SiC sobusitireti P-Iru 4H/6H-P 3C-N 4inch withe sisanra ti 350um Production ite idinwon.

SiC sobusitireti P-Iru 4H/6H-P 3C-N 4inch pẹlu sisanra ti 350um Production ite Idiwon Aworan Ifihan

Apejuwe kukuru:

P-type 4H / 6H-P 3C-N 4-inch SiC sobusitireti, pẹlu sisanra ti 350 μm, jẹ ohun elo semikondokito iṣẹ giga ti o lo pupọ ni iṣelọpọ ẹrọ itanna. Ti a mọ fun adaṣe igbona alailẹgbẹ rẹ, foliteji didenukole giga, ati resistance si awọn iwọn otutu to gaju ati awọn agbegbe ibajẹ, sobusitireti yii jẹ apẹrẹ fun awọn ohun elo itanna agbara. Sobusitireti ti iṣelọpọ ni a lo ni iṣelọpọ iwọn-nla, ni idaniloju iṣakoso didara ti o muna ati igbẹkẹle giga ni awọn ẹrọ itanna to ti ni ilọsiwaju. Nibayi, sobusitireti-ite idinwon jẹ lilo akọkọ fun ṣiṣatunṣe ilana, isọdiwọn ohun elo, ati ṣiṣe apẹrẹ. Awọn ohun-ini giga ti SiC jẹ ki o jẹ yiyan ti o dara julọ fun awọn ẹrọ ti n ṣiṣẹ ni iwọn otutu giga, foliteji giga, ati awọn agbegbe igbohunsafẹfẹ giga, pẹlu awọn ẹrọ agbara ati awọn eto RF.

Fi imeeli ranṣẹ si wa

Alaye ọja

ọja Tags

4inch SiC sobusitireti P-Iru 4H / 6H-P 3C-N paramita tabili

4 inch opin SilikoniCarbide (SiC) Sobusitireti Sipesifikesonu

Ipele			Odo MPD Production Ipele (Z Ipò)	Standard Production Iwọn (P Ipò)	Idiwon ite (D Ipò)
Iwọn opin			99,5 mm ~ 100,0 mm
Sisanra			350 μm ± 25 μm
Wafer Iṣalaye			Pa apa: 2.0°-4.0° si [112(-)0] ± 0.5° fun 4H/6H-P, On ipo: 〈111〉± 0.5 ° fun 3C-N
Iwuwo Micropipe			0 cm-2
Resistivity	p-iru 4H/6H-P		≤0.1 Ωꞏcm		≤0.3 Ωꞏcm
	n-iru 3C-N		≤0.8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primary Flat Iṣalaye		4H/6H-P	- {1010} ± 5.0°
		3C-N	- {110} ± 5.0°
Primary Flat Gigun			32,5 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Gigun			18,0 mm ± 2,0 mm
Atẹle Flat Iṣalaye			Silikoni koju soke: 90° CW. lati NOMBA alapin±5.0°
Iyasoto eti			3 mm		6 mm
LTV/TTV/ Teriba / Warp			≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Irora			Polish Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Eti dojuijako Nipa Ga kikankikan Light			Ko si		Akopọ gigun ≤ 10 mm, ipari kan≤2 mm
Hex farahan Nipa High kikankikan Light			Agbegbe akojọpọ ≤0.05%		Agbegbe akojọpọ ≤0.1%
Awọn agbegbe Polytype Nipa Imọlẹ Kikan Giga			Ko si		Agbegbe akojọpọ≤3%
Visual Erogba Ifisi			Agbegbe akojọpọ ≤0.05%		Agbegbe akojọpọ ≤3%
Silicon Surface Scratches Nipa Giga kikankikan Light			Ko si		Àkópọ̀ gígùn≤1×ìwọ̀n òpin wafer
Eti Chips Ga Nipa kikankikan Light			Ko si idasilẹ ≥0.2mm fifẹ ati ijinle		5 laaye, ≤1 mm kọọkan
Ohun alumọni dada kontaminesonu Nipa Ga kikankikan			Ko si
Iṣakojọpọ			Kasẹti-wafer pupọ tabi Apoti Wafer Kanṣoṣo

Awọn akọsilẹ:

※ Awọn opin awọn abawọn lo si gbogbo dada wafer ayafi fun agbegbe iyasoto eti. # Awọn idọti yẹ ki o ṣayẹwo lori oju Si nikan.

