Ẹ̀rọ gige waya silikoni carbide diamond 4/6/8/12 inch SiC ingot processing

Ẹ̀rọ ìgé wáyà oníwọ̀n kábídì oníwọ̀n kábídì oníwọ̀n kábídì 4/6/8/12 inch SiC ingot tí a fi àwòrán hàn

Àpèjúwe Kúkúrú:

Ẹ̀rọ gige waya Diamond Waya Silicon carbide jẹ́ irú ẹ̀rọ iṣiṣẹ́ tó péye tó sì ṣe kedere tí a yà sọ́tọ̀ fún ìgé ingot silicon carbide (SiC), nípa lílo ìmọ̀ ẹ̀rọ Diamond Wire Saw, nípasẹ̀ waya diamond tó ń gbéra ní iyara (ìwọ̀n ìlà 0.1~0.3mm) sí SiC ingot multi-waya gígé, láti ṣe àṣeyọrí ìpèsè wafer tó péye, tó sì ní ìbàjẹ́ díẹ̀. A ń lo ẹ̀rọ náà dáadáa nínú SiC power semiconductor (MOSFET/SBD), radio frequency device (GaN-on-SiC) àti optoelectronic device substrate processing, ó sì jẹ́ ohun èlò pàtàkì nínú ẹ̀wọ̀n ilé iṣẹ́ SiC.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Ilana Iṣiṣẹ:

1. Ìmúdàgba Ingot: A fi SiC ingot (4H/6H-SiC) sí orí pẹpẹ ìgé láti inú ohun èlò náà láti rí i dájú pé ipò náà péye (±0.02mm).

2. Ìṣípo ìlà dáyámọ́ńdì: ìlà dáyámọ́ńdì (àwọn èròjà dáyámọ́ńdì oníná lórí ojú ilẹ̀) ni ètò kẹ̀kẹ́ ìtọ́sọ́nà ń darí fún ìṣànkiri iyàrá gíga (ìyára ìlà 10~30m/s).

3. Ìwọ̀n oúnjẹ gígé: a máa ń fi ingot sí ibi tí a ti ṣètò, a sì máa ń gé ìlà dáyámọ́ǹdì ní àkókò kan náà pẹ̀lú ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìlà tí ó jọra (100 ~ 500 ìlà) láti ṣẹ̀dá ọ̀pọ̀lọpọ̀ wafers.

4. Ìtútù àti yíyọ ërún kúrò: Fọ́n omi ìtútù (omi tí a ti yọ kúrò + àwọn afikún) sí ibi tí a ti gé e láti dín ìbàjẹ́ ooru kù kí a sì yọ ërún kúrò.

Awọn ipilẹ pataki:

1. Iyara gige: 0.2~1.0mm/min (da lori itọsọna kristali ati sisanra ti SiC).

2. Ìtẹ̀sí ìlà: 20~50N (ó rọrùn láti fọ́ ìlà, ó kéré jù láti ní ipa lórí ìṣedéédé gígé).

3. Sisanra Wafer: boṣewa 350 ~ 500μm, wafer le de ọdọ 100μm.

Awọn ẹya pataki:

(1) Ige deedee
Ìfaradà sísanra: ±5μm (@350μm wafer), ó sàn ju gígé amọ̀ ìbílẹ̀ lọ (±20μm).

Rírọrùn ojú ilẹ̀: Ra<0.5μm (kò nílò lílọ síi láti dín iye ìṣiṣẹ́ tí ó tẹ̀lé e kù).

Ìjáde: <10μm (dínkù ìṣòro ìfọ́mọ́ tó tẹ̀lé e).

(2) Lilo ṣiṣe ilana naa munadoko
Gígé onílà púpọ̀: gígé 100 ~ 500 ege ní àkókò kan, mímú agbára ìṣẹ̀dá pọ̀ sí i ní ìgbà 3 ~ 5 (àfi bí a ṣe gé onílà kan ṣoṣo).

Ìgbésí ayé ìlà: Ìlà dáyámọ́ńdì lè gé 100 ~ 300km SiC (ó da lórí líle ingot àti ìṣàtúnṣe ilana).

(3) Iṣẹ́ ìbàjẹ́ kékeré
Ìfọ́ etí: <15μm (gígé ìbílẹ̀ > 50μm), mu èso wafer náà sunwọ̀n síi.

Ìpele ìbàjẹ́ lábẹ́ ilẹ̀: <5μm (dínkù yíyọ ìfọ́mọ́ra kù).

(4) Ààbò àyíká àti ọrọ̀ ajé
Kò sí ìbàjẹ́ mọ́tò: Owó ìtújáde omi ìdọ̀tí dínkù ní ìfiwéra pẹ̀lú gígé mọ́tò.

Lilo ohun elo: Gbígé àdánù <100μm/ gígé, fifipamọ awọn ohun elo aise SiC.

Ipa gige:

1. Dídára Wafer: kò sí ìfọ́jú lórí ojú ilẹ̀, àwọn àbùkù díẹ̀ (ìfàsẹ́yìn ìtúpalẹ̀ tí a lè ṣàkóso). Ó lè wọ inú ìjápọ̀ ìfọ́jú tí ó le koko, kí ó sì dín ìṣàn iṣẹ́ náà kù.

2. Ìbáramu: ìyàtọ̀ sísanra ti wafer ninu ipele naa jẹ <±3%, o dara fun iṣelọpọ adaṣiṣẹ.

3. Lilo: Ṣe atilẹyin fun gige ingot 4H/6H-SiC, ti o baamu pẹlu iru adaṣiṣẹ/idaabobo-idaabobo.

Ìfitónilétí ìmọ̀-ẹ̀rọ:

Ìlànà ìpele	Àwọn àlàyé
Àwọn ìwọ̀n (L × W × H)	2500x2300x2500 tabi ṣe akanṣe rẹ
Ilana iwọn awọn ohun elo	4, 6, 8, 10, 12 inches ti silikoni carbide
Ríru ojú ilẹ̀	Ra≤0.3u
Iyara gige apapọ	0.3mm/ìṣẹ́jú
Ìwúwo	5.5t
Awọn igbesẹ eto ilana gige	Awọn igbesẹ ≤30
Ariwo ohun elo	≤80 dB
Waya irin ti o nira	0~110N(Títẹ̀lé wáyà 0.25 jẹ́ 45N)
Iyara okun irin	0~30m/S
Agbára gbogbogbò	50kw
Okùn waya Diamond iwọn ila opin	≥0.18mm
Ipari sipele	≤0.05mm
Oṣuwọn gige ati fifọ	≤1% (ayafi fun awọn idi eniyan, ohun elo silikoni, laini, itọju ati awọn idi miiran)

Awọn iṣẹ XKH:

XKH n pese gbogbo iṣẹ ilana ti ẹrọ gige waya silikoni carbide diamond, pẹlu yiyan awọn ohun elo (iwọn ila opin waya/ibaramu iyara waya), idagbasoke ilana (iṣeto paramita gige), ipese awọn ohun elo (waya diamond, kẹkẹ itọsọna) ati atilẹyin lẹhin tita (itọju ohun elo, itupalẹ didara gige), lati ṣe iranlọwọ fun awọn alabara lati ṣaṣeyọri eso giga (>95%), iṣelọpọ ibi-wafer SiC ti o gbowolori. O tun nfunni ni awọn igbesoke ti a ṣe adani (bii gige tinrin pupọ, gbigbe ẹrù adaṣe ati gbigba silẹ) pẹlu akoko itọsọna ọsẹ 4-8.