Ohun èlò ìtọ́jú wafer fún ṣíṣe wafer Sapphire/SiC/Si 4 Inch-12 Inch

1. Àkójọpọ̀ Tó Tẹ̀síwájú
• Àwọn IC 3D: Fífúnpọ̀ Wafer ń jẹ́ kí a kó àwọn ërún logical/memory stop dúró ní inaro (fún àpẹẹrẹ, àwọn HBM stacks), tí ó ń mú kí bandwidth tó ga tó 10× àti agbára tí a dínkù tó 50% ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ojutu 2.5D. Ẹ̀rọ náà ń ṣe àtìlẹ́yìn fún ìsopọ̀pọ̀ hybrid àti ìṣọ̀kan TSV (Through-Silicon Via), èyí tó ṣe pàtàkì fún àwọn ero isise AI/ML tí wọ́n nílò ìsopọ̀pọ̀ <10 μm. Fún àpẹẹrẹ, àwọn wafer 12-inch tí a ti dínkù sí 25 μm ń jẹ́ kí a kó àwọn fẹlẹfẹlẹ 8+ jọ nígbà tí a ń pa wíwọ́pọ̀ <1.5% mọ́, èyí tó ṣe pàtàkì fún àwọn eto LiDAR mọ́tò.

• Àpò ìfàfẹ́ẹ́: Nípa dídín ìwọ̀n wafer kù sí 30 μm, gígùn ìsopọ̀pọ̀ a dínkù sí 50%, èyí tí ó dín ìdádúró àmì kù (<0.2 ps/mm) tí ó sì ń mú kí àwọn chiplets tín-tín 0.4 mm ṣeé lò fún àwọn SoCs alágbékalẹ̀. Ìlànà náà ń lo àwọn algoridimu ìlọ tí a san owó fún láti dènà ogun (>50 μm ìṣàkóso TTV), èyí tí ó ń rí i dájú pé a lè gbẹ́kẹ̀lé wọn nínú àwọn ohun èlò RF onígbà púpọ̀.

2. Ẹ̀rọ itanna
• Àwọn Módù IGBT: Fífún sí 50 μm dín agbára ìgbóná kù sí <0.5°C/W, èyí tí ó mú kí 1200V SiC MOSFETs ṣiṣẹ́ ní ìwọ̀n otútù 200°C. Àwọn ohun èlò wa ń lo ìlọsíwájú onípele púpọ̀ (ìwọ̀n gígùn: 46 μm grit → fine: 4 μm grit) láti mú ìbàjẹ́ kúrò ní abẹ́ ilẹ̀, tí ó sì ń ṣe àṣeyọrí ju 10,000 cycles ti ìgbẹ́kẹ̀lé ìyípo ooru lọ. Èyí ṣe pàtàkì fún àwọn inverters EV, níbi tí àwọn wafer SiC tí ó nípọn 10 μm mú kí iyàrá ìyípadà sunwọ̀n síi ní 30%.
• Àwọn Ẹ̀rọ Agbára GaN-on-SiC: Wáfà tí ó dínkù sí 80 μm mú kí ìṣíkiri elekitironi (μ > 2000 cm²/V·s) pọ̀ sí i fún GaN HEMTs 650V, èyí tí ó dín àdánù ìfàsẹ́yìn kù ní 18%. Ìlànà náà ń lo dígí tí a fi lésà ṣe láti dènà ìfọ́ nígbà tí ó bá fẹ́rẹ̀, èyí sì ń mú kí ó dín síi ní ìwọ̀n etí 5 μm fún àwọn amplifiers agbára RF.

3. Optoelectronics​
• Àwọn LED GaN-on-SiC: Àwọn ohun èlò ìṣàpẹẹrẹ sapphire 50 μm mú kí iṣẹ́ ìyọkúrò ìmọ́lẹ̀ (LEE) sunwọ̀n síi sí 85% (ní ìfiwéra pẹ̀lú 65% fún àwọn wafers 150 μm) nípa dídín ìdènà àwọn photon kù. Ìṣàkóso TTV tí ó kéré gan-an (<0.3 μm) ti ohun èlò wa ń rí i dájú pé ìtújáde LED kan náà kọjá àwọn wafers 12-inch, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún àwọn ìfihàn Micro-LED tí ó nílò ìwọ̀n ìgbì omi <100nm.
• Silicon Photonics: Àwọn wafer silicon tí ó nípọn 25μm mú kí àdánù ìtànṣán 3 dB/cm dínkù nínú àwọn waveguides, èyí tí ó ṣe pàtàkì fún àwọn transceivers optical 1.6 Tbps. Ìlànà náà ń so CMP smoothing pọ̀ láti dín ìfọ́ ojú ilẹ̀ kù sí Ra <0.1 nm, èyí sì ń mú kí ìṣiṣẹ́ ìsopọ̀ pọ̀ sí i ní 40%.

4. Awọn sensọ MEMS
• Àwọn ohun èlò ìfàsẹ́yìn: Àwọn ohun èlò ìfàsẹ́yìn sílíkọ́nì 25 μm máa ń ṣe àṣeyọrí SNR >85 dB (tí a bá fi wé 75 dB fún àwọn ohun èlò ìfàsẹ́yìn 50 μm) nípa mímú kí ìmọ̀lára ìyípadà ibi-ẹ̀rọ tó dájú pọ̀ sí i. Ètò ìlọ ẹ̀rọ onípele méjì wa máa ń san owó fún àwọn ìpele ìdààmú, èyí sì máa ń mú kí ìwọ̀n ìfàsẹ́yìn <0.5% wà lórí -40°C sí 125°C. Àwọn ohun èlò náà ni wíwá ìjamba ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ àti títẹ̀lé ìṣísẹ̀ AR/VR.

• Àwọn Sensọ Ìfúnpá: Títẹ́jú sí 40 μm mú kí ìwọ̀n ọ̀pá 0–300 wà láàárín <0.1% FS hysteresis. Nípa lílo ìsopọ̀ ìgbà díẹ̀ (àwọn ohun èlò dígí), ìlànà náà yẹra fún ìfọ́ wafer nígbà tí a bá ń fi ẹ̀rọ gé ẹ̀yìn, èyí tí yóò mú kí àwọn sensọ IoT ilé iṣẹ́ lè fara da ìfúnpá <1 μm.

• Ìṣọ̀kan Ìmọ̀-ẹ̀rọ: Ohun èlò ìfọ́n wafer wa so ìfọ́n mechanical, CMP, àti plasma etching pọ̀ láti kojú onírúurú ìpèníjà ohun èlò (Si, SiC, Sapphire). Fún àpẹẹrẹ, GaN-on-SiC nílò ìfọ́n adàpọ̀ (àwọn kẹ̀kẹ́ dáyámọ́ǹdì + plasma) láti ṣe ìwọ̀n líle àti ìfẹ̀sí ooru, nígbà tí àwọn sensọ MEMS nílò ìfọ́n ojú ilẹ̀ tí ó wà ní ìsàlẹ̀ 5 nm nípasẹ̀ ìfọ́n CMP.

• Ipa Ile-iṣẹ: Nipa ṣiṣe awọn wafers tinrin ati iṣẹ ṣiṣe giga, imọ-ẹrọ yii n ṣe awakọ awọn imotuntun ninu awọn eerun AI, awọn modulu mmWave 5G, ati awọn ẹrọ itanna ti o rọ, pẹlu awọn ifarada TTV <0.1 μm fun awọn ifihan ti o le ṣe pọ ati <0.5 μm fun awọn sensọ LiDAR ọkọ ayọkẹlẹ.