Wafer LiTaO3 2in-8inches 10x10x0.5 mm 1sp 2sp fún àwọn ìbánisọ̀rọ̀ 5G/6G
Awọn eto imọ-ẹrọ
| Orúkọ | LiTaO3-ìpele opitika | Ipele tabili ohun LiTaO3 |
| Àsíkà | Gígé Z + / - 0.2 ° | Gé 36 ° Y / Gé 42 ° Y / Gé X (+ / - 0.2 °) |
| Iwọn opin | 76.2mm + / - 0.3mm/ 100±0.2mm | 76.2mm + /-0.3mm 100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm |
| Pẹpẹ Dátúmù | 22mm + / - 2mm | 22mm +/-2mm 32mm + /-2mm |
| Sisanra | 500um + /-5mm 1000um + /-5mm | 500um + /-20mm 350um + /-20mm |
| TV | ≤ 10um | ≤ 10um |
| Iwọn otutu Curie | 605 °C + / - 0.7 °C (Ọ̀nà DTA) | 605 °C + / -3 °C (Ọ̀nà DTA |
| Dídára ojú ilẹ̀ | Ṣíṣe ìfọṣọ ẹ̀gbẹ́ méjì | Ṣíṣe ìfọṣọ ẹ̀gbẹ́ méjì |
| Àwọn ẹ̀gbẹ́ Chamfered | ìyípo etí | ìyípo etí |
Àwọn Ànímọ́ Pàtàkì
1. Iṣẹ ina ati iṣẹ opitika
· Electro-Optic Coefficient: r33 dé 30 pm/V (X-cut), 1.5× ga ju LiNbO3 lọ, èyí tó mú kí àtúnṣe electro-optic ultra-wideband (>40 GHz bandwidth).
· Ìdáhùn Onípele Gíga: Ìwọ̀n ìfiranṣẹ́ 0.4–5.0 μm (ìwọ̀n 8 mm), pẹ̀lú etí ìfàmọ́ra ultraviolet tó kéré tó 280 nm, ó dára fún àwọn lésà UV àti àwọn ẹ̀rọ àmì quantum.
· Ìṣọ̀kan Pyroelectric Kekere: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), èyí tó ń rí i dájú pé ó dúró ṣinṣin nínú àwọn sensọ infurarẹẹdi tó ní iwọ̀n otútù gíga.
2. Awọn Ohun-ini Igbona ati Mechanical
· Ìgbékalẹ̀ ooru gíga: 4.6 W/m·K (ìgé X), ìlọ́po mẹ́rin ti quartz, ìyípo ooru -200–500°C tí ó dúró.
· Ìfàsẹ́yìn ooru kékeré: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), tó bá àpò ìpamọ́ silikoni mu láti dín wahala ooru kù.
3. Iṣakoso Àìpé àti Ìṣiṣẹ́ Pípé
· Ìwọ̀n Pípù Mọ́kírọ́kírọ́: <0.1 cm⁻² (àwọn wáfárì 8-inch), ìwọ̀n ìyípadà <500 cm⁻² (tí a fi KOH ṣe ìwádìí rẹ̀).
· Dídára ojú ilẹ̀: CMP-dán mọ́lẹ̀ sí Ra <0.5 nm, ó sì bá àwọn ohun tí EUV béèrè fún ní ìpele ìpele lithography mu.
Àwọn Ohun Èlò Pàtàkì
| Domain | Awọn oju iṣẹlẹ Ohun elo | Awọn anfani imọ-ẹrọ |
| Awọn ibaraẹnisọrọ oju | Àwọn lésà DWDM 100G/400G, àwọn módùlù àdàpọ̀ silicon photonics | Gbigbe ìrísí ìrísí LiTaO3 wafer àti pípadánù ìṣàkóṣo ìgbìmọ̀ kékeré (α <0.1 dB/cm) mú kí ìfẹ̀sí ìpele C ṣeé ṣe. |
| Awọn ibaraẹnisọrọ 5G/6G | Àwọn àlẹ̀mọ́ SAW (1.8–3.5 GHz), àwọn àlẹ̀mọ́ BAW-SMR | Àwọn wafer tí a gé ní 42° Y máa ń yọrí sí Kt² >15%, èyí tí ó máa ń mú kí ìpàdánù ìfisí kékeré (<1.5 dB) àti ìyípo gíga (>30 dB). |
| Awọn Imọ-ẹrọ Quantum | Àwọn ohun tí ń ṣe àwárí fọ́tònì kan ṣoṣo, àwọn orísun ìyípadà parametric sí ìsàlẹ̀ | Ìwọ̀n gíga tí kìí ṣe ti ìlà (χ(2)=40 pm/V) àti ìwọ̀n ìkà dúdú kékeré (<100 count/s) mú kí ìdúróṣinṣin kuantum pọ̀ sí i. |
| Ìmọ̀ nípa Ilé-iṣẹ́ | Awọn sensọ titẹ iwọn otutu giga, awọn iyipada lọwọlọwọ | Ìdáhùn piezoelectric LiTaO3 wafer (g33 >20 mV/m) àti ìfaradà iwọ̀n otútù gíga (>400°C) bá àyíká tó le koko mu. |
Awọn iṣẹ XKH
1. Ṣíṣe Wafer Àṣà
· Ìwọ̀n àti Gígé: Àwọn wáfárì oníwọ̀n 2–8-inch pẹ̀lú X/Y/Z-ge, 42°Y-ge, àti àwọn ìge onígun àṣà (±0.01° ìfaradà).
· Ìṣàkóso Ìtọ́jú ...
2. Awọn Imọ-ẹrọ Ilana To ti ni ilọsiwaju
o
· Ìlànà Ìlànà Onígbà-pípẹ́ (PPLT): Ìmọ̀-ẹ̀rọ Smart-Cut fún àwọn wafers LTOI, tí ó ń ṣàṣeyọrí ±10 nm domain period conception àti quasi-phase-matched (QPM) frequency converter.
· Ìṣọ̀kan Onírúurú: Àwọn wafers àdàpọ̀ LiTaO3 tí a fi Si ṣe (POI) pẹ̀lú ìṣàkóso sísanra (300–600 nm) àti ìyípadà ooru tó tó 8.78 W/m·K fún àwọn àlẹ̀mọ́ SAW onígbà púpọ̀.
3. Awọn Eto Isakoso Didara
o
· Ìdánwò láti òpin sí òpin: Ìwòran Raman (ìjẹ́rìísí onírúurú), XRD (kirisitalinítì), AFM (ìrísí ojú ilẹ̀), àti ìdánwò ìṣọ̀kan ojú (Δn <5×10⁻⁵).
4. Atilẹyin Pq Ipese Agbaye
o
· Agbára Ìṣẹ̀dá: Ìṣẹ̀dá oṣooṣù >5,000 wafers (8-inch: 70%), pẹ̀lú ìfiránṣẹ́ pajawiri wákàtí 48.
· Nẹ́ẹ̀tìwọ́ọ̀kì Àwọn Ohun Èlò: Iṣẹ́ àgbékalẹ̀ ní Yúróòpù, Àríwá Amẹ́ríkà, àti Éṣíà-Pàsífíìkì nípasẹ̀ ẹrù afẹ́fẹ́/okun pẹ̀lú ìṣàkójọpọ̀ tí a ṣàkóso ní ìwọ̀n otútù.
