Ìwọ̀n ìwẹ̀ 4H-N HPSI SiC 6H-N 6H-P 3C-N SiC Ìwọ̀n ìwẹ̀ 4H-N HPSI 6H-N 6H-P 3C-N SiC Ìwọ̀n ìwẹ̀ 3C-N fún MOS tàbí SBD
Àkótán SiC Substrate SiC Epi-wafer
A n pese akojọpọ kikun ti awọn substrates SiC ti o ga julọ ati awọn wafers sic ninu ọpọlọpọ awọn polytypes ati awọn profaili doping—pẹlu 4H-N (n-type conductive), 4H-P (p-type conductive), 4H-HPSI (high-purity semi-insulating), ati 6H-P (p-type conductive)—ni awọn iwọn ila opin lati 4″, 6″, ati 8″ titi de 12″. Yato si awọn substrates ti ko ni awọ, awọn iṣẹ idagbasoke epi wafer ti a fi kun iye wa n pese awọn wafers epitaxial (epi) pẹlu sisanra ti a ṣakoso ni pẹkipẹki (1–20 µm), awọn ifọkansi doping, ati awọn iwuwo abawọn.
Gbogbo wafer sic ati wafer epi ni a maa n se ayewo ti o muna (iwọn micropipe <0.1 cm⁻², rirọ oju ilẹ Ra <0.2 nm) ati apejuwe ina ni kikun (CV, mapping resistivity) lati rii daju pe kristali naa jẹ iṣọkan ati iṣẹ ṣiṣe ti o tayọ. Boya a lo o fun awọn modulu itanna agbara, awọn amplifiers RF igbohunsafẹfẹ giga, tabi awọn ẹrọ optoelectronic (Awọn LED, awọn photodetectors), awọn laini ọja SiC substrate ati epi wa pese igbẹkẹle, iduroṣinṣin ooru, ati agbara fifọ ti awọn ohun elo ti o nilo julọ loni.
Àwọn ohun ìní àti ìlò irú SiC Substrate 4H-N
-
Ìrísí Onírúurú (Hexagonal)
Ààlà tó gbòòrò tó ~3.26 eV ń mú kí iṣẹ́ iná mànàmáná dúró ṣinṣin àti agbára ooru dúró ṣinṣin lábẹ́ àwọn ipò ooru gíga àti iná mànàmáná gíga.
-
Sàbọ́ọ̀tì SiCN-Iru Doping
Dídín nitrogen tí a ṣàkóso dáadáa máa ń mú kí ìwọ̀n àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ pọ̀ láti 1×10¹⁶ sí 1×10¹⁹ cm⁻³ àti ìṣíkiri electron ní iwọ̀n otútù yàrá tó tó ~900 cm²/V·s, èyí tó máa dín àdánù ìṣíkiri kù.
-
Sàbọ́ọ̀tì SiCAgbara ati Iṣọkan jakejado
Iwọn resistance to wa ti 0.01–10 Ω·cm ati sisanra wafer ti 350–650 µm pẹlu ifarada ±5% ninu doping ati sisanra—o dara julọ fun ṣiṣe ẹrọ agbara giga.
-
Sàbọ́ọ̀tì SiCÌwọ̀n Àbùkù Tó Kéré Jùlọ
Ìwọ̀n micropaipu < 0.1 cm⁻² àti ìwọ̀n ìyípadà basal-plane < 500 cm⁻², èyí tí ó ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà pọ̀ sí i ju 99% lọ àti ìdúróṣinṣin kristali tó ga jùlọ.
- Sàbọ́ọ̀tì SiCÌlànà Ooru Tó Gíga Jùlọ
Agbara igbona to to ~370 W/m·K n mu ki ooru kuro ni deede, o si n mu ki agbara ati agbara pọ si.
-
Sàbọ́ọ̀tì SiCÀwọn Ohun Èlò Àfojúsùn
Àwọn SiC MOSFET, Schottky diodes, àwọn modulu agbara àti àwọn ẹ̀rọ RF fún àwọn awakọ̀ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná, àwọn inverters oorun, àwọn awakọ̀ ilé iṣẹ́, àwọn ètò ìfàmọ́ra, àti àwọn ọjà agbára-ẹ̀rọ itanna mìíràn tó ń béèrè fún.
Ìlànà ìfọ́wọ́ SiC irú 4H-N 6inch | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ipele | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Iwọn opin | 149.5 mm - 150.0 mm | 149.5 mm - 150.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Ìgbésẹ̀ tí kò ní ìpele: 4.0° sí <1120> ± 0.5° | Ìgbésẹ̀ tí kò ní ìpele: 4.0° sí <1120> ± 0.5° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 0.2 cm² | ≤ 15 cm² |
| Àìfaradà | 0.015 - 0.024 Ω·cm | 0.015 - 0.028 Ω·cm |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 475 mm ± 2.0 mm | 475 mm ± 2.0 mm |
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Ọrun / Wọp | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Ríru | Rólándì ≤ 1 nm | Rólándì ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm |
| Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 0.1% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 5% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ fífẹ̀ àti jíjìn 0.2 mm | 7 ni a gba laaye, ≤ 1 mm ọkọọkan |
| Ìyọkúrò Skru Okùn Tí A Fi Ń Sopọ̀ | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ||
| Àkójọ | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo |
Ìlànà ìfọ́wọ́ SiC irú 8inches 4H-N | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ipele | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Iwọn opin | 199.5 mm - 200.0 mm | 199.5 mm - 200.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | 4.0° sí <110> ± 0.5° | 4.0° sí <110> ± 0.5° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 0.2 cm² | ≤ 5 cm² |
| Àìfaradà | 0.015 - 0.025 Ω·cm | 0.015 - 0.028 Ω·cm |
| Ìtọ́sọ́nà Ọlá | ||
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Ọrun / Wọp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Ríru | Rólándì ≤ 1 nm | Rólándì ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm |
| Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 0.1% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 5% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ fífẹ̀ àti jíjìn 0.2 mm | 7 ni a gba laaye, ≤ 1 mm ọkọọkan |
| Ìyọkúrò Skru Okùn Tí A Fi Ń Sopọ̀ | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ||
| Àkójọ | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo |
4H-SiC jẹ́ ohun èlò tí ó ní agbára gíga tí a ń lò fún ẹ̀rọ itanna agbára, àwọn ẹ̀rọ RF, àti àwọn ohun èlò tí ó ní iwọ̀n otútù gíga. "4H" tọ́ka sí ìṣètò kírísítàlì, èyí tí ó jẹ́ onígun mẹ́rin, àti "N" tọ́ka sí irú ìtọ́jú oògùn tí a lò láti mú kí iṣẹ́ ohun èlò náà sunwọ̀n síi.
