LT Lithium Tantalate (LiTaO3) Crystal 2inch/3inch/4inch/6寸inch Orientaiton Y-42°/36°/108° Sisanra 250-500um

Àpèjúwe Kúkúrú:

Àwọn wafer LiTaO₃ dúró fún ètò piezoelectric àti ferroelectric tó ṣe pàtàkì, wọ́n ń fi àwọn ohun èlò piezoelectric tó yàtọ̀ hàn, ìdúróṣinṣin ooru, àti àwọn ohun ìní opitika tó yàtọ̀, èyí tó mú kí wọ́n jẹ́ ohun pàtàkì fún àwọn àlẹ̀mọ́ ìgbì omi ojú ilẹ̀ (SAW), àwọn ohun èlò ìgbì omi ojú ilẹ̀ (BAW), àwọn ohun èlò ìṣàtúnṣe opitika, àti àwọn ohun èlò ìṣàtúnṣe infrared. XKH ṣe amọ̀jọ̀gbọ́n nínú R&D àti ìṣẹ̀dá wafer LiTaO₃ tó ga, nípa lílo ìdàgbàsókè crystal Czochralski (CZ) àti àwọn ìlànà liquid phase epitaxy (LPE) tó ti ní ìlọsíwájú láti rí i dájú pé ó ní ìṣọ̀kan crystalline pẹ̀lú àwọn ìwọ̀n àbùkù <100/cm².

XKH n pese awọn wafers LiTaO₃ 3-inch, 4-inch, ati 6-inch pẹlu ọpọlọpọ awọn itọsọna crystallographic (X-cut, Y-cut, Z-cut), ti n ṣe atilẹyin fun doping ti a ṣe adani (Mg, Zn) ati awọn itọju poling lati ba awọn ibeere pataki mu. Awọn iduroṣinṣin dielectric ti ohun elo naa (ε~40-50), coefficient piezoelectric (d₃₃~8-10 pC/N), ati iwọn otutu Curie (~600°C) fi idi LiTaO₃ mulẹ gẹgẹbi ipilẹ ti o fẹran fun awọn àlẹmọ igbohunsafẹfẹ giga ati awọn sensọ deede.

Iṣẹ́ ìṣẹ̀dá wa tí a ṣe ní ìṣọ̀kan ní ọ̀nà tí ó wọ́pọ̀ ní ìdàgbàsókè kírísítàlì, ìfọ́mọ́, ìfọ́mọ́, àti ìfipamọ́ fíìmù tín-tín, pẹ̀lú agbára ìṣẹ̀dá oṣooṣù tí ó ju 3,000 wafers lọ láti ṣe ìránṣẹ́ fún ìbánisọ̀rọ̀ 5G, ẹ̀rọ itanna oníbàárà, photonics, àti àwọn ilé iṣẹ́ ààbò. A ń pèsè ìmọ̀ràn ìmọ̀-ẹ̀rọ pípéye, àpẹẹrẹ ìṣàfihàn, àti àwọn iṣẹ́ ìṣàfihàn oníwọ̀n kékeré láti fi àwọn ojútùú LiTaO₃ tí a ṣe àtúnṣe hàn.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Àwọn ẹ̀yà ara

Awọn eto imọ-ẹrọ

Orúkọ	LiTaO3-ìpele opitika	Ipele tabili ohun LiTaO3
Àsíkà	Gígé Z + / - 0.2 °	Gé 36 ° Y / Gé 42 ° Y / Gé X(+ / - 0.2 °)
Iwọn opin	76.2mm + / - 0.3mm/100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Pẹpẹ Dátúmù	22mm + / - 2mm	22mm +/-2mm32mm + /-2mm
Sisanra	500um + /-5mm1000um + /-5mm	500um + /-20mm350um + /-20mm
TV	≤ 10um	≤ 10um
Iwọn otutu Curie	605 °C + / - 0.7 °C (Ọ̀nà DTA)	605 °C + / -3 °C (Ọ̀nà DTA
Dídára ojú ilẹ̀	Ṣíṣe ìfọṣọ ẹ̀gbẹ́ méjì	Ṣíṣe ìfọṣọ ẹ̀gbẹ́ méjì
Àwọn ẹ̀gbẹ́ Chamfered	ìyípo etí	ìyípo etí

Àwọn Ànímọ́ Pàtàkì

1. Ìṣètò Kírísítà àti Iṣẹ́ Ìmọ́lẹ̀

· Ìdúróṣinṣin kirisitalografiki: 100% 4H-SiC polytype dominance, ò sí àwọn ìfikún multicrystalline (fún àpẹẹrẹ, 6H/15R), pẹ̀lú ìlà XRD rocking rocking full-width ní ààbọ̀-maximum (FWHM) ≤32.7 arcsec.
· Ìrìn-àjò Gíga: Ìrìn-àjò elekitironi ti 5,400 cm²/V·s (4H-SiC) ati ìrìn-àjò ihò ti 380 cm²/V·s, èyí tí ó mú kí àwọn ẹ̀rọ ìgbàlódé gíga ṣeé ṣe.
· Líle Ìtànṣán: Ó dúró ṣinṣin ìtànṣán neutron 1 MeV pẹ̀lú ààlà ìbàjẹ́ ìyípadà ti 1×10¹⁵ n/cm², ó dára fún àwọn ohun èlò afẹ́fẹ́ àti àwọn ohun èlò amúlétutù.