P-type 4H/6H-P 3C-N 4-inch SiC sobusitireti pẹlu sisanra ti 350 μm ti wa ni lilo pupọ ni itanna to ti ni ilọsiwaju ati iṣelọpọ ẹrọ agbara. Pẹlu iṣiṣẹ igbona ti o dara julọ, foliteji didenukole giga, ati atako to lagbara si awọn agbegbe to gaju, sobusitireti yii jẹ apẹrẹ fun awọn ẹrọ itanna agbara iṣẹ-giga gẹgẹbi awọn iyipada foliteji giga, awọn oluyipada, ati awọn ẹrọ RF. Awọn sobusitireti ti iṣelọpọ ni a lo ni iṣelọpọ iwọn-nla, ni idaniloju igbẹkẹle, iṣẹ ṣiṣe ẹrọ ti o ga julọ, eyiti o ṣe pataki fun ẹrọ itanna agbara ati awọn ohun elo igbohunsafẹfẹ giga. Awọn sobusitireti-ite Dummy, ni apa keji, ni lilo akọkọ fun isọdiwọn ilana, idanwo ohun elo, ati idagbasoke apẹrẹ, ṣe iranlọwọ lati ṣetọju iṣakoso didara ati aitasera ilana ni iṣelọpọ semikondokito.

SpecificationAwọn anfani ti N-type SiC composite substrates pẹlu

Ga Gbona Conductivity: Imudara ooru ti o munadoko jẹ ki sobusitireti jẹ apẹrẹ fun iwọn otutu ati awọn ohun elo ti o ga julọ.
Ga didenukole Foliteji: Ṣe atilẹyin iṣẹ-giga-foliteji, ni idaniloju igbẹkẹle ninu ẹrọ itanna agbara ati awọn ẹrọ RF.
Resistance to simi Ayika: Ti o tọ ni awọn ipo ti o pọju gẹgẹbi awọn iwọn otutu ti o ga ati awọn agbegbe ibajẹ, ṣiṣe ṣiṣe ṣiṣe pipẹ.
Gbóògì-Ite konge: Ṣe idaniloju didara giga ati iṣẹ igbẹkẹle ni iṣelọpọ iwọn-nla, o dara fun agbara to ti ni ilọsiwaju ati awọn ohun elo RF.
Idiwon-Ite fun Igbeyewo: Mu ki ilana isọdiwọn deede ṣiṣẹ, idanwo ohun elo, ati ṣiṣe apẹrẹ laisi ibajẹ awọn wafers ti iṣelọpọ.

Iwoye, P-type 4H/6H-P 3C-N 4-inch SiC sobusitireti pẹlu sisanra ti 350 μm nfunni awọn anfani pataki fun awọn ohun elo itanna ti o ga julọ. Imudara igbona giga rẹ ati foliteji didenukole jẹ ki o jẹ apẹrẹ fun agbara-giga ati awọn agbegbe iwọn otutu, lakoko ti resistance rẹ si awọn ipo lile ni idaniloju agbara ati igbẹkẹle. Sobusitireti-iṣelọpọ ṣe idaniloju iṣẹ ṣiṣe deede ati deede ni iṣelọpọ iwọn-nla ti ẹrọ itanna agbara ati awọn ẹrọ RF. Nibayi, sobusitireti-idalẹnu jẹ pataki fun isọdọtun ilana, idanwo ohun elo, ati adaṣe, atilẹyin iṣakoso didara ati aitasera ni iṣelọpọ semikondokito. Awọn ẹya wọnyi jẹ ki awọn sobusitireti SiC wapọ fun awọn ohun elo ilọsiwaju.