Àwọn4H-SiCIru naa ni a maa n lo fun:
Awọn ẹrọ itanna agbara:A n lo ninu awọn ẹrọ bii diode, MOSFETs, ati IGBTs fun awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, awọn ẹrọ ile-iṣẹ, ati awọn eto agbara isọdọtun.
Ìmọ̀-ẹ̀rọ 5G:Pẹ̀lú ìbéèrè 5G fún àwọn ẹ̀yà ara ìgbóná gíga àti àwọn ohun èlò tó ń ṣiṣẹ́ dáadáa, agbára SiC láti mú àwọn fóltéèjì gíga àti láti ṣiṣẹ́ ní àwọn iwọ̀n otútù gíga mú kí ó dára fún àwọn amplifiers agbára ibùdó ìpìlẹ̀ àti àwọn ẹ̀rọ RF.
Àwọn Ètò Agbára Oòrùn:Àwọn ohun ìní agbára tí ó dára jùlọ ti SiC jẹ́ àtàtà fún àwọn inverters àti converters photovoltaic (agbára oòrùn).
Àwọn Ọkọ̀ Ayọ́kẹ́lẹ́ Mọ̀nàmọ́ná (EVs):A lo SiC pupọ ni awọn ọna agbara EV fun iyipada agbara ti o munadoko diẹ sii, iṣelọpọ ooru kekere, ati awọn iwuwo agbara ti o ga julọ.
Àwọn ohun ìní àti ìlò irú SiC Substrate 4H Semi-Insulating
Àwọn ohun ìní:
-
Àwọn ọ̀nà ìṣàkóso ìwọ̀n tí kò ní micropipe: Ó ń rí i dájú pé àwọn micropipe kò sí, ó sì ń mú kí dídára substrate náà sunwọ̀n sí i.
-
Awọn ọna iṣakoso monocrystalline: Ṣe ìdánilójú pé ìṣètò kristali kan ṣoṣo kan fún àwọn ohun èlò tí a mú sunwọ̀n síi.
-
Àwọn ọ̀nà ìṣàkóso ìfikún: Ó dín àwọn ohun tí kò ní èérí kù tàbí àwọn ohun tí ó wà nínú rẹ̀, ó sì ń rí i dájú pé ó ní àwọ̀ tó mọ́.
-
Àwọn ọ̀nà ìdarí ìdènà ìdènà: Gba laaye fun iṣakoso deede ti resistance ina, eyiti o ṣe pataki fun iṣẹ ẹrọ.
-
Ìlànà ìtọ́jú àìmọ́ àti àwọn ọ̀nà ìdarí: Ó ń ṣe àkóso àti dínà ìfisí àwọn ohun àìmọ́ láti mú kí àwọn ohun tí ó wà nínú ilẹ̀ náà dúró ṣinṣin.
-
Àwọn ọ̀nà ìṣàkóso ìwọ̀n ìpele ìsàlẹ̀: Pese iṣakoso deede lori iwọn igbesẹ, ṣiṣe idaniloju iduroṣinṣin kọja ilẹ naa
Ìlànà ìpìlẹ̀ 4H-oṣù SiC 6Inch | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ìwọ̀n ìlà opin (mm) | 145 mm - 150 mm | 145 mm - 150 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Lórí àsìkò: ±0.0001° | Lórí àsìkò: ±0.05° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 15 cm-2 | ≤ 15 cm-2 |
| Agbara resistance (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | Notch | Notch |
| Ìyọkúrò Etí (mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bọ́ọ̀lù / Wíwọ́ | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Ríru | Ráá pólándì ≤ 1.5 µm | Ráá pólándì ≤ 1.5 µm |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Àwọn Àwo Ooru Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Àròpọ̀ ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 3% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Àwọn Àfikún Erogba Àwòrán ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 4% |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga (Ìwọ̀n) | A ko gba laaye > 02 mm Fífẹ̀ àti Jíjìn | A ko gba laaye > 02 mm Fífẹ̀ àti Jíjìn |
| Ìfìdíkalẹ̀ Skru Assisting | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| Àkójọ | Àwo Ṣáìsìtà Oní-wafer Onírúurú tàbí Àpótí Wafer Oníkan ṣoṣo | Àwo Ṣáìsìtà Oní-wafer Onírúurú tàbí Àpótí Wafer Oníkan ṣoṣo |
Ìlànà Ìdábòbò SiC 4-Inch 4H-Semi-Instrate
| Pílámẹ́rà | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
|---|---|---|
| Àwọn Ohun Ànímọ́ Ti Ara | ||
| Iwọn opin | 99.5 mm – 100.0 mm | 99.5 mm – 100.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Lórí àsìkò: <600h > 0.5° | Lórí àsìkò: <000h > 0.5° |
| Àwọn Ohun Èlò Ìmọ́lẹ̀ Mọ́mọ́ra | ||
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD) | ≤1 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Àìfaradà | ≥150 Ω·cm | ≥1.5 Ω·cm |
| Àwọn Ìfaradà Jẹ́ẹ́mẹ́tíríkì | ||
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | (0x10) ± 5.0° | (0x10) ± 5.0° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 52.5 mm ± 2.0 mm | 52.5 mm ± 2.0 mm |
| Gígùn Pẹpẹ Keji | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle | 90° CW láti Prime flat ± 5.0° (Si kọjú sí òkè) | 90° CW láti Prime flat ± 5.0° (Si kọjú sí òkè) |