2.Awọn Ohun-ini Gbona ati Mechanical

· Ìgbékalẹ̀ ooru tó yàtọ̀: 4.9 W/cm·K (4H-SiC), ìlọ́po mẹ́ta ti silikoni, tó ń ṣe àtìlẹ́yìn fún iṣẹ́ tó ga ju 200°C lọ.
· Ìfàsẹ́yìn ooru kékeré: CTE ti 4.0×10⁻⁶/K (25–1000°C), ó ń rí i dájú pé ó bá àpò tí a fi silicon ṣe mu, ó sì ń dín wahala ooru kù.

3. Iṣakoso Àìpé àti Ìtọ́jú Pípé
o
· Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́kírọ́: <0.3 cm⁻² (àwọn wáfárì 8-inch), ìwọ̀n ìyípadà <1,000 cm⁻² (tí a fi KOH ṣe ìwádìí rẹ̀).
· Dídára ojú ilẹ̀: CMP-dán mọ́lẹ̀ sí Ra <0.2 nm, ó sì bá àwọn ohun tí EUV béèrè fún ní ìpele ìpele lithography mu.

Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

Àgbègbè	Awọn oju iṣẹlẹ Ohun elo	Awọn anfani imọ-ẹrọ
Awọn ibaraẹnisọrọ oju	Àwọn lésà 100G/400G, àwọn módù àdàpọ̀ silicon photonics	Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ irugbin InP ń mú kí bandgap tààrà (1.34 eV) àti heteroepitaxy tí a fi Si ṣe ṣiṣẹ́, èyí tí ó ń dín àdánù ìsopọ̀ optical kù.
Awọn ọkọ ayọkẹlẹ agbara tuntun	Àwọn ẹ̀rọ amúlétutù folti gíga 800V, àwọn ẹ̀rọ amúlétutù inú ọkọ̀ (OBC)	Àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ 4H-SiC dúró ṣinṣin ju 1,200 V lọ, èyí tí ó dín àdánù ìdarí kù ní 50% àti ìwọ̀n ètò náà ní 40%.
Awọn ibaraẹnisọrọ 5G	Àwọn ẹ̀rọ RF oní-millimeter-igbi (PA/LNA), àwọn amplifiers agbára ibùdó ìpìlẹ̀	Àwọn ohun èlò SiC tí ó ní ìdábùú díẹ̀ (resistvivity >10⁵ Ω·cm) ń jẹ́ kí ìṣọ̀kan onígbà púpọ̀ (60 GHz+) ṣeé ṣe.
Ẹrọ Ile-iṣẹ	Àwọn sensọ̀ iwọn otutu gíga, àwọn àyípadà ìsinsìnyí, àwọn àwòjìji reactor àgbáyé	Àwọn ohun èlò ìpìlẹ̀ InSb (ìwọ̀n bandgap 0.17 eV) ń fúnni ní ìmọ̀lára oofa tó tó 300%@10 T.

Àwọn Wafer LiTaO₃ - Àwọn Ànímọ́ Pàtàkì

1. Iṣẹ́ Piezoelectric Tó Ga Jùlọ

· Àwọn iye piezoelectric gíga (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0.5%) mú kí àwọn ẹ̀rọ SAW/BAW onígbà púpọ̀ pẹ̀lú pípadánù ìfisí <1.5dB fún àwọn àlẹ̀mọ́ RF 5G

· Ìsopọ̀ electromechanical tó dára jùlọ ń ṣe àtìlẹ́yìn fún àwọn àlẹ̀mọ́ àlẹ̀mọ́ tó gbòòrò (≥5%) fún àwọn ohun èlò sub-6GHz àti mmWave

2. Àwọn Ohun Èlò Ojú

· Ìfihàn ẹ̀rọ ìbánisọ̀rọ̀ (>70% ìfiranṣẹ́ láti 400-5000nm) fún àwọn olùmúdánwò electro-optic tí wọ́n ń ṣe àṣeyọrí bandwidth >40GHz

· Agbara opitika ti ko ni ila ti o lagbara (χ⁽²⁾~30pm/V) n mu ki iran harmonic keji (SHG) munadoko ninu awọn eto lesa

3. Ìdúróṣinṣin Àyíká

· Iwọn otutu Curie giga (600°C) n ṣetọju idahun piezoelectric ni awọn agbegbe ọkọ ayọkẹlẹ (-40°C si 150°C)

· Ailera kemikali lodi si awọn acids/alkalies (pH1-13) ṣe idaniloju igbẹkẹle ninu awọn ohun elo sensọ ile-iṣẹ

