀ Ìpele Déédé; Ìrísí C | |||||||
| Ipele | Ipele iṣelọpọ fun MOS&SBD; Ipele iwadii; Ipele Dummy, Ipele wafer irugbin | |||||||
| Àwọn Àkíyèsí | Iwọn opin, Sisanra, Iṣalaye, awọn alaye ti o wa loke le ṣee ṣe adani lori ibeere rẹ | |||||||
Àwọn ohun èlò ìlò
·Awọn Itanna Agbara
Àwọn wafer SiC irú N ṣe pàtàkì nínú àwọn ẹ̀rọ itanna agbára nítorí agbára wọn láti kojú fóltéèjì gíga àti ìṣàn omi gíga. Wọ́n sábà máa ń lò wọ́n nínú àwọn ẹ̀rọ iyipada agbára, àwọn inverters, àti àwọn awakọ̀ mọ́tò fún àwọn ilé iṣẹ́ bíi agbára tí a lè yípadà, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àti adaṣiṣẹ ilé iṣẹ́.
· Optoelectronics
Àwọn ohun èlò SiC irú N, pàápàá jùlọ fún àwọn ohun èlò optoelectronic, ni a lò nínú àwọn ẹ̀rọ bíi diode tí ń yọ ìmọ́lẹ̀ (LED) àti diode lésà. Ìgbékalẹ̀ ooru gíga wọn àti bandgap fífẹ̀ wọn mú kí wọ́n dára fún àwọn ẹ̀rọ optoelectronic tí ó ní iṣẹ́ gíga.
·Awọn Ohun elo Iwọn otutu giga
Àwọn wafers 4H-N 6H-N SiC yẹ fún àwọn àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga, bí irú èyí nínú àwọn sensọ̀ àti àwọn ẹ̀rọ agbára tí a lò nínú àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́, ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, àti ilé-iṣẹ́ níbi tí ìtújáde ooru àti ìdúróṣinṣin ní àwọn iwọ̀n otútù gíga ṣe pàtàkì.
·Awọn Ẹrọ RF
A nlo awọn wafers 4H-N 6H-N SiC ninu awọn ẹrọ igbohunsafẹfẹ redio (RF) ti n ṣiṣẹ ni awọn sakani igbohunsafẹfẹ giga. A lo wọn ninu awọn eto ibaraẹnisọrọ, imọ-ẹrọ radar, ati ibaraẹnisọrọ satẹlaiti, nibiti a nilo agbara giga ati iṣẹ ṣiṣe.
·Àwọn Ohun Èlò Fọ́tóníkì
Nínú àwọn fọ́tòníkì, a ń lo àwọn wáfárì SiC fún àwọn ẹ̀rọ bíi fọ́tònẹ́ẹ̀tì àti àwọn olùṣàtúnṣe. Àwọn ànímọ́ àrà ọ̀tọ̀ tí ohun èlò náà ní jẹ́ kí ó ṣiṣẹ́ dáadáa nínú ìṣẹ̀dá ìmọ́lẹ̀, ìṣàtúnṣe, àti wíwá nínú àwọn ètò ìbánisọ̀rọ̀ optical àti àwọn ẹ̀rọ àwòrán.
·Àwọn sensọ
A lo awọn wafer SiC ni ọpọlọpọ awọn ohun elo sensọ, paapaa ni awọn agbegbe ti o nira nibiti awọn ohun elo miiran le kuna. Awọn wọnyi pẹlu iwọn otutu, titẹ, ati awọn sensọ kemikali, eyiti o ṣe pataki ni awọn aaye bii ọkọ ayọkẹlẹ, epo ati gaasi, ati ibojuwo ayika.
·Awọn Eto Wakọ Ọkọ Ina
Ìmọ̀ ẹ̀rọ SiC kó ipa pàtàkì nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná nípa mímú kí iṣẹ́ àti iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ ìwakọ̀ sunwọ̀n síi. Pẹ̀lú àwọn semiconductors agbára SiC, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná lè ṣe àṣeyọrí ìgbésí ayé bátìrì tó dára jù, àkókò gbígbà agbára kíákíá, àti agbára tó pọ̀ sí i.
·Àwọn Sensọ Tó Tẹ̀síwájú àti Àwọn Ayípadà Photonic
Nínú àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ sensọ tó ti ní ìlọsíwájú, a ń lo àwọn wafers SiC fún ṣíṣẹ̀dá àwọn sensọ tó péye fún àwọn ohun èlò nínú robotik, àwọn ẹ̀rọ ìṣègùn, àti ìmójútó àyíká. Nínú àwọn converters photonic, a lo àwọn ohun ìní SiC láti jẹ́ kí agbára iná mànàmáná yí padà sí àwọn àmì opitika, èyí tó ṣe pàtàkì nínú ìbánisọ̀rọ̀ àti ètò ìkànnì ayélujára tó yára.
Ìbéèrè àti Ìdáhùn
QKí ni 4H nínú 4H SiC?
A:"4H" nínú 4H SiC tọ́ka sí ìṣètò kírísítà ti silikoni carbide, pàápàá jùlọ ìrísí onígun mẹ́rin pẹ̀lú àwọn ìpele mẹ́rin (H). "H" tọ́ka sí irú onígun mẹ́rin onígun mẹ́rin, ó sì yà á sọ́tọ̀ kúrò lára àwọn onígun mẹ́rin SiC mìíràn bíi 6H tàbí 3C.
QKí ni ìyípo ooru ti 4H-SiC?
A:Ìwọ̀n ìgbóná ooru ti 4H-SiC (Silicon Carbide) jẹ́ nǹkan bí 490-500 W/m·K ní iwọ̀n otutu yàrá. Ìgbóná ooru gíga yìí mú kí ó dára fún lílò nínú ẹ̀rọ itanna agbára àti àwọn àyíká iwọ̀n otutu gíga, níbi tí ìtújáde ooru tó munadoko ṣe pàtàkì.