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Ọrun / Wọp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Dídára ojú ilẹ̀ | ||
| Ríru ojú (Pólándì Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Ríru ojú ilẹ̀ (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Àwọn ìfọ́ etí (Ìmọ́lẹ̀ Gíga) | A ko gba laaye | Gígùn àpapọ̀ ≥10 mm, ìfọ́ kan ṣoṣo ≤2 mm |
| Àbùkù Àwo Onígun Méfà | ≤0.05% agbegbe apapọ | ≤0.1% agbegbe apapọ |
| Àwọn Agbègbè Ìfikún Onírúurú | A ko gba laaye | ≤1% agbegbe apapọ |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | ≤0.05% agbegbe apapọ | ≤1% agbegbe apapọ |
| Àwọn ìkọ́ ojú Silikoni | A ko gba laaye | Gígùn àpapọ̀ ≤1 iwọn ila opin wafer |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | Kò sí èyí tí a gbà láàyè (≥0.2 mm fífẹ̀/jìnlẹ̀) | ≤5 eerun (kọọkan ≤1 mm) |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni | Lai so ni pato | Lai so ni pato |
| Àkójọ | ||
| Àkójọ | Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí oní-wafer kan ṣoṣo | Kasẹti oni-wafer pupọ tabi |
Ohun elo:
ÀwọnÀwọn ohun èlò ìdènà ìdábùú SiC 4Hni a maa n lo ninu awọn ẹrọ itanna agbara giga ati igbohunsafẹfẹ giga, paapaa ninuaaye RFÀwọn ohun èlò wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún onírúurú ohun èlò pẹ̀lúawọn eto ibaraẹnisọrọ makirowefu, radar ìpele-ìpele, àtiawọn oluwari ina alailowayaÌlànà ooru gíga wọn àti àwọn ànímọ́ iná mànàmáná tó dára jùlọ mú kí wọ́n dára fún àwọn ohun èlò tó wúlò nínú ẹ̀rọ itanna àti ètò ìbánisọ̀rọ̀.
Àwọn ohun ìní àti ìlò irú SiC epi wafer 4H-N
Àwọn Ohun-ìní àti Àwọn Ohun Èlò fún SíC 4H-N Irú Epi Wafer
Àwọn ohun ìní ti SiC 4H-N Type Epi Wafer:
Ìṣètò Ohun Èlò:
SiC (Silikọni Carbide): A mọ SiC fun lile ti o tayọ, agbara igbona giga, ati awọn agbara ina ti o tayọ, o dara julọ fun awọn ẹrọ itanna ti o ni iṣẹ giga.
Irú 4H-SiC Polytype: A mọ polytype 4H-SiC fun ṣiṣe daradara ati iduroṣinṣin giga rẹ ninu awọn ohun elo itanna.
Doping iru N-type: Iru oogun N-type (ti a fi nitrogen ṣe) pese iṣipopada elekitironi to dara julọ, ti o jẹ ki SiC dara fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga ati agbara giga.
Agbara Iwakọ Ooru Giga:
Àwọn wafer SiC ní agbára ìgbóná tó ga jùlọ, tí ó sábà máa ń bẹ̀rẹ̀ láti120–200 W/m·K, èyí tí ó fún wọn láyè láti ṣàkóso ooru dáadáa nínú àwọn ẹ̀rọ alágbára gíga bíi transistor àti diode.
Ààlà gbígbòòrò:
Pẹlu bandgap ti3.26 eV, 4H-SiC le ṣiṣẹ ni awọn foliteji giga, awọn igbohunsafẹfẹ, ati awọn iwọn otutu ni akawe pẹlu awọn ẹrọ ti o da lori silikoni ibile, eyiti o jẹ ki o dara julọ fun awọn ohun elo ṣiṣe giga ati iṣẹ giga.
Àwọn Ànímọ́ Mọ̀nàmọ́ná:
Iṣipopada elekitironi giga ati agbara adaṣe SiC jẹ ki o dara julọ funitanna agbara, tí ó ń fúnni ní iyàrá ìyípadà kíákíá àti agbára ìdarí agbára àti fólẹ́ẹ̀tì gíga, èyí tí ó ń yọrí sí àwọn ètò ìṣàkóso agbára tí ó gbéṣẹ́ jù.
Agbara fun Mekaniki ati Kemikali:
SiC jẹ́ ọ̀kan lára àwọn ohun èlò tó le jùlọ, lẹ́yìn dáyámọ́ńdì nìkan, ó sì ní agbára láti dènà ìfọ́mọ́ àti ìbàjẹ́, èyí tó mú kí ó pẹ́ ní àyíká tó le koko.
Àwọn ohun èlò tí a lè lò fún SiC 4H-N Type Epi Wafer:
Awọn ẹrọ itanna agbara:
Àwọn wafers epi irú SiC 4H-N ni a lò ní gbogbogbòò nínúagbara MOSFETs, Àwọn IGBT, àtiàwọn dáódìọ̀dùfúniyipada agbaranínú àwọn ètò bíiawọn inverters oorun, Awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina mọnamọna, àtiawọn eto ipamọ agbara, tí ó ń fúnni ní iṣẹ́ tó dára jù àti agbára tó ń ṣiṣẹ́ dáadáa.
Àwọn Ọkọ̀ Ayọ́kẹ́lẹ́ Mọ̀nàmọ́ná (EVs):
In awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina mọnamọna, àwọn olùdarí mọ́tò, àtiàwọn ibùdó gbigba agbara, awọn wafer SiC n ṣe iranlọwọ lati ṣaṣeyọri ṣiṣe batiri ti o dara julọ, gbigba agbara ni iyara, ati ilọsiwaju iṣẹ agbara gbogbogbo nitori agbara wọn lati mu agbara giga ati awọn iwọn otutu.
Àwọn Ètò Agbára Tí Ó Ṣeé Ṣe:
Àwọn Inverters oòrùnÀwọn wafer SiC ni a lò nínúàwọn ètò agbára oòrùnfún yíyípadà agbára DC láti àwọn páànẹ́lì oòrùn sí AC, mímú kí iṣẹ́ àti iṣẹ́ gbogbogbòò pọ̀ sí i.
Àwọn ẹ̀rọ afẹ́fẹ́A lo imọ-ẹrọ SiC ninuawọn eto iṣakoso turbine afẹfẹ, ṣiṣe iṣelọpọ agbara ati ṣiṣe iyipada daradara.
Aerospace ati Idaabobo:
Awọn wafer SiC jẹ apẹrẹ fun lilo ninuawọn ẹrọ itanna aerospaceàtiawọn ohun elo ologun, pẹluàwọn ètò radaràtiawọn ẹrọ itanna satẹlaiti, níbi tí resistance giga ti ìtànṣán àti ìdúróṣinṣin ooru ṣe pàtàkì.
Awọn Ohun elo Igba otutu Giga ati Igbagbogbo Giga:
Awọn wafer SiC ti o tayọ ninuawọn ẹrọ itanna iwọn otutu giga, tí a lò nínúawọn ẹnjini ọkọ ofurufu, ọkọ ofurufu, àtiawọn eto itutu ile-iṣẹ, nítorí wọ́n ń ṣe iṣẹ́ wọn ní àwọn ipò ooru líle koko. Ní àfikún, ìwọ̀n ìpele wọn tí ó gbòòrò gba ààyè láti lò nínúawọn ohun elo igbohunsafẹfẹ gigafẹranAwọn ẹrọ RFàtiawọn ibaraẹnisọrọ makirowefu.
| Ìpele àfikún axial ti N-type 6-inch | |||
| Pílámẹ́rà | ẹyọ kan | Àwọn Z-MOS | |
| Irú | Ìwà/Ìbáṣepọ̀ | - | Iru N / Nitrogen |
| Fọ́fà Ìpele | Sisanra Fẹlẹfẹlẹ Buffer | um | 1 |
| Ifarada Sisanra Layer | % | ±20% | |
| Ìfojúsùn Fọ́fà Fáìlì | cm-3 | 1.00E+18 | |
| Ifarada Ifọkansi Ifọkansi Layer Buffer | % | ±20% | |
| Fẹ́ẹ̀lì Epi Kìíní | Sisanra Awọn Ipele Epi | um | 11.5 |
| Ìwọ̀n Sísanra Àwọ̀ Eérú | % | ±4% | |
| Ìfaradà sísanra àwọn ìpele Epi ((Spec- Pupọ julọ, Min)/Spec) | % | ±5% | |
| Ìfojúsùn Epi Layer | cm-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Ifarada Ifojusi Epi Layer | % | 6% | |
| Ìṣọ̀kan Ìfojúsùn Epi Layer (σ) /ìwọ̀n) | % | ≤5% | |
| Ìṣọ̀kan Ìfọkànsí Epi Layer <(o pọju-iṣẹju)/(o pọju+iṣẹju> | % | ≤ 10% | |
| Apẹrẹ Wafer Epitaixal | Ọrun tẹríba | um | ≤±20 |
| ÌWÀRÀ | um | ≤30 | |
| TV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Àwọn Ànímọ́ Gbogbogbòò | Gígùn àwọn ìkọ́ | mm | ≤30mm |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | - | Kò sí ọ̀kankan | |
| Ìtumọ̀ àwọn àbùkù | ≥97% (A wọn pẹlu 2 * 2, Àwọn àbùkù apànìyàn pẹ̀lú: Àwọn àbùkù pẹ̀lú Pípù kékeré/Àwọn ihò ńlá, Karọọti, Onígun mẹ́ta | ||
| Ìbàjẹ́ irin | àwọn átọ̀mù/cm² | d f f ll i ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àpò | Awọn alaye iṣakojọpọ | Àwọn pcs/àpótí | kasẹti oni-wafer pupọ tabi apoti wafer kan ṣoṣo |
| Ìlànà epitaxial N-type 8-inch | |||
| Pílámẹ́rà | ẹyọ kan | Àwọn Z-MOS | |
| Irú | Ìwà/Ìbáṣepọ̀ | - | Iru N / Nitrogen |
| Fẹlẹfẹlẹ ìpamọ́ | Sisanra Fẹlẹfẹlẹ Buffer | um | 1 |
| Ifarada Sisanra Layer | % | ±20% | |
| Ìfojúsùn Fọ́fà Fáìlì | cm-3 | 1.00E+18 | |
| Ifarada Ifọkansi Ifọkansi Layer Buffer | % | ±20% | |
| Fẹ́ẹ̀lì Epi Kìíní | Isanra Awọn fẹlẹfẹlẹ Epi Apapọ | um | 8~ 12 |
| Ìwọ̀n Sísanra Àwọn Fẹ́ẹ̀lì Epi Ìṣọ̀kan (σ/apapọ̀) | % | ≤2.0 | |
| Ìfarada Sisanra Awọn Fẹlẹfẹlẹ Epi((Spec -Max, Min)/Spec) | % | ±6 | |
| Epi Layers Net Average Doping | cm-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Ìṣọ̀kan Doping Apapọ̀ Epi Layers (σ/apapọ̀) | % | ≤5 | |
| Ìfaradà Doping Nẹ́ẹ̀tì Epi ((Spec -Max，) | % | ± 10.0 | |
| Apẹrẹ Wafer Epitaixal | Mi )/S ) Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ | um | ≤50.0 |
| Ọrun tẹríba | um | ± 30.0 | |
| TV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| Gbogbogbòò Àwọn Ìwà | Àwọn ìkọ́ | - | Gígùn àpapọ̀≤ 1/2 Ìwọ̀n Wafer |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | - | ≤2 eerun, Gbogbo rediosi ≤1.5mm | |
| Ìbàjẹ́ Àwọn Irin Dídára | àwọn átọ̀mù/cm2 | ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àyẹ̀wò Àbùkù | % | ≥ 96.0 (Àwọn àbùkù 2X2 ní Micropipe/Àwọn ihò ńlá, Karọọti, awọn abawọn onigun mẹta, Awọn isubu, Àwọn ẹ̀yà ara tí ó wà ní ìlà/IGSF-s, BPD) | |
| Ìbàjẹ́ Àwọn Irin Dídára | àwọn átọ̀mù/cm2 | ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àpò | Awọn alaye iṣakojọpọ | - | kasẹti oni-wafer pupọ tabi apoti wafer kan ṣoṣo |
Ìbéèrè àti Ìdáhùn sí àwọn ohun èlò ìfọṣọ SiC
Q1: Àwọn àǹfààní pàtàkì wo ni lílo àwọn wafer SiC ju àwọn wafer silicon ìbílẹ̀ lọ nínú ẹ̀rọ itanna agbára?