4. Àwọn Agbára Ṣíṣe Àtúnṣe

· Ìmọ̀ ẹ̀rọ ìtọ́sọ́nà: X-ge (51°), Y-ge (0°), Z-ge (36°) fún àwọn ìdáhùn piezoelectric tí a ṣe àdáni

· Àwọn àṣàyàn ìfúnni oògùn: Mg-doped (ìdènà ìbàjẹ́ ojú), Zn-doped (d₃₃ tí a mú sunwọ̀n síi)

· Àwọn ìparí ojú ilẹ̀: Ìmúdàgba tí a ti ṣetán láti múra sílẹ̀ fún Epitaxial (Ra<0.5nm), ìṣẹ̀dá irin ITO/Au

Àwọn Wafer LiTaO₃ - Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì

1. Awọn Modulu Iwaju-Ipari RF

· Àwọn àlẹ̀mọ́ 5G NR SAW (Ẹgbẹ́ n77/n79) pẹ̀lú ìwọ̀n otútù ti ìgbóná (TCF) <|-15ppm/°C|

· Àwọn ohun amúsọ̀rọ̀ BAW tó gbòòrò fún WiFi 6E/7 (5.925-7.125GHz)

2. Àwọn fọ́tòníkì tí a ṣepọ

· Àwọn modulators Mach-Zehnder oníyàrá gíga (>100Gbps) fún ìbánisọ̀rọ̀ opitika tó sopọ̀ mọ́ra

· Àwọn ohun èlò ìwádìí infrared QWIP pẹ̀lú àwọn ìgbì gígùn tí a lè yí padà láti 3-14μm

3. Àwọn Ẹ̀rọ Ìmọ́tò Ọkọ̀

· Awọn sensọ ibi ipamọ Ultrasonic pẹlu igbohunsafẹfẹ iṣiṣẹ ti o ju 200kHz lọ

· Àwọn ẹ̀rọ transducers TPMS piezoelectric tí ó yege -40°C sí 125°C lílọ kiri ooru

4. Àwọn Ètò Ààbò

· Àwọn àlẹ̀mọ́ olugba EW pẹ̀lú ìkọ̀sílẹ̀ tí kò ní ìjákulẹ̀ tó ju 60dB lọ

· Àwọn fèrèsé IR olùwá missile tí ń gbé ìtànṣán MWIR 3-5μm jáde

5. Àwọn Ìmọ̀-ẹ̀rọ Tó Ń Kún Jùlọ

· Awọn ẹrọ iyipada kuatomu oju fun iyipada makirowefu si oju

· Àwọn ètò PMUT fún àwòrán oníṣègùn (>20MHz resolution)

Àwọn Wafer LiTaO₃ - Àwọn Iṣẹ́ XKH

1. Ìṣàkóso Ẹ̀wọ̀n Ipèsè

· Iṣẹ́ àgbékalẹ̀ Boule-to-wafer pẹ̀lú àkókò ìdarí ọ̀sẹ̀ mẹ́rin fún àwọn ìlànà ìpele tó wọ́pọ̀

· Iṣẹ́jade ti a ṣe iṣapeye fun iye owo ti n pese anfani idiyele 10-15% ni akawe pẹlu awọn oludije

2. Awọn Ojutu Aṣa

· Ìwọ̀n ìfàmọ́ra pàtó fún ìtọ́sọ́nà: 36°±0.5° Y-ge fún iṣẹ́ SAW tó dára jùlọ

· Àwọn àkópọ̀ ìtọ́jú tí a ti tọ́jú: MgO (5mol%) ìtọ́jú ìtọ́jú ìlera fún àwọn ohun èlò ìtọ́jú ojú

Awọn iṣẹ iṣipopada irin: Ṣiṣe ilana elekitirodu Cr/Au (100/1000Å)

3. Atilẹyin imọ-ẹrọ

· Àpèjúwe ohun èlò: Àwọn ìlà ìró XRD (FWHM<0.01°), ìṣàyẹ̀wò ojú AFM

· Ṣíṣe àwòṣe ẹ̀rọ: Ṣíṣe àwòṣe FEM fún ṣíṣe àwòṣe àlẹ̀mọ́ SAW

Ìparí

Àwọn wafers LiTaO₃ ń tẹ̀síwájú láti mú kí ìlọsíwájú ìmọ̀ ẹ̀rọ tàn káàkiri ìbánisọ̀rọ̀ RF, àwọn photonics tí a ti ṣepọ, àti àwọn sensọ ayika líle. Ìmọ̀ nípa ohun èlò XKH, ìṣelọ́pọ́ ìṣelọ́pọ́, àti ìrànlọ́wọ́ ìmọ̀ ẹ̀rọ ohun èlò ń ran àwọn oníbàárà lọ́wọ́ láti borí àwọn ìpèníjà ìṣètò nínú àwọn ẹ̀rọ itanna ìran tí ń bọ̀.