A1:
Àwọn wafer SiC ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àǹfààní pàtàkì lórí àwọn wafer silicon (Si) ìbílẹ̀ nínú ẹ̀rọ itanna agbára, pẹ̀lú:
Ṣiṣe ṣiṣe giga: SiC ní bandgap tó gbòòrò (3.26 eV) ní ìfiwéra pẹ̀lú silicon (1.1 eV), èyí tó ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ ṣiṣẹ́ ní voltage tó ga, frequency, àti otutu. Èyí ń yọrí sí pípadánù agbára tó kéré sí i àti lílo agbára tó ga jù nínú àwọn ètò ìyípadà agbára.
Ìgbékalẹ̀ Ooru Gíga: Ìgbékalẹ̀ ooru SiC ga ju ti silikoni lọ, èyí tó mú kí ooru máa tàn kálẹ̀ dáadáa nígbà tí a bá ń lo agbára gíga, èyí tó mú kí ìgbẹ́kẹ̀lé àti ìgbésí ayé àwọn ẹ̀rọ agbára sunwọ̀n sí i.
Fóltéèjì Gíga àti Ìmúlò Lọ́wọ́lọ́wọ́: Awọn ẹrọ SiC le mu awọn ipele foliteji giga ati lọwọlọwọ, ti o jẹ ki wọn dara fun awọn ohun elo agbara giga bi awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, awọn eto agbara isọdọtun, ati awọn awakọ mọto ile-iṣẹ.
Iyara Yiyi Yiyara: Awọn ẹrọ SiC ni awọn agbara iyipada yiyara, eyiti o ṣe alabapin si idinku pipadanu agbara ati iwọn eto, ti o jẹ ki wọn dara julọ fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga.
Q2: Kini awọn ohun elo akọkọ ti awọn wafers SiC ninu ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ?
A2:
Nínú ilé iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, a ń lo àwọn wafer SiC ní pàtàkì nínú:
Àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EV): Àwọn èròjà tí ó dá lórí SiC bíiàwọn invertersàtiagbara MOSFETsmu ilọsiwaju ati iṣẹ ṣiṣe ti awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina mọnamọna pọ si nipa ṣiṣe awọn iyara iyipada yiyara ati iwuwo agbara ti o ga julọ. Eyi yoo yorisi igbesi aye batiri gigun ati iṣẹ ṣiṣe ọkọ gbogbogbo ti o dara julọ.
Àwọn Ẹ̀rọ Agbára Lórí Ọkọ̀: Awọn ẹrọ SiC n ṣe iranlọwọ lati mu ṣiṣe ti awọn eto gbigba agbara lori ọkọ dara si nipa ṣiṣe awọn akoko gbigba agbara yiyara ati iṣakoso ooru to dara julọ, eyiti o ṣe pataki fun awọn EV lati ṣe atilẹyin fun awọn ibudo gbigba agbara agbara giga.
Àwọn Ètò Ìṣàkóso Bátírì (BMS)Imọ-ẹrọ SiC mu ilọsiwaju ṣiṣe tiawọn eto iṣakoso batiri, èyí tó fún wa láyè láti ṣe àtúnṣe fólítì tó dára jù, láti mú agbára wa pọ̀ sí i, àti láti pẹ́ títí fún ìgbà tí bátìrì yóò fi pẹ́.
Àwọn Ayípadà DC-DCÀwọn wafer SiC ni a lò nínúÀwọn olùyípadà DC-DCláti yí agbára DC oní-fóltéèjì gíga padà sí agbára DC oní-fóltéèjì kékeré ní ọ̀nà tó dára jù, èyí tó ṣe pàtàkì nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná láti ṣàkóso agbára láti inú bátírì sí onírúurú ẹ̀yà ara ọkọ̀.
Iṣẹ́ gíga jùlọ ti SiC nínú àwọn ohun èlò tó ní foliteji gíga, iwọn otutu gíga, àti àwọn ohun èlò tó lágbára mú kí ó ṣe pàtàkì fún ìyípadà ilé iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ sí ìṣíkiri iná mànàmáná.
Ìlànà ìfọ́wọ́ SiC irú 4H-N 6inch | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ipele | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Iwọn opin | 149.5 mm – 150.0 mm | 149.5 mm – 150.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 350 µm ± 15 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Ìgbésẹ̀ tí kò ní ìpele: 4.0° sí <1120> ± 0.5° | Ìgbésẹ̀ tí kò ní ìpele: 4.0° sí <1120> ± 0.5° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 0.2 cm² | ≤ 15 cm² |
| Àìfaradà | 0.015 – 0.024 Ω·cm | 0.015 – 0.028 Ω·cm |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | [10-10] ± 50° | [10-10] ± 50° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 475 mm ± 2.0 mm | 475 mm ± 2.0 mm |
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Ọrun / Wọp | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| Ríru | Rólándì ≤ 1 nm | Rólándì ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm |
| Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 0.1% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 5% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ fífẹ̀ àti jíjìn 0.2 mm | 7 ni a gba laaye, ≤ 1 mm ọkọọkan |
| Ìyọkúrò Skru Okùn Tí A Fi Ń Sopọ̀ | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ||
| Àkójọ | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo |
Ìlànà ìfọ́wọ́ SiC irú 8inches 4H-N | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ipele | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Iwọn opin | 199.5 mm – 200.0 mm | 199.5 mm – 200.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 500 µm ± 25 µm | 500 µm ± 25 µm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | 4.0° sí <110> ± 0.5° | 4.0° sí <110> ± 0.5° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 0.2 cm² | ≤ 5 cm² |
| Àìfaradà | 0.015 – 0.025 Ω·cm | 0.015 – 0.028 Ω·cm |
| Ìtọ́sọ́nà Ọlá | ||
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TIV / Ọrun / Wọp | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| Ríru | Rólándì ≤ 1 nm | Rólándì ≤ 1 nm |
| CMP Ra | ≤ 0.2 nm | ≤ 0.5 nm |
| Ìfọ́ Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm | Gígùn àpapọ̀ ≤ 20 mm gígùn kan ṣoṣo ≤ 2 mm |
| Àwọn Àwo Hex Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 0.1% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | Agbegbe apapọ ≤ 0.05% | Agbegbe apapọ ≤ 5% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Gígùn àpapọ̀ ≤ 1 ìwọ̀n ìbúgbà wafer | |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Kò sí èyí tí a gbà láàyè ≥ fífẹ̀ àti jíjìn 0.2 mm | 7 ni a gba laaye, ≤ 1 mm ọkọọkan |
| Ìyọkúrò Skru Okùn Tí A Fi Ń Sopọ̀ | < 500 cm³ | < 500 cm³ |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ||
| Àkójọ | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo | Àwo Ṣẹ́ẹ̀tì Oní-wafer Onírúurú Tàbí Àpótí Wafer Kanṣoṣo |
Ìlànà ìpìlẹ̀ 4H-oṣù SiC 6Inch | ||
| Ohun ìní | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
| Ìwọ̀n ìlà opin (mm) | 145 mm – 150 mm | 145 mm – 150 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra (um) | 500 ± 15 | 500 ± 25 |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Lórí àsìkò: ±0.0001° | Lórí àsìkò: ±0.05° |
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù | ≤ 15 cm-2 | ≤ 15 cm-2 |
| Agbara resistance (Ωcm) | ≥ 10E3 | ≥ 10E3 |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | (0-10)° ± 5.0° | (10-10)° ± 5.0° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | Notch | Notch |
| Ìyọkúrò Etí (mm) | ≤ 2.5 µm / ≤ 15 µm | ≤ 5.5 µm / ≤ 35 µm |
| LTV / Bọ́ọ̀lù / Wíwọ́ | ≤ 3 µm | ≤ 3 µm |
| Ríru | Ráá pólándì ≤ 1.5 µm | Ráá pólándì ≤ 1.5 µm |
| Àwọn Ẹ̀kún Etí Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | ≤ 20 µm | ≤ 60 µm |
| Àwọn Àwo Ooru Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Àròpọ̀ ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 3% |
| Àwọn Agbègbè Onírúurú Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | Àwọn Àfikún Erogba Àwòrán ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 3% |
| Àwọn Ìfọ́ ojú Silikoni Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga | ≤ 0.05% | Àròpọ̀ ≤ 4% |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ Nípasẹ̀ Ìmọ́lẹ̀ Gíga (Ìwọ̀n) | A ko gba laaye > 02 mm Fífẹ̀ àti Jíjìn | A ko gba laaye > 02 mm Fífẹ̀ àti Jíjìn |
| Ìfìdíkalẹ̀ Skru Assisting | ≤ 500 µm | ≤ 500 µm |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni nípasẹ̀ ìmọ́lẹ̀ líle gíga | ≤ 1 x 10^5 | ≤ 1 x 10^5 |
| Àkójọ | Àwo Ṣáìsìtà Oní-wafer Onírúurú tàbí Àpótí Wafer Oníkan ṣoṣo | Àwo Ṣáìsìtà Oní-wafer Onírúurú tàbí Àpótí Wafer Oníkan ṣoṣo |
Ìlànà Ìdábòbò SiC 4-Inch 4H-Semi-Instrate
| Pílámẹ́rà | Ipele Iṣẹjade MPD odo (Ipele Z) | Ipele D (Ipele D) |
|---|---|---|
| Àwọn Ohun Ànímọ́ Ti Ara | ||
| Iwọn opin | 99.5 mm – 100.0 mm | 99.5 mm – 100.0 mm |
| Irú poly-type | 4H | 4H |
| Sisanra | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 25 μm |
| Ìtọ́sọ́nà Wafer | Lórí àsìkò: <600h > 0.5° | Lórí àsìkò: <000h > 0.5° |
| Àwọn Ohun Èlò Ìmọ́lẹ̀ Mọ́mọ́ra | ||
| Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́pù (MPD) | ≤1 cm⁻² | ≤15 cm⁻² |
| Àìfaradà | ≥150 Ω·cm | ≥1.5 Ω·cm |
| Àwọn Ìfaradà Jẹ́ẹ́mẹ́tíríkì | ||
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | (0×10) ± 5.0° | (0×10) ± 5.0° |
| Gígùn Pẹpẹ Àkọ́kọ́ | 52.5 mm ± 2.0 mm | 52.5 mm ± 2.0 mm |
| Gígùn Pẹpẹ Keji | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ìtọ́sọ́nà Pẹpẹ Atẹle | 90° CW láti Prime flat ± 5.0° (Si kọjú sí òkè) | 90° CW láti Prime flat ± 5.0° (Si kọjú sí òkè) |
| Ìyọkúrò Etí | 3 mm | 3 mm |
| LTV / TTV / Ọrun / Wọp | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| Dídára ojú ilẹ̀ | ||
| Ríru ojú (Pólándì Ra) | ≤1 nm | ≤1 nm |
| Ríru ojú ilẹ̀ (CMP Ra) | ≤0.2 nm | ≤0.2 nm |
| Àwọn ìfọ́ etí (Ìmọ́lẹ̀ Gíga) | A ko gba laaye | Gígùn àpapọ̀ ≥10 mm, ìfọ́ kan ṣoṣo ≤2 mm |
| Àbùkù Àwo Onígun Méfà | ≤0.05% agbegbe apapọ | ≤0.1% agbegbe apapọ |
| Àwọn Agbègbè Ìfikún Onírúurú | A ko gba laaye | ≤1% agbegbe apapọ |
| Àwọn Ìfikún Erogba Àwòrán | ≤0.05% agbegbe apapọ | ≤1% agbegbe apapọ |
| Àwọn ìkọ́ ojú Silikoni | A ko gba laaye | Gígùn àpapọ̀ ≤1 iwọn ila opin wafer |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | Kò sí èyí tí a gbà láàyè (≥0.2 mm fífẹ̀/jìnlẹ̀) | ≤5 eerun (kọọkan ≤1 mm) |
| Ìbàjẹ́ ojú ilẹ̀ Silikoni | Lai so ni pato | Lai so ni pato |
| Àkójọ | ||
| Àkójọ | Kasẹ́ẹ̀tì oní-wafer púpọ̀ tàbí àpótí oní-wafer kan ṣoṣo | Kasẹti oni-wafer pupọ tabi |
| Ìpele àfikún axial ti N-type 6-inch | |||
| Pílámẹ́rà | ẹyọ kan | Àwọn Z-MOS | |
| Irú | Ìwà/Ìbáṣepọ̀ | - | Iru N / Nitrogen |
| Fọ́fà Ìpele | Sisanra Fẹlẹfẹlẹ Buffer | um | 1 |
| Ifarada Sisanra Layer | % | ±20% | |
| Ìfojúsùn Fọ́fà Fáìlì | cm-3 | 1.00E+18 | |
| Ifarada Ifọkansi Ifọkansi Layer Buffer | % | ±20% | |
| Fẹ́ẹ̀lì Epi Kìíní | Sisanra Awọn Ipele Epi | um | 11.5 |
| Ìwọ̀n Sísanra Àwọ̀ Eérú | % | ±4% | |
| Ìfaradà sísanra àwọn ìpele Epi ((Spec- Pupọ julọ, Min)/Spec) | % | ±5% | |
| Ìfojúsùn Epi Layer | cm-3 | 1E 15~ 1E 18 | |
| Ifarada Ifojusi Epi Layer | % | 6% | |
| Ìṣọ̀kan Ìfojúsùn Epi Layer (σ) /ìwọ̀n) | % | ≤5% | |
| Ìṣọ̀kan Ìfọkànsí Epi Layer <(o pọju-iṣẹju)/(o pọju+iṣẹju> | % | ≤ 10% | |
| Apẹrẹ Wafer Epitaixal | Ọrun tẹríba | um | ≤±20 |
| ÌWÀRÀ | um | ≤30 | |
| TV | um | ≤ 10 | |
| LTV | um | ≤2 | |
| Àwọn Ànímọ́ Gbogbogbòò | Gígùn àwọn ìkọ́ | mm | ≤30mm |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | - | Kò sí ọ̀kankan | |
| Ìtumọ̀ àwọn àbùkù | ≥97% (A wọn pẹlu 2 * 2, Àwọn àbùkù apànìyàn pẹ̀lú: Àwọn àbùkù pẹ̀lú Pípù kékeré/Àwọn ihò ńlá, Karọọti, Onígun mẹ́ta | ||
| Ìbàjẹ́ irin | àwọn átọ̀mù/cm² | d f f ll i ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àpò | Awọn alaye iṣakojọpọ | Àwọn pcs/àpótí | kasẹti oni-wafer pupọ tabi apoti wafer kan ṣoṣo |
| Ìlànà epitaxial N-type 8-inch | |||
| Pílámẹ́rà | ẹyọ kan | Àwọn Z-MOS | |
| Irú | Ìwà/Ìbáṣepọ̀ | - | Iru N / Nitrogen |
| Fẹlẹfẹlẹ ìpamọ́ | Sisanra Fẹlẹfẹlẹ Buffer | um | 1 |
| Ifarada Sisanra Layer | % | ±20% | |
| Ìfojúsùn Fọ́fà Fáìlì | cm-3 | 1.00E+18 | |
| Ifarada Ifọkansi Ifọkansi Layer Buffer | % | ±20% | |
| Fẹ́ẹ̀lì Epi Kìíní | Isanra Awọn fẹlẹfẹlẹ Epi Apapọ | um | 8~ 12 |
| Ìwọ̀n Sísanra Àwọn Fẹ́ẹ̀lì Epi Ìṣọ̀kan (σ/apapọ̀) | % | ≤2.0 | |
| Ìfarada Sisanra Awọn Fẹlẹfẹlẹ Epi((Spec -Max, Min)/Spec) | % | ±6 | |
| Epi Layers Net Average Doping | cm-3 | 8E+15 ~2E+16 | |
| Ìṣọ̀kan Doping Apapọ̀ Epi Layers (σ/apapọ̀) | % | ≤5 | |
| Ìfaradà Doping Nẹ́ẹ̀tì Epi ((Spec -Max，) | % | ± 10.0 | |
| Apẹrẹ Wafer Epitaixal | Mi )/S ) Ìfọwọ́sowọ́pọ̀ | um | ≤50.0 |
| Ọrun tẹríba | um | ± 30.0 | |
| TV | um | ≤ 10.0 | |
| LTV | um | ≤4.0 (10mm×10mm) | |
| Gbogbogbòò Àwọn Ìwà | Àwọn ìkọ́ | - | Gígùn àpapọ̀≤ 1/2 Ìwọ̀n Wafer |
| Àwọn Ẹ̀gbẹ́ Ẹ̀gbẹ́ | - | ≤2 eerun, Gbogbo rediosi ≤1.5mm | |
| Ìbàjẹ́ Àwọn Irin Dídára | àwọn átọ̀mù/cm2 | ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àyẹ̀wò Àbùkù | % | ≥ 96.0 (Àwọn àbùkù 2X2 ní Micropipe/Àwọn ihò ńlá, Karọọti, awọn abawọn onigun mẹta, Awọn isubu, Àwọn ẹ̀yà ara tí ó wà ní ìlà/IGSF-s, BPD) | |
| Ìbàjẹ́ Àwọn Irin Dídára | àwọn átọ̀mù/cm2 | ≤5E10 awọn ọta/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Hg,Na,K,Ti,Ca&Mn) | |
| Àpò | Awọn alaye iṣakojọpọ | - | kasẹti oni-wafer pupọ tabi apoti wafer kan ṣoṣo |
Q1: Àwọn àǹfààní pàtàkì wo ni lílo àwọn wafer SiC ju àwọn wafer silicon ìbílẹ̀ lọ nínú ẹ̀rọ itanna agbára?
A1:
Àwọn wafer SiC ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àǹfààní pàtàkì lórí àwọn wafer silicon (Si) ìbílẹ̀ nínú ẹ̀rọ itanna agbára, pẹ̀lú:
Ṣiṣe ṣiṣe giga: SiC ní bandgap tó gbòòrò (3.26 eV) ní ìfiwéra pẹ̀lú silicon (1.1 eV), èyí tó ń jẹ́ kí àwọn ẹ̀rọ ṣiṣẹ́ ní voltage tó ga, frequency, àti otutu. Èyí ń yọrí sí pípadánù agbára tó kéré sí i àti lílo agbára tó ga jù nínú àwọn ètò ìyípadà agbára.
Ìgbékalẹ̀ Ooru Gíga: Ìgbékalẹ̀ ooru SiC ga ju ti silikoni lọ, èyí tó mú kí ooru máa tàn kálẹ̀ dáadáa nígbà tí a bá ń lo agbára gíga, èyí tó mú kí ìgbẹ́kẹ̀lé àti ìgbésí ayé àwọn ẹ̀rọ agbára sunwọ̀n sí i.
Fóltéèjì Gíga àti Ìmúlò Lọ́wọ́lọ́wọ́: Awọn ẹrọ SiC le mu awọn ipele foliteji giga ati lọwọlọwọ, ti o jẹ ki wọn dara fun awọn ohun elo agbara giga bi awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina, awọn eto agbara isọdọtun, ati awọn awakọ mọto ile-iṣẹ.
Iyara Yiyi Yiyara: Awọn ẹrọ SiC ni awọn agbara iyipada yiyara, eyiti o ṣe alabapin si idinku pipadanu agbara ati iwọn eto, ti o jẹ ki wọn dara julọ fun awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga.
Q2: Kini awọn ohun elo akọkọ ti awọn wafers SiC ninu ile-iṣẹ ọkọ ayọkẹlẹ?
A2:
Nínú ilé iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, a ń lo àwọn wafer SiC ní pàtàkì nínú:
Àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná (EV): Àwọn èròjà tí ó dá lórí SiC bíiàwọn invertersàtiagbara MOSFETsmu ilọsiwaju ati iṣẹ ṣiṣe ti awọn ọkọ ayọkẹlẹ ina mọnamọna pọ si nipa ṣiṣe awọn iyara iyipada yiyara ati iwuwo agbara ti o ga julọ. Eyi yoo yorisi igbesi aye batiri gigun ati iṣẹ ṣiṣe ọkọ gbogbogbo ti o dara julọ.
Àwọn Ẹ̀rọ Agbára Lórí Ọkọ̀: Awọn ẹrọ SiC n ṣe iranlọwọ lati mu ṣiṣe ti awọn eto gbigba agbara lori ọkọ dara si nipa ṣiṣe awọn akoko gbigba agbara yiyara ati iṣakoso ooru to dara julọ, eyiti o ṣe pataki fun awọn EV lati ṣe atilẹyin fun awọn ibudo gbigba agbara agbara giga.
Àwọn Ètò Ìṣàkóso Bátírì (BMS)Imọ-ẹrọ SiC mu ilọsiwaju ṣiṣe tiawọn eto iṣakoso batiri, èyí tó fún wa láyè láti ṣe àtúnṣe fólítì tó dára jù, láti mú agbára wa pọ̀ sí i, àti láti pẹ́ títí fún ìgbà tí bátìrì yóò fi pẹ́.
Àwọn Ayípadà DC-DCÀwọn wafer SiC ni a lò nínúÀwọn olùyípadà DC-DCláti yí agbára DC oní-fóltéèjì gíga padà sí agbára DC oní-fóltéèjì kékeré ní ọ̀nà tó dára jù, èyí tó ṣe pàtàkì nínú àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ iná mànàmáná láti ṣàkóso agbára láti inú bátírì sí onírúurú ẹ̀yà ara ọkọ̀.
Iṣẹ́ gíga jùlọ ti SiC nínú àwọn ohun èlò tó ní foliteji gíga, iwọn otutu gíga, àti àwọn ohun èlò tó lágbára mú kí ó ṣe pàtàkì fún ìyípadà ilé iṣẹ́ ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ sí ìṣíkiri iná mànàmáná